ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΥ Π ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας Και Θράκης
ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΥ Π ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας Και Θράκης
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΥ Π.
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 :
Από τη μικροηλεκτρονική στη
νανοηλεκτρονική
1
1. Ο όρος Νάνο και η σημασία του
Τι «μπορεί να χωρέσει» μέσα σε ένα νανόμετρο….
2. Νανοτεχνολογίας → Νανοηλεκτρονική
2. Νανοτεχνολογίας → Νανοηλεκτρονική
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο :
Κρυσταλλική και Ηλεκτρονική
Δομή
1. Ημιαγωγικά υλικά
2
1. Ημιαγωγικά υλικά- Δομή και πλέγμα
Σχήμα 1
Σχήμα 3
Σχήμα 4
6
1. Ημιαγωγικά υλικά- Δομή και πλέγμα
Θεωρώντας μια δυσδιάστατη διευθέτηση ατόμων όπως αυτή εικονίζεται στο σχήμα ορίζουμε
ως μοναδιαία κυψελίδα την ODEF. Μπορούμε να ορίσουμε τα ανύσματα a και b έτσι ώστε αν η
μοναδιαία κυψελίδα μεταφέρεται κατά ακέραιο πολλαπλάσιο των ανυσμάτων αυτών να
συμπίπτει με μια άλλη πανομοιότυπη κυψελίδα (O’D’E’F’). Τα ανύσματα a και b (και c αν η
δομή είναι τρισδιάστατη) λέγονται ανύσματα βάσης (base vectors) και η απόσταση r μεταξύ
των κυψελίδων είναι:
r = pa +qb+sc
Όπου pqs ακέραιοι αριθμοί.
Σχήμα 5: Μια
δισδιάστατη δομή όπου
r=3a+2b.
Η χρησιμότητα της μοναδιαίας κυψελίδας στην μελέτη των ιδιοτήτων των ημιαγωγών
κρυστάλλων έγκειται στα εξής:
Για την μελέτη του κρυστάλλου σαν σύνολο αρκεί η μελέτη μιας μικρής αντιπροσωπευτικής
περιοχής (π.χ.) υπολογισμός των δυνάμεων οι οποίες συγκροτούν το πλέγμα
Οι ιδιότητες του πλέγματος καθορίζουν τις επιτρεπόμενες ενέργειες των ηλεκτρονίων
αγωγιμότητας.
Συνεπώς η κρυσταλλική δομή πέραν των μηχανικών ιδιοτήτων επηρεάζει σημαντικά και τις
ηλεκτρικές ιδιότητες του κρυστάλλου.
7
8
1. Ημιαγωγικά υλικά- Δομή και πλέγμα
Σχήμα 6
10
1. Ημιαγωγικά υλικά- Δομή και πλέγμα
11
12
1. Ημιαγωγικά υλικά- Δομή και πλέγμα
• Μια διεύθυνση στο πλέγμα εκφράζεται ως ένα
set ακέραιων με αναλογία ίδια με αυτήν των
συνιστωσών του ανύσματος κατά τη
διεύθυνση αυτή.
• Οι τρεις συνιστώσες εκφράζονται ως
πολλαπλάσιο των ανυσμάτων βάσης και
λαμβάνονται τελικά οι μικρότεροι ακέραιοι με
την ίδια σχετική αναλογία. Οι αριθμοί αυτοί
τοποθετούνται εντός αγκυλών.
Στην περίπτωση του σχήματος 1-9α οι
συνιστώσες είναι 1a, 1b, 1c και συνεπώς η
(διαγώνιος) διεύθυνση είναι [111].
Σχήμα 9: Κρυσταλλικές
• Όπως συμβαίνει στα κρυσταλλικά επίπεδα διευθύνσεις σε κυβικό πλέγμα.
αρκετές διευθύνσεις είναι ισοδύναμες με την
έννοια ότι η επιλογή της μιας ή της άλλης έχει
μόνο συμβολικό χαρακτήρα και είναι
αυθαίρετη. Οι δείκτες ισοδύναμων • Συγκρίνοντας τα σχήματα 1-8 και 1-9
διευθύνσεων τοποθετούνται σε <>. Για συμπεραίνουμε ότι μια διεύθυνση [hkl] είναι
παράδειγμα στο κυβικό πλέγμα οι άξονες [100] κάθετη σε ένα επίπεδο (hkl). Αυτό δεν είναι
και [001] είναι ισοδύναμοι και δηλώνονται ως κατ’ ανάγκη αληθές σε μη κυβικές δομές.
<100> διευθύνσεις. 13
14
1. Ημιαγωγικά υλικά- Ανάπτυξη κρυστάλλων
15
16
2. Ηλεκτρονική Δομή –Πρότυπο Borh-Κατανομή ηλεκτρονίων σε τροχιές
17
18
2. Ηλεκτρονική Δομή –Πρότυπο Borh-Μειονεκτήματα
19
20
3. Ενεργειακές ζώνες στα στερεά – Ενεργειακά χάσματα υλικών
21
22
4. Αγωγιμότητα υλικών
23
4. Αγωγιμότητα υλικών
24
4. Αγωγιμότητα υλικών
25
26
5. Κρυσταλλική και ηλεκτρονική δομή- Ενεργειακές ζώνες
27
28
5. Κρυσταλλική και ηλεκτρονική δομή- Ενεργειακές ζώνες – Ζώνες Brillouin
29
30
6. Κρυσταλλική και ηλεκτρονική δομή - Ενεργειακές ζώνες - Κβαντική προσέγγιση
31
32
7. Ενεργειακές ζώνες - Κβαντική προσέγγιση-Εξίσωση Schrödinger
33
34
8. Κβαντική προσέγγιση-Εξίσωση Schrödinger - Πηγάδια δυναμικού
35
36
9. Κβαντική προσέγγιση-Εξίσωση Schrödinger - Πηγάδια δυναμικού-Φαινόμενο
Σήραγγας
37
39
40
11. Κβαντική προσέγγιση- Διακριτές Ενεργειακές στάθμες – Κατανομή φορέων
41
42
11. Κβαντική προσέγγιση- Διακριτές Ενεργειακές στάθμες – Κατανομή φορέων
43
44
11. Κβαντική προσέγγιση- Διακριτές Ενεργειακές στάθμες – Κατανομή φορέων
45
46
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3Ο :
Ημιαγωγοί
1. Ενδογενείς Ημιαγωγοί
1. Ενδογενείς Ημιαγωγοί
4
1. Ενδογενείς Ημιαγωγοί
1. Ενδογενείς Ημιαγωγοί
Καθώς αυξάνει η θερμοκρασία προστίθεται θερμική ενέργεια στον κρύσταλλο με
αποτέλεσμα να σπάσουν μερικοί ομοιοπολικοί δεσμοί και τα ελεύθερα ηλεκτρόνια να
μεταβούν στην ζώνη αγωγιμότητας. Στους ενδογενείς ημιαγωγούς καθώς το «ελεύθερο»
ηλεκτρόνιο με φορτίο –q ίσο με -1.602 x 10-19Cb μετακινείται μακριά από τον μητρικό
ομοιοπολικό δεσμό αφήνει πίσω του ένα θετικό ιόν με φορτίο +q. Με άλλα λόγια με κάθε
σπάσιμο δεσμού απελευθερώνονται δύο αντίθετα φορτισμένοι φορείς. Συνεπώς, όπως
έχει αναφερθεί, στους ενδογενείς ημιαγωγούς η συγκέντρωση των ηλεκτρονίων είναι ίση
με αυτή των οπών. Δηλαδή :
n=p=ni ή pn=ni2
Αποδεικνύεται ότι η ειδική πυκνότητα φορέων (intrinsic carrier density) δίνεται από την
σχέση
6
1. Ενδογενείς Ημιαγωγοί
2. Εξωγενείς Ημιαγωγοί
Ο αριθμός των φορέων μπορεί να αυξηθεί δραματικά
με την εισαγωγή προσμίξεων στο κρυσταλλικό
πλέγμα.
8
2. Εξωγενείς Ημιαγωγοί τύπου n
10
2. Εξωγενείς Ημιαγωγοί τύπου p
11
12
3. Κατανομή ηλεκτρονίων και οπών σε Εξωγενείς Ημιαγωγοί (Fermi-Dirac)
13
14
3. Κατανομή ηλεκτρονίων και οπών σε Εξωγενείς Ημιαγωγοί (Fermi-Dirac)
15
16
4. Ενεργός μάζα ηλεκτρονίου και οπής – Κρυσταλλικό πλέγμα
17
18
4. Ενεργός μάζα ηλεκτρονίου και οπής – Κρυσταλλικό πλέγμα
19
Μπορείτε να
εντοπίσετε σημεία
που αντιστοιχούν σε
μεγάλες
κινητικότητες
φορέων;
20
5. Ηλεκτρική αγωγιμότητα ημιαγωγών
Η ηλεκτρική αγωγιμότητα των στερεών καθορίζεται από τον βαθμό κατάληψης των ενεργειακών
σταθμών στις ζώνες σθένους και αγωγιμότητας από ηλεκτρόνια.
Στους μεταλλικούς αγωγούς το ενεργειακό χάσμα μεταξύ ζώνης σθένους και ζώνης αγωγιμότητας
είναι πρακτικά μηδέν. Έτσι ένα εξωτερικό πεδίο μπορεί εύκολα να προσδώσει την απαιτούμενη
(μικρή ενέργεια) στα ηλεκτρόνια έτσι ώστε αυτά να συντελέσουν στην αγωγή. Για τον λόγο αυτό τα
μέταλλα είναι καλοί αγωγοί.
Στους μονωτές η ζώνη σθένους είναι εντελώς γεμάτη με ηλεκτρόνια και διαχωρίζεται με την αμέσως
επόμενη κενή ζώνη αγωγιμότητας με ένα ενεργειακό χάσμα (Eg) το οποίο είναι αρκετά μεγαλύτερο
από τη μέση θερμική ενέργεια των ηλεκτρονίων ΚΤ. Όπως είδαμε προηγουμένως σε θερμοκρασία
δωματίου ΚΤ~1/40 eV ενώ το Eg~4-10 eV για μονωτές. Κάτω από τις συνθήκες αυτές (ΚΤ<<Eg) μόνο
μερικά ηλεκτρόνια μπορούν να μεταπηδήσουν στην ζώνη αγωγιμότητας και για το λόγο αυτό δεν
λαμβάνει χώρα αγωγή κάτω από την επίδραση πεδίου.
Όπως έχει ήδη αναφερθεί, σε αρκετές περιπτώσεις το ενεργειακό χάσμα του ημιαγωγού είναι μικρό
της τάξης του 1eV. Στην περίπτωση αυτή αρκετά ηλεκτρόνια έχουν θερμική ενέργεια έτσι ώστε να
υπερπηδήσουν το ενεργειακό χάσμα και να φθάσουν στην ζώνη αγωγιμότητας. Ως αποτέλεσμα αυτής
της μετάβασης δημιουργούνται σε συγκεκριμένες θέσεις ελλείμματα αρνητικού φορτίου ή θετικοί
φορείς γνωστοί ως οπές (holes).
Η εφαρμογή ηλεκτρικού πεδίου έχει ως
αποτέλεσμα την κίνηση τόσο των
ηλεκτρόνιων όσο και των οπών
συνεισφέροντας έτσι από κοινού στην
αγωγιμότητα.
21
22
5. Ηλεκτρική αγωγιμότητα ημιαγωγών
Α. Υπολογισμός Ταχύτητας ολίσθησης Ηλεκτρονίου στον κρύσταλλο.
Στην γενική περίπτωση μπορούμε να πούμε ότι απουσία πεδίου υπάρχει μόνο η θερμική κίνηση
ηλεκτρονίων με την ίδια πιθανότητα για κάθε χωρική κατεύθυνση και έτσι δεν υπάρχει συνισταμένη
ηλεκτρικού ρεύματος. Υπό την επίδραση πεδίου EX ασκείται στο ηλεκτρόνιο δύναμη –eEΧ. Αν έχουμε ένα
σύνολο ηλεκτρονίων με πυκνότητα n τότε υπό την επίδραση του πεδίου τα ηλεκτρόνια κινούνται προς
την χ κατεύθυνση με ορμή PΧ για την οποία ισχύει (δύναμη=μεταβολή ορμής):
Η σχέση αυτή δηλώνει ότι τα ηλεκτρόνια έχουν μια σταθερή επιτάχυνση. Στην πράξη όμως αυτά
αποκτούν μια σταθερή ταχύτητα λόγω των συγκρούσεων με τα φωτόνια (photons) (κβάντο ενέργειας
θερμικής ταλάντωσης πλέγματος). Αν τ είναι ο μέσος χρόνος ο οποίος μεσολαβεί μεταξύ δύο
συγκρούσεων ηλεκτρονίου-πλέγματος τότε η πιθανότητα να συμβεί μια σύγκρουση σε ένα χρονικό
διάστημα dt είναι dt/τ. Στην περίπτωση αυτή η μεταβολή ορμής θα είναι dpX=-pX dt/τ και ο ρυθμός
απώλειας ορμής θα είναι:
23
24
5. Ηλεκτρική αγωγιμότητα ημιαγωγών - Ευκινησία φορέων
25
26
5. Παράδειγμα υπολογισμού ειδικής αντίστασης Si
27
6. Φαινόμενο Hall
28
6. Φαινόμενο Hall
Όπως δείξαμε προηγουμένως η πυκνότητα
ρεύματος που διαρρέει έναν αγωγό δίνεται από την
σχέση J=I/S=neυ από όπου ταχύτητα υ =Ι/neS. Αν a
D D
29
6. Φαινόμενο Hall
Θα ισχύει δηλαδή eυΒ= EΗe, EΗ= υΒ, και εφόσον για
την εγκάρσια τάση VH ισχύει VH= ΕΗα θα είναι VH=
υΒα. Σε συνδυασμό με τη σχέση υ = Ι/neab
καταλήγουμε στην VH= ΒΙ/neb η οποία ερμηνεύει
και την αναλογία «έντασης μαγνητικού πεδίου και
τάσης Hall» που διαπιστώσαμε εργαστηριακά.
Η επίδραση του μαγνητικού πεδίου έχει σαν
συνέπεια την τροποποίηση της κατανομής των
ηλεκτρονίων σε σχέση με τα ιόντα του μεταλλικού
πλέγματος το οποίο έχει ως συνέπεια την εμφάνιση
μιας εγκάρσιας τάσης.
Η εφαρμογή 1
Μπορούμε να προσδιορίσουμε τον ΑΡΙΘΜΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ ΑΝΑ ΜΟΝΑΔΑ ΟΓΚΟΥ.
Εάν στη σχέση eυΒ= EΗe αντικαταστήσουμε την ταχύτητα υ με j/ne προκύπτει Βj/ne=ΕΗ
άρα n=Bj/EΗe
Η εφαρμογή 2
Το φαινόμενο έδωσε την ιδέα για την κατασκευή ενός ΜΑΓΝΗΤΟΜΕΤΡΟΥ το οποίο –με
βάση την τάση Hall–θα μετράει την ένταση του μαγνητικού πεδίου αλλά και θα
προσδιορίζει και την κατεύθυνσή του
30
6. Φαινόμενο Hall
31
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4Ο :
Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές
Διατάξεις
1
1. Μικροηλεκτρονικές Διατάξεις – Κλασσική δίοδος pn
Φυσική λειτουργία
Oι ημιαγωγοί με προσμίξεις είναι δυο τύπων. Οι ημιαγωγοί τύπου Ν έχουν περισσότερους
αρνητικούς φορείς, δηλαδή έχουν περίσσεια ηλεκτρονίων και για το λόγο αυτό ονομάζονται τύπου Ν.
Αντιθέτως οι ημιαγωγοί τύπου Ρ έχουν περίσσεια θετικών φορτίων ή οπών. Οι οπές είναι έλλειψη
ηλεκτρονίων.
Όταν ένα μικρό κομμάτι ημιαγωγού τύπου Ν έλθει σ' επαφή με κομμάτι ημιαγωγού τύπου Ρ, τότε
δημιουργείται μια ένωση ΡΝ ή επαφή ΡΝ η οποία αποτελεί ένα ηλεκτρονικό εξάρτημα πολύ χρήσιμο
και ονομάζεται δίοδος ΡΝ.
Η επαφή ΡΝ φαίνεται στο παραπάνω σχήμα. Το σημείο της ένωσης παρίσταται με μια κάθετη
διακεκομμένη γραμμή. Το τμήμα τύπου Ν αποτελείται από θετικά ιόντα πεντασθενούς στοιχείου και
ελεύθερα ηλεκτρόνια. Υπάρχει επίσης μικρός αριθμός οπών. Στο τμήμα τύπου Ρ υπάρχουν αρνητικά
ιόντα τρισθενούς στοιχείου, αρκετές οπές και μικρός αριθμός ηλεκτρονίων.
Η επαφή ΡΝ που δημιουργήθηκε λέγεται δίοδος ΡΝ διότι αφήνει να διέρχεται ηλεκτρικό ρεύμα από
αυτήν μόνο προς μια κατεύθυνση. Για να δημιουργηθεί μια δίοδος ΡΝ, συνδέονται τα άκρα των δυο
ημιαγωγικών τμημάτων τύπου Ρ και Ν με μεταλλικές επαφές και έτσι δημιουργείται η άνοδος της
διόδου από την πλευρά του ημιαγωγού Ρ και η κάθοδος της διόδου στην πλευρά Ν. Η δίοδος ΡΝ
συμβολίζεται με ένα βέλος στην πλευρά Ρ και μια γραμμή στην πλευρά Ν.
T1
8
T2
T3
6
I(A)
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
VD(V)
p n
+
p (α)
I
qN
NB
ρ(x)
B
x x
V B V D
x
E 0 0 C 0
(β) NC
-qN
-qN E
d C
E(x) (γ) 0
Vr Vf
VB VD
V(x)
Φ B L Φ B R
V
ΦB L 0
(1/η)*V f
f
(δ)
V D
V r
10-3 10-3
19 -3 17 -3 16 -3
N E=10 cm , NB =10 cm , NC=10 cm
10-4 10-4
10-5 10-5
10-6
10-6
10-7
10-7
IR (A)
10-8
IF(A)
10-8
10-9 d = 80nm
d = 100nm
d = 120nm 10-9
10-10
d = 150nm
d = 200nm 10-10
10-11
10-14 10-13
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
-3,0 -2,5 -2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0,0
VF(Volt) VR(Volt)
1e-5 12,0
19 -3 17 -3
NE =10 cm , NB =10 cm , d = 100μm
Vpulse = 1V - 0V 11,5
0 11,0
I (A)
10,5
sw (psec)
NE =1019 cm-3 , NB =1017 cm-3 , NC =1016 cm-3 ,
10,0
-1e-5 d = 100μm
9,5
9,0
-2e-5
8,5
8,0
-3e-5 40 60 80 100 120 140 160 180 200
9,0e-10 9,5e-10 1,0e-9 1,1e-9 1,1e-9 1,2e-9 1,2e-9
d (nm)
t (sec)
d
p n p (α)
+
Φώς l R -
E C
- -
---
-
V<0
+
EV
+
+
Φ (β)
Φ Φ* B R
B L B L
ΔΦ B L
102
Vr = -2V
Vr = -4V
Vr = -6V
Vr = -8V
Vr = -10V
Vr= -12V
Τα γεωμετρικά χαρακτηριστικά των διατάξεων όπως π.χ. δίοδοι ή τρανζίστορ παίζουν πολύ
σημαντικό ρόλο στη λειτουργία τους. Έτσι με την εξέλιξη της τεχνολογίας μπορούμε πλέον
να σχεδιάσουμε αλλά και να κατασκευάσουμε τις δομές αυτές σε πολύ μικρότερες διαστάσεις
φτάνοντας την τάξη των νανομέτρων. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα να εμφανίζονται
λειτουργικές συμπεριφορές και ιδιότητες πολύ ενδιαφέρουσες. Έχουν παρατηρηθεί, χρόνοι
απόκρισης της τάξης των ps σε διατάξεις Si του τύπου p+-n-p, φαινόμενα χαοτικής
συμπεριφοράς ή και φαινόμενα υστέρησης στις κλασικές I-V χαρακτηριστικές των διατάξεων
του τύπου Metal / a-SiC / Si / Metal.
Το πρώτο SOI MOSFET διπλής πύλης που κατασκευάστηκε ήταν το“fully Depleted Lean-channel
Transistor το1989 όπου η διάταξη σχηματίζεται πάνω σε ένα ψηλό και λεπτό κομμάτι πυριτίου που
ονομαζόταν «finger» ή όπως και επικράτησε «fin»(=πτερύγιο). Στη δομή του FinFET διπλής πύλης
υπάρχει διηλεκτρικό στρώμα που ονομάζεται «hard mask» επάνω από το κανάλι πυριτίου. Το
στρώμα αυτό χρησιμοποιείται για να αποτρέψει τη δημιουργία ανεστραμμένων παρασιτικών
καναλιών στις επάνω γωνίες της διάταξης.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
3
Σχεδιαγράμματα ενός DΕLTΑ MOSFET (Α) και ενός FinFET διπλής πύλης (B).
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
4
1. 2. Περιγραφή διατάξεων SOI Fin FET - Τριπλής πύλης
Τα MOSFET τριπλής πύλης είναι διατάξεις που έχουν ένα λεπτό υμενίο πυριτίου, στο οποίο η
πύλη τυλίγεται στις τρεις από τις πλευρές του. Στις διατάξεις τριπλής πύλης ανήκουν τα quantum-
wire SOI MOSFET και τα trigate MOSFET (triple-gate/tri-gate FinFET).
Η χρήση πυριτίου υπό μηχανική τάση (strained silicon), μεταλλικής πύλης ή/και high-k
διηλεκτρικό ως μονωτή πύλης μπορεί να βελτιώσει ακόμη περισσότερο τη δυνατότητα οδήγησης
ρεύματος (current drive) των διατάξεων αυτών.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
5
Από την άλλη, τα bulk MOSFET πολλαπλών πυλών απαιτούν παραπάνω βήματα στην κατασκευή
τους, αυξάνοντας έτσι το χρόνο και το κόστος ανά κύκλο παραγωγής τους.
Επιπλέον, καθώς το ύψος του πτερυγίου καθορίζεται από το βήμα της διαδικασίας χάραξης,
αυξάνονται οι απαιτήσεις για έλεγχο των παρεκκλίσεων αυτής, αφού μεταβολές στο ύψος του
πτερυγίου μεταφράζονται σε μεταβολές του πλάτους του τρανζίστορ. Στα Bulk FinFET είναι
απαραίτητη η προσθήκη εμφυτευμάτων, ώστε να αποτρέπεται το φαινόμενο της διάτρησης κάτω
από την επιφάνεια. Ως αποτέλεσμα οι bulk διατάξεις πολλαπλών πυλών πάσχουν από υψηλότερη
διαρροή διόδου μεταξύ απαγωγού και πηγή και υψηλότερη χωρητικότητα επαφών σε σχέση με τις
αντίστοιχες διατάξεις SOI.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
7
Η παράμετρος λ ονομάζεται «φυσικό μήκος» (natural length) της διάταξης. Εξαρτάται από το πάχος
του οξειδίου της πύλης και το πάχους του υμενίου πυριτίου. Όσο λεπτότερο γίνεται το οξείδιο της
πύλης και/ή το υμένιο πυριτίου, τόσο μικρότερο γίνεται και το φυσικό μήκος και μειώνεται κατ’
επέκταση η επίδραση του ηλεκτρικού πεδίου του απαγωγού στο κανάλι. Αριθμητικές προσομοιώσεις
δείχνουν ότι το ενεργό μήκος πύλης μίας MOS διάταξης πρέπει να είναι 5 με 10 φορές μικρότερο από
το φυσικό μήκος για να αποφευχθούν τα φαινόμενα short channel.
Τα φυσικά μήκη που αντιστοιχούν στις διάφορες διατάξεις συνοψίζονται πιο κάτω:
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
8
1. 4. Περιγραφή διατάξεων SOI Fin FET –Φυσικό μήκος και SCE
Το φυσικό μήκος (και τα SCE κατά επέκταση) μπορεί να μειωθεί μειώνοντας το πάχος του
οξειδίου της πύλης, το πάχος του φιλμ πυριτίου και κάνοντας χρήση high-k διηλεκτρικών. Επίσης
το φυσικό μήκος μειώνεται με την αύξηση του αριθμού των πυλών. Σε πολύ μικρές διάταξεις
πάχος οξειδίου κάτω από 1.5 nm προκαλεί τη δημιουργία ρεύματος διαρροής λόγω του
φαινομένου σήραγγας. Χρησιμοποιώντας πολλαπλών πυλών διατάξεις είναι δυνατόν να γίνει
ανταλλαγή του λεπτού οξειδίου της πύλης με λεπτό φιλμ/πτερύγιο πυριτίου αφού το λ είναι
ανάλογο του γινομένου tsi * tox.
Μπορούμε να εισάγουμε την έννοια του «ισοδύναμου αριθμού πυλών» (ENG). Είναι βασικά ο
αριθμός των πυλών (υποτίθεται τετραγωνικής διατομής). Έτσι έχουμε ENG=1 για SOI διατάξεις
πλήρους αραίωσης μονής πύλης, ENG=2 για διπλής και ENG=4 για τετραπλής πύλης MOSFET.
ENG=3 για τριπλής πύλης και, κατά σύμπτωση, ο αριθμός ENG σε μία Π-gate διάταξη είναι
κοντά στο π. Στις Ω-gate διατάξεις ο αριθμός ENG κυμαίνεται ανάμεσα σε 3 και 4 ανάλογα με
την προέκταση της πύλης κάτω από το κανάλι.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
9
Είναι, λοιπόν, ίσο με το ρεύμα μίας διάταξης μονής πύλης πολλαπλασιασμένο επί τον ισοδύναμο
αριθμό πυλών αν οι φορείς έχουν την ίδια ευκινησία σε κάθε επιφάνεια.
Σε δομές τριπλής πύλης και κάθετες διπλής πύλης όλα τα πτερύγια έχουν μεταξύ τους ίδιο πάχος
και πλάτος. Ως αποτέλεσμα η τιμή του ρεύματος είναι καθορισμένη για δεδομένο μήκος πύλης.
Ας συγκρίνουμε τώρα το ρεύμα στην εκροή των δύο διατάξεων με ίδια επιφάνεια πύλης WxL
που φαίνονται στις παρακάτω εικόνες κάτω από το κανάλι.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
10
1. 4. Περιγραφή διατάξεων SOI Fin FET –Ρεύμα στο κανάλι
Θεωρώντας απόσταση μεταξύ των πτερυγίων (fin pitch) P, το ρεύμα στην πολλαπλής πύλης
διάταξη δίνεται από τον τύπο:
Όπου ΙDo είναι το ρεύμα μίας επίπεδης διάταξης μονής πύλης, Wsi είναι το πλάτος του κάθε
πτερυγίου, tsi είναι το πάχος του υμενίου πυριτίου μ οι ευκινησίες (μtop στην επάνω επιφάνεια
του καναλιού και μside στις πλαϊνές), θ=1 για διατάξεις trigate όπου η αγωγή του ρεύματος
γίνεται κατά μήκος τριών επιφανειών, θ=0 για FinFET διπλής πύλης που τα αγώγιμα κανάλια
σχηματίζονται στις επιφάνειες των δύο πλαϊνών τοιχωμάτων.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
12
1. 4. Περιγραφή διατάξεων SOI Fin FET –Φαινόμενα γωνίας
Στις διατάξεις SOI MOSFET μονής πύλης, η επίδραση του φαινομένου γωνίας (corner effect)
είναι αμιγώς παρασιτική. Στις διατάξεις πολλαπλών πυλών, όμως, οι γωνίες αποτελούν μέρος
της φύσης της διάταξης και αποκτά, έτσι, ενδιαφέρον η κατανόηση της αλληλεπίδρασης
μεταξύ των ρευμάτων στις γωνίες και των ρευμάτων στις επίπεδες περιοχές των τρανζίστορ.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
13
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
15
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
16
1. 4. Περιγραφή διατάξεων SOI Fin FET –Δομή
Σε SOI διατάξεις FinFET διπλής πύλης το ενεργό πλάτος καναλιού είναι :
Weff =2*n*Hfin
όπου n ακέραιος αριθμός ίσος με τον αριθμό των πτερυγίων. Το ενεργό πλάτος των διατάξεων
πολλαπλών πυλών μπορεί να αυξηθεί ή να μειωθεί κατά διακριτές ποσότητες ίσες με 2*Hfin
Σε επίπεδες διατάξεις το ενεργό πλάτος είναι ίσο με το πάχος του ίχνους του υποστρώματος Wfοοt. Για
το διπλής πύλης FinFET το ενεργό πλάτος συνδέεται με το Wfοοt μέσω της:
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
17
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
18
1. 4. Περιγραφή διατάξεων SOI Fin FET –Κατασκευή
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
19
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
20
1. 4. Περιγραφή διατάξεων SOI Fin FET –Κατασκευή
Δύο είναι τα βασικά πλεονεκτήματα των πτερυγίων που σχηματίζονται με χρήση spacers.
Πρώτον, ο αριθμός των πτερυγίων διπλασιάζεται για δεδομένο βήμα της λιθογραφίας, η απόσταση
δηλαδή μεταξύ των πτερυγίων μειώνεται στο μισό. Η πιο πάνω εικόνα δείχνει εικόνες ηλεκτρονικού-
μικροσκοπίου-σάρωσης από την εφαρμογή της τεχνικής αυτής, σταδιακά, τρείς φορές.
Δεύτερον, το πλάτος του πτερυγίου καθορίζεται από το πάχος του υμενίου που εναποτίθεται και
μπορεί να είναι λεπτότερο από αυτό που καθορίζεται από τη λιθογραφία, έχουν καλύτερο έλεγχο
κρίσιμης διάστασης (CD control) και έχουν μειωμένη πλευρική τραχύτητα.
Το αρνητικό της τεχνικής αυτής είναι ότι απαιτείται μάσκα καθαρισμού (clean-up mask) για την
απομάκρυνση πτερυγίων που δημιουργήθηκαν σε μέρη που δεν ήταν σχεδιασμένο να γίνει αυτό.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
22
1. 5. Tunnel FET
Η βασική λειτουργία ενός FET σήραγγας φαίνεται στο σχήμα. Όταν το φράγμα Εg μεταξύ της ζώνης
αγωγιμότητας και σθένους που ελέγχονται από την πύλη είναι αρκετά λεπτό, τα ηλεκτρόνια μπορούν
να ρέουν μεταξύ πηγής S καναλιού και απαγωγού D λόγο του φαινομένου σήραγγας, επιτρέποντας
ανάστροφες κλίσεις κάτω από 60 mV / dec, το οποίο είναι το όριο των CMOS στα 300οK. Αυτή η
συμπεριφορά έχει μεγάλο ενδιαφέρον για πολύ χαμηλής τάσης κατανάλωσης κυκλώματα που
αποτελούν τη μεγαλύτερη πρόκληση για τις μελλοντικές γενιές των νανοηλεκτρονικών συσκευών.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
23
1. 5. Tunnel FET
(a) TFET SOI characteristics Id (Vg) of Lg = 100nm in p (left) and n (right) operation, with a
silicon thickness tsi = 20nm showing a slope S of 42mV / dec; (b) ON current of n and p type
TFETs with Lg = 400nm for SOI, SiGe / OI channels with different percentages of Ge, and GeOI
(TGe = 60nm)
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
24
1. 6. Si nano wire FET
Λόγο της αδυναμίας ελέγχου των ρευμάτων διαρροής κατά τη σμίκρυνση των διαστάσεων των FET
οδηγούμαστε στη χρήση νάνο καλωδίων πυριτίου ως πύλες στα fet
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
25
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
26
1. 6. Si nano wire FET
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
27
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
28
1. 6. Si nano wire FET
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
29
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
30
1. 6. Si nano wire FET
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
31
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
32
2.1. Τρανζίστορ Μονού Ηλεκτρονίου , SET- Γενική περιγραφή
Όσο οι διαστάσεις των διατάξεων μειώνονται η κβαντομηχανική είναι αδύνατον να αγνοηθεί καθώς
τα ηλεκτρόνια πραγματοποιούν διέλευση διαμέσου ενός τόσο λεπτού φράγματος λόγω του
φαινομένου σήραγγας.
Εν όψει αυτών των δυσκολιών, οι επιστήμονες βρήκαν τρόπο όχι απλά να μην κρατήσουν την
κβαντομηχανική απ’ έξω αλλά να τη χρησιμοποιήσουν προς όφελός τους, κατασκευάζοντας μία
εντελώς διαφορετική διάταξη, τα τρανζίστορ μονού ηλεκτρονίου SET.
Το βασικό στοιχείο των SET είναι μία επαφή φαινομένου σήραγγας (tunnel junction) και ως εκ
τούτου, σε αντίθεση με τα MOSFET, η διέλευση των ηλεκτρονίων, λόγω του φαινομένου σήραγγας,
διαμέσου ενός φράγματος δυναμικού ελέγχει την αγωγιμότητα ρεύματος στο SET.
Αν θεωρήσουμε ένα κομμάτι αγωγού και το χωρίσουμε σε δύο μέρη εισάγοντας ένα υπέρλεπτο
διηλεκτρικό, η συνολική δομή θα συμπεριφέρεται σαν μία επαφή σήραγγας.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
33
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
34
2.1. Τρανζίστορ Μονού Ηλεκτρονίου , SET- Γενική περιγραφή
Πρέπει να σημειωθεί ότι, επειδή είναι τόσο λεπτός ο μονωτής, στην πραγματικότητα συμπεριφέρεται
σαν πυκνωτής που έχει διαρροές καθώς τα ηλεκτρόνια τον διαρρέουν λόγω του φαινομένου σήραγγας.
Η πιο βασική αρχιτεκτονική της διάταξης μονού ηλεκτρονίου (single electron device ή SED) μπορεί να
κατασκευαστεί τοποθετώντας δύο τέτοιες επαφές φαινομένου σήραγγας στη σειρά (b). Το μέρος του
αγωγού που περικλείεται από τις δύο επαφές σήραγγας, είναι γνωστό ως νησίδα (island).
Αυτή η διάταξη λέγεται SED, διότι μόνο ένα ηλεκτρόνιο μπορεί να ταξιδέψει από το ένα τερματικό
σημείο στο άλλο κάθε φορά κάτω από συγκεκριμένες προϋποθέσεις. Επομένως, στα SED, η μεταφορά
φορτίου έχει διακριτή φύση, ενώ στα MOSFET είναι συνεχόμενη. Τώρα, εάν φανταστούμε ένα
ηλεκτρόδιο πύλης, το οποίο είναι ενωμένο με μία νησίδα μέσω ενός λεπτού μη διαπερατού
διηλεκτρικού, (c), αυτή η αρχιτεκτονική των τριών τερματικών σημείων θα λειτουργήσει σαν SET. Στα
SET, το ηλεκτρόδιο της πύλης θα μπορούσε να ενωθεί με τη νησίδα με δύο τρόπους:
1. σύζευξη πυκνωτών (capacitive coupling) με το αποτέλεσμα να είναι μία διάταξη γνωστή ως C-SET
2. σύζευξη με αντίσταση (resistive coupling) με το αποτέλεσμα είναι μία διάταξη γνωστή ως R-SET.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
35
Εδώ η EC είναι η ενέργεια φόρτισης, η οποία είναι ίση με e2/C για ένα σφαιρικό αγωγό, και EK είναι η
κβαντική κινητική ενέργεια, η οποία συνήθως παραλείπεται εάν το χαρακτηριστικό μέγεθος είναι πάνω
από 1 nm. Ως εκ τούτου, σε ένα σύστημα μονού ηλεκτρονίου, τα ηλεκτρόνια χρειάζονται μία ελάχιστη
ενέργεια για να πραγματοποιήσουν φαινόμενο σήραγγας, δηλαδή να διαπεράσουν το φράγμα. Εάν το
εφαρμοζόμενο εξωτερικό δυναμικό πολώσεως δεν μπορεί να παρέχει αυτήν την ενέργεια, δεν λαμβάνει
χώρα κανένα φαινόμενο σήραγγας και η διάταξη εισέρχεται σε κατάσταση OFF.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
36
2.1. Τρανζίστορ Μονού Ηλεκτρονίου , SET- Γενική περιγραφή
Μία τέτοια κατάσταση είναι το φράγμα Coulomb. Μία περιοχή του φράγματος Coulomb στα
χαρακτηριστικά των SET είναι ανάλογη με τη βαθιά περιοχή υπό-κατωφλίου (deep sub-threshold
region) στα χαρακτηριστικά των MOSFET.
Αυτή η ελάχιστη ενέργεια που τα ηλεκτρόνια χρειάζονται για να πραγματοποιήσουν φαινόμενο
σήραγγας μπορεί επίσης να αποκτηθεί από διαθέσιμες πηγές θερμικής ενέργειας.
Έτσι, για να αποφευχθεί η πραγματοποίηση φαινομένου σήραγγας από τα ηλεκτρόνια εξαιτίας της
θερμιονικής εκπομπής, η ενέργεια φόρτισης EC της χωρητικότητας της νησίδας πρέπει να είναι αρκετά
πιο υψηλή από ότι η διαθέσιμη θερμική ενέργεια kΒΤ:
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
37
Όπου η παράμετρος β ποικίλλει ανάμεσα στο 10 για εφαρμογές μνήμης και στο 40 για λογικά
κυκλώματα. Όσον αφορά τη λειτουργία σε θερμοκρασία δωματίου (Τ=300 οΚ), προκύπτει ότι η
χωρητικότητα είναι C=0.6 aF (10-18F) για β=10 και C=0.15 aF για β=40, με αποτέλεσμα οι διάμετροι
της νησίδας θα πρέπει είναι φ=4.34 nm και φ=1 nm αντίστοιχα.
Όπως είναι φανερό μία διάταξη SET για να λειτουργήσει σε θερμοκρασία δωματίου χρειάζεται
εξαιρετικά απαιτητική τεχνολογία. Μέχρι στιγμής, η παρούσα τεχνολογία μπορεί να προσφέρει
κυκλώματα και διατάξεις SET που η θερμοκρασία λειτουργίας τους να είναι στους 40-50 οΚ το
μέγιστο. Παρ’ όλα αυτά, υπάρχουν κάποιες μη παραδοσιακές αρχιτεκτονικές μονού ηλεκτρονίου, οι
οποίες είναι γνωστές ως διατάξεις multidot, που επιδεικνύουν χαρακτηριστικά σαν των SET και δεν
χρειάζονται τόσο απαιτητική τεχνολογία, για λειτουργία σε θερμοκρασία δωματίου.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
38
2.1. Τρανζίστορ Μονού Ηλεκτρονίου , SET- Γενική περιγραφή
Το ισοδύναμο κύκλωμα ενός SET φαίνεται στο σχήμα. Σε αυτήν την εικόνα οι επαφές φαινομένου
σήραγγας παρουσιάζονται σαν ένας συνδυασμός μιας χωρητικότητας και μιας αντίστασης έτσι ώστε να
απεικονιστεί η συμπεριφορά τους που παρουσιάζει διαρροές. Οι κύριες παράμετροι της διάταξης είναι
η χωρητικότητα της πύλης CG, η χωρητικότητα CTS και η αντίσταση RTS της επαφής σήραγγας της
πηγής και η χωρητικότητα CΤD και η αντίσταση RTD της επαφής σήραγγας του αγωγού
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
39
Στο σχήμα φαίνονται οι χαρακτηριστικές του ρεύματος απαγωγού (drain) ID σε σχέση με την τάση
απαγωγού - πηγής VDS (drain-source) ενός SET (α). Η περιοχή όπου το ρεύμα του απαγωγού είναι
σχεδόν μηδενικό είναι γνωστή ως περιοχή φράγματος Coulomb.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
40
2.1. Τρανζίστορ Μονού Ηλεκτρονίου , SET- Γενική περιγραφή
Σε αντίθεση με τα CMOS, το ρεύμα του απαγωγού δεν υφίσταται κορεσμό σε υψηλά VDS. Οι
χαρακτηριστικές του ρεύματος του απαγωγού ID σε σχέση με την τάση πύλης-πηγής VGS ενός SET, (b).
Οι χαρακτηριστικές ID-VGS ενός SET είναι επίσης γνωστές σαν χαρακτηριστικές ταλάντωσης του
φράγματος Coulomb, καθώς η περιοχή φράγματος Coulomb είναι περιοδική συνάρτηση της VGS και η
περιοδικότητα δίνεται από τον όρο e/CG.
Σε αντίθεση με τα MOSFET, και οι δύο τάσεις VDS και VGS μπορούν να ελέγχουν την περιοχή
φράγματος Coulomb και όταν η VDS παίρνει μεγάλες τιμές παύει να υπάρχει περιοχή φράγματος
Coulomb στις χαρακτηριστικές του SET. Καθώς η VDS περιορίζεται από τον παράγοντα e/(CG+ CTS+
CTD), ο οποίος είναι της τάξης των 50 mV και το γεγονός ότι οι αντιστάσεις RTD και RTS, είναι της
τάξης των εκατοντάδων kΩ ή μερικών ΜΩ εξαιτίας κατάλληλων κβαντικών περιορισμών, το ρεύμα
του απαγωγού σε ένα SET είναι της τάξης των nA. Επίσης, σε αντίθεση με τα MOSFET, τα SET
έχουν δύο δυναμικά κατωφλίου, αυτό της πύλης και αυτό του απαγωγού.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
41
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
42
2.1. Τρανζίστορ Μονού Ηλεκτρονίου , SET- Γενική περιγραφή
Η σχηματική αναπαράσταση του τρανζίστορ μονού ηλεκτρονίου φαίνεται στο πιο κάτω σχήμα.
Αποτελείται από έναν ημιαγωγό, στην περίπτωση αυτή GaAs που διαχωρίζεται από τα μεταλλικά
ηλεκτρόδια με ένα μονωτή AlGaAs. Το AlGaAs εμπλουτίζεται με πυρίτιο (Si) το οποίο είναι δότης
ηλεκτρονίων. Τα ηλεκτρόνια αυτά πέφτουν μέσα στο GaAs επειδή η ενέργειά τους είναι
χαμηλότερη στο υλικό αυτό. Το απορρέον θετικό φορτίο στα άτομα του πυριτίου δημιουργεί ένα
δυναμικό που κρατάει τα ηλεκτρόνια στη διεπαφή, GaAs/AlGaAs, δημιουργώντας έτσι ένα
δυσδιάστατο αέριο ηλεκτρονίων.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
43
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
44
2.1. Τρανζίστορ Μονού Ηλεκτρονίου , SET- Γενική περιγραφή
Επίδραση της θερμοκρασίας
Τ στις χαρακτηριστικές
τάσης ρεύματος
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
45
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
46
2.1. Τρανζίστορ Μονού Ηλεκτρονίου , SET- Γενική περιγραφή
Επίδραση της VGS στις χαρακτηριστικές τάσης ρεύματος για σταθερό Τ
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
47
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
48
3. Επαφή Josephson –Φαινόμενα - Εφαρμογές
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
49
3.1. Υπεραγωγιμότητα
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
50
3.1. Υπεραγωγιμότητα
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
51
Τα ηλεκτρόνια φαίνονται σα να είναι “δεμένα” με κάποιο τρόπο και το ένα δεν αφήνει το άλλο να
“χτυπήσει” πάνω στο κρυσταλλικό πλέγμα και έτσι δεν υπάρχουν σκεδάσεις, άρα μηδενίζεται η
ωμική ηλεκτρική αντίσταση του υλικού.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
52
3.2. Ζεύγος COOPER
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
53
Αυτό είναι γνωστό σαν dc φαινόμενο Josephson και έρχεται σε αντίθεση με ότι συμβαίνει στα
κανονικά υλικά, όπου είναι απαραίτητη μια διαφορά δυναμικού για να υπάρξει ρεύμα.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
54
3.3. Φαινόμενο Josephson
Άρα το φαινόμενο Josephson είναι ένα φαινόμενο υπορεύματος, δηλαδή ρέματος που ρέει
συνεχόμενα χωρίς να έχει εφαρμοστεί κάποια τάση, σε μια διάταξη γνωστή ως επαφή Josephson.
Φαινόμενο Josephson
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
55
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
56
3.4. Επαφή Josephson
Το φαινόμενο Josephson είναι κβαντικό. Πήρε το όνομα του από τον Βρετανό φυσικό Brian
David Josephson, ο οποίος προέβλεψε το 1962 τις μαθηματικές σχέσεις για το ρεύμα και την
τάση κατά μήκους του μη-υπεραγώγιμου συνδέσμου.
Το dc φαινόμενο Josephson είχε εμφανιστεί σε πειράματα πριν το 1962 αλλά είχε αποδοθεί σε
άλλες αιτίες, όπως σε ρήγματα στο μονωτικό φράγμα μεταξύ των υπεραγωγών.
Πριν την πρόβλεψη του Josephson ήταν γνωστό ότι μόνο μη-υπεραγώγιμα ηλεκτρόνια μπορούν
να ρέουν μέσα από ένα μονωτικό φράγμα, μέσω του φαινομένου σήραγγας. Ο Josephson ήταν ο
πρώτος που προέβλεψε το φαινόμενο σήραγγας σε υπεραγώγιμα ζεύγη Cooper (Νόμπελ
Φυσικής το 1973).
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
57
Το κρίσιμο ρεύμα Ιc είναι το μέγιστο ρεύμα που μπορεί να αντέξει μία επαφή Josephson, χωρίς
να εμφανιστεί τάση. Είναι μια σημαντική παράμετρος της διάταξης και μπορεί να επηρεαστεί
από την θερμοκρασία και από ένα εφαρμοζόμενο μαγνητικό πεδίο. Η κρίσιμη τιμή είναι
χαρακτηριστική του υλικού και της γεωμετρίας της επαφής, όσο η τιμή του ρεύματος στην
επαφή είναι κάτω της κρίσιμης και υπάρχει μηδενική αντίσταση και απουσία τάσης.
Όταν το ρεύμα στην επαφή περάσει την κρίσιμη τιμή τότε εμφανίζεται τάση και δρα ως
αντιστάτης, η καμπύλη Ι – V είναι χαρακτηριστική της επαφής .
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
58
3.4. Επαφή Josephson
Όταν εφαρμόσουμε, παράλληλα προς την επιφάνεια της επαφής, ένα μικρό μαγνητικό πεδίο, η
διαφορά φάσης μεταξύ των δύο υπεραγώγιμων ηλεκτροδίων μεταβάλλεται γραμμικά κατά
μήκος μιας διεύθυνσης αντίθετης της διεύθυνσης του πεδίου. Έτσι τα «υπερρεύματα»
συμβάλλουν μεταξύ τους και εμφανίζεται ένα φαινόμενοo ανάλογο της περίθλασης Fraunhofer.
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
60
3.4. Επαφή Josephson
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
61
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
62
3.5.Κατασκευή Επαφής Josephson
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
63
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
64
3.5.Κατασκευή Επαφής Josephson
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
65
ΜΙΚΡΟ – ΝΑΝΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5Ο : Προηγμένες Μικρο και Νανο Ηλεκτρονικές Διατάξεις
66
