Acétylacétonate de gallium

	Acétylacétonate de gallium
	Structure de l'acétylacétonate de gallium
Identification
Nom UICPA	(Z)-4-bis{[(Z)-4-oxopent-2-én-2-yl]oxy}gallanyloxypent-3-én-2-one
Nom systématique	tris(acétylacétonato)gallium(III)
Synonymes	tris(2,4-pentanedionato)gallium(III)
No CAS	14405-43-7
No ECHA	100.034.873
No CE	238-377-0
PubChem	16717626
SMILES	C/C(=C/C(=O)C)/O[Ga](O/C(=C\C(=O)C)/C)O/C(=C\C(=O)C)/C ; PubChem, vue 3D
InChI	Std. InChI : vue 3D ; InChI=1S/3C5H8O2.Ga/c31-4(6)3-5(2)7;/h33,6H,1-2H3;/q;;;+3/p-3/b3*4-3-; ; Std. InChIKey : ; ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K
Apparence	solide inodore
Propriétés chimiques
Formule	C15H21GaO6;
Masse molaire	367,047 ± 0,016 g/mol ; C 49,08 %, H 5,77 %, Ga 19 %, O 26,15 %,
Propriétés physiques
T° fusion	196 à 198 °C
Masse volumique	1,42 g/cm3 à 20 °C
Précautions
SGH
	; AttentionH315, H319, H335, H351, H302+H312+H332, P280, P312, P301+P330+P331, P302+P352, P304+P340, P332+P313 et P337+P313 H315 : Provoque une irritation cutanée; H319 : Provoque une sévère irritation des yeux; H335 : Peut irriter les voies respiratoires; H351 : Susceptible de provoquer le cancer (indiquer la voie d'exposition s'il est formellement prouvé qu'aucune autre voie d'exposition ne conduit au même danger); H302+H312+H332 : Nocif en cas d'ingestion, par contact cutané ou si inhalé; P280 : Porter des gants de protection/des vêtements de protection/un équipement de protection des yeux/du visage.; P312 : Appeler un CENTRE ANTIPOISON ou un médecin en cas de malaise.; P301+P330+P331 : En cas d'ingestion : rincer la bouche. NE PAS faire vomir.; P302+P352 : En cas de contact avec la peau : laver abondamment à l’eau et au savon.; P304+P340 : En cas d'inhalation : transporter la victime à l’extérieur et la maintenir au repos dans une position où elle peut confortablement respirer.; P332+P313 : En cas d’irritation cutanée : consulter un médecin.; P337+P313 : Si l’irritation oculaire persiste : consulter un médecin.;
NFPA 704
	1 2 0
	Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
	modifier

L’acétylacétonate de gallium est un composé chimique de formule Ga(C₅H₇O₂)₃, parfois abrégé Ga(acac)₃, où (acac) représente un ligand acétylacétonate C₅H₇O₂⁻. Il s'agit d'un complexe de coordination du gallium à l'état d'oxydation +3 présentant une symétrie moléculaire D₃ isomorphe des autres tris(acétylacétonate)s octaédriques^[3].

Il est possible de déposer des couches minces d'oxyde de gallium(III) Ga₂O₃ par atomic layer deposition en associant de l'acétylacétonate de gallium Ga(C₅H₇O₂)₃ avec de l'eau H₂O ou de l'ozone O₃ comme précurseurs^[4]. Ga(C₅H₇O₂)₃ peut également être utilisé avec l'ammoniac NH₃ pour la croissance à basse température de nanofils de nitrure de gallium de haute pureté^[5]^,^[6].

Notes et références

1 2 3 4 5 « Fiche du composé Gallium(III) 2,4-pentanedionate, 99.99% (metals basis) », sur Alfa Aesar (consulté le 29 janvier 2023).
↑ Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
↑ (en) K. Dymock et G. J. Palenik, « Tris(acetylacetonato)gallium(III) », Acta Crystallographica Section B, vol. 30, n^o 5,‎ 1974, p. 1364-1366 (DOI 10.1107/S0567740874004833, lire en ligne).
↑ (en) Minna Nieminen, Lauri Niinistö et Eero Rauhala, « Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy », Journal of Materials Chemistry, vol. 6,‎ 1996, p. 27-31 (DOI 10.1039/jm9960600027, lire en ligne).
↑ (en) Ko-Wei Chang et Jih-Jen Wu, « Low-Temperature Catalytic Synthesis of Gallium Nitride Nanowires », The Journal of Physical Chemistry B, vol. 106, n^o 32,‎ 18 juillet 2002, p. 7796-7799 (DOI 10.1021/jp026152t, lire en ligne).
↑ (en) K.-W. Chang et J.-J. Wu, « Temperature-controlled catalytic growth of one-dimensional gallium nitride nanostructures using a gallium organometallic precursor », Applied Physics A Materials Science & Processing, vol. 77, n^o 6,‎ 8 juillet 2003, p. 769-774 (DOI 10.1007/s00339-003-2229-y, Bibcode 2003ApPhA..77..769C, lire en ligne).

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[aa-1] 1 2 3 4 5 « Fiche du composé Gallium(III) 2,4-pentanedionate, 99.99% (metals basis) », sur Alfa Aesar (consulté le 29 janvier 2023).

[2] Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.

[10.1107/S0567740874004833-3] (en) K. Dymock et G. J. Palenik, « Tris(acetylacetonato)gallium(III) », Acta Crystallographica Section B, vol. 30, n^o 5,‎ 1974, p. 1364-1366 (DOI 10.1107/S0567740874004833, lire en ligne).

[10.1039/jm9960600027-4] (en) Minna Nieminen, Lauri Niinistö et Eero Rauhala, « Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy », Journal of Materials Chemistry, vol. 6,‎ 1996, p. 27-31 (DOI 10.1039/jm9960600027, lire en ligne).

[10.1021/jp026152t-5] (en) Ko-Wei Chang et Jih-Jen Wu, « Low-Temperature Catalytic Synthesis of Gallium Nitride Nanowires », The Journal of Physical Chemistry B, vol. 106, n^o 32,‎ 18 juillet 2002, p. 7796-7799 (DOI 10.1021/jp026152t, lire en ligne).

[10.1007/s00339-003-2229-y-6] (en) K.-W. Chang et J.-J. Wu, « Temperature-controlled catalytic growth of one-dimensional gallium nitride nanostructures using a gallium organometallic precursor », Applied Physics A Materials Science & Processing, vol. 77, n^o 6,‎ 8 juillet 2003, p. 769-774 (DOI 10.1007/s00339-003-2229-y, Bibcode 2003ApPhA..77..769C, lire en ligne).

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