Αναλογικά Και Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Πετρίδης Κωνσταντίνος Ελληνικό Μεσογειακό Πανεπιστήμιο
Αναλογικά Και Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Πετρίδης Κωνσταντίνος Ελληνικό Μεσογειακό Πανεπιστήμιο
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 4
∆ρ ΠΕΤΡΙ∆ΗΣ ΚΩΝ/ΝΟΣ
Άνοδος P N Κάθοδος
Άνοδος Κάθοδος
Άνοδος Κάθοδος
Υπεύθυνοι Καθηγητές
∆ρ Πετρίδης Κων/νος
Σκουλάκης Αλέξανδρος
Χλούπης Γεώργιος
Περιέχοµενα
Θεωρητικό Μέρος
Πειραµατικό Μέρος
• Άσκηση 5 : Τρίοδος
• Άσκηση 5.1 Transistors
: επίδραση Πεδίου (JFET)
0.0 Εισαγωγή
0.1 Αγωγοί
Ο πυρήνας του ατόµου του χαλκού περιέχει 29 πρωτόνια. Όταν το άτοµο του
χαλκού είναι ηλεκτρικά ουδέτερο 29 ηλεκτρόνια περιστρέφονται γύρω από τον
πυρήνα σε διαφορετικές τροχιές.
Ο θετικός πυρήνας έλκει τα πλανητικά ηλεκτρόνια. Ο λόγος που τα ηλεκτρόνια
αυτά δεν πέφτουν πάνω στον πυρήνα του ατόµου είναι η ανάπτυξη µιας
φυγόκεντρου δύναµης λόγω της κυκλικής τους τροχιάς. Όταν ένα ηλεκτρόνιο είναι
σε σταθερή τροχιά η φυγόκεντρη δύναµη είναι ίση µε την ελκτική δύναµη από τον
πυρήνα.
Το µέτρο της φυγοκέντρου δυνάµεως είναι µικρότερο όσο η ταχύτητα του
περιστρεφόµενου ηλεκτρονίου είναι µικρότερη. Βγαίνει λοιπόν το συµπέρασµα ότι
τα ηλεκτρόνια των εξωτερικών τροχιών κινούνται µε ταχύτητες µικρότερες από
αυτά που βρίσκονται στις εσωτερικές στοιβάδες. Το εξωτερικό ηλεκτρόνιο έχει
πολύ µικρή ταχύτητα και σχεδόν δεν έλκεται από τον πυρήνα.
6
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
Στην Ηλεκτρονική όλο το ενδιαφέρον εστιάζεται στην εξωτερική τροχιά των
ατόµων η οποία καλείται στοιβάδα σθένους. Η στοιβάδα αυτή καθορίζει τις
ηλεκτρικές ιδιότητες του ατόµου. Πολλές φορές για να τονίσουµε την
σπουδαιότητα της στοιβάδας αυτής θεωρούµε ως πυρήνα τον πυρήνα και όλα τα
ηλεκτρόνια των εσωτερικών στοιβάδων. Για παράδειγµα στην εικόνα της ατοµικής
δοµής του ατόµου του χαλκού ως πυρήνας µπορεί να θεωρηθούν τα νουκλεόνια
(πρωτόνια και νετρόνια) (+29) και όλα τα ηλεκτρόνια των εσωτερικών στοιβάδων
(-28). Το σχήµα 1(β) µπορεί να βοηθήσει στην εικόνα αυτή του πυρήνα και της
στοιβάδας σθένους του ατόµου του χαλκού.
Εφόσον το ηλεκτρόνιο σθένους είναι σε µια µεγάλη τροχιά γύρω από τον πυρήνα η
ελκτική δύναµη που αισθάνεται το εξωτερικό ηλεκτρόνιο είναι πολύ ασθενής.
Λόγω ότι η ελκτική δύναµη µεταξύ του πυρήνα και του ηλεκτρονίου της
εξωτερικής στοιβάδας είναι ασθενής µια εξωτερική δύναµη µπορεί εύκολα να το
αποσπάσει από το άτοµο του χαλκού. Για αυτό το λόγο ονοµάζουµε το εξωτερικό
ηλεκτρόνιο ελεύθερο ηλεκτρόνιο. Αυτός είναι και ο λόγος που ο χαλκός είναι καλός
αγωγός του ηλεκτρισµού. Ακόµη και η πιο µικρή τάση προκαλεί ροή των
ελευθέρων ηλεκτρονίων από το ένα άτοµο στο άλλο. Όλοι οι αγωγοί έχουν
παρόµοια ατοµική δοµή µε αυτή του χαλκού.
0.2 Ηµιαγωγοί
Όπως είδαµε παραπάνω οι καλοί αγωγοί έχουν ένα ηλεκτρόνιο σθένους ενώ
οι καλοί µονωτές έχουν οκτώ ηλεκτρόνια σθένους. Ένας ηµιαγωγός είναι ένα
στοιχείο µε ηλεκτρικές ιδιότητες µεταξύ εκείνων ενός αγωγού και εκείνων ενός
µονωτή. Οι πιο καλοί ηµιαγωγοί έχουν τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους. Η ατοµική δοµή
του πυριτίου, καλό ηµιαγωγικό στοιχείο, απεικονίζεται στο σχήµα 2 (Ηλεκτρονική
Malvino-6η Έκδοση).
7
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
Si
Si Si
Si
Si
Σχήµα 3: ∆ιάταξη ατόµων πυριτίου σε ένα κρύσταλλο του στοιχείου αυτού (∆ιαδίκτυο)
8
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
ενεργειακή στάθµη. Σε αυτή την ανώτερη τροχιά το ηλεκτρόνιο είναι γνωστό ως
ελεύθερο ηλεκτρόνιο. Το κενό στην στοιβάδα σθένους ονοµάζεται οπή. Η οπή
συµπεριφέρεται σαν θετικό φορτίο επειδή έλκει και συλλαµβάνει οποιοδήποτε
ηλεκτρόνιο βρεθεί κοντά της. Η ύπαρξη οπών είναι η κρίσιµη διαφορά µεταξύ των
αγωγών και των ηµιαγωγών.
Σε θερµοκρασία δωµατίου, λόγω της θερµικής τους ενέργειας παράγονται
µερικές οπές και ελεύθερα ηλεκτρόνια. Για να αυξήσουµε την παραγωγή/
συγκέντρωση των οπών και των ελευθέρων ηλεκτρονίων πρέπει να γίνει προσθήκη
προσµίξεων.
Τα ελεύθερα ηλεκτρόνια κινούνται τυχαία µέσα στον κρύσταλλο.
Σποραδικά ένα ελεύθερο ηλεκτρόνιο πλησιάζει µια οπή, έλκεται από αυτή και πέφτει
µέσα της. Αυτή η διεργασία ονοµάζεται επανασύζευξη. Το χρονικό διάστηµα µεταξύ
της δηµιουργίας ενός ελευθέρου ηλεκτρονίου και της εξαφάνισης του καλείται
χρόνος ζωής του ελευθέρου ηλεκτρονίου. Κυµαίνεται µεταξύ µερικών ns ως µερικών
µs. Ο χρόνος ζωής εξαρτάται από το είδος του κρυστάλλου.
Ενδογενής ηµιαγωγός είναι αυτός που αποτελείται από το ίδιο είδος ατόµων. Ο
ενδογενής ηµιαγωγός συµπεριφέρεται σαν µονωτής σε θερµοκρασία δωµατίου.
Η κίνηση ενός ελευθέρου ηλεκτρονίου και µιας οπής µέσα σε ένα ηµιαγωγό
είναι αντίθετες.
Το ρεύµα σε ένα ηµιαγωγό είναι 2 τύπων: το ρεύµα λόγω της ροής των
ελευθέρων ηλεκτρονίων προς την µια διεύθυνση και το ρεύµα λόγω της ροής των
οπών προς την αντίθετη διεύθυνση.
9
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
(τετρασθενές άτοµο), πεντασθενές άτοµο (π.χ. αρσενικό, αντιµόνιο, φώσφορος).
Επειδή τα στοιχεία αυτά έχουν στη εξωτερική τους στοιβάδα ένα ηλεκτρόνιο
παραπάνω αναφέρονται σαν δότες. Το extra ηλεκτρόνιο συµπεριφέρεται σαν
ελεύθερο ηλεκτρόνιο.
Οµοίως για να αυξήσουµε τον αριθµό των οπών χρησιµοποιούµε για πρόσµειξη
ένα τρισθενές άτοµο (π.χ. βόριο, αργίλιο) µε την προϋπόθεση ότι το host άτοµο είναι
το πυρίτιο όπως και προηγουµένως. Εφόσον τώρα το τρισθενές άτοµο της πρόσµιξης
αρχικά έχει µόνο τρία ηλεκτρόνια σθένους και κάθε γειτονικό άτοµο πυριτίου
συνεισφέρει ένα ηλεκτρόνιο, µόνο επτά ηλεκτρόνια βρίσκονται στην στοιβάδα
σθένους. Αυτό σηµαίνει ότι υπάρχει µια οπή στην στοιβάδα σθένους κάθε τρισθενούς
ατόµου. Ένα τρισθενές άτοµο ονοµάζεται άτοµο-δέκτης.
Η προσθήκη προσµίξεων για την δηµιουργία extra ηλεκτρονίων ή extra οπών
απεικονίζεται στο σχήµα 4 (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση).
10
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
0.6 Τύποι Εξωγενών Ηµιαγωγών
11
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
12
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
13
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
Κάθε ζεύγος θετικού και αρνητικού ιόντος στην επαφή ονοµάζεται ηλεκτρικό
δίπολο. Η δηµιουργία ενός δίπολου σηµαίνει ότι ένα ελεύθερο ηλεκτρόνιο και µια
οπή έχουν τεθεί εκτός κίνησης. Καθώς ο αριθµός των δίπολων αυξάνει, η περιοχή
κοντά στην επαφή αδειάζει από φορείς, και για αυτό το λόγο την ονοµάζουµε περιοχή
απογύµνωσης (βλέπε σχήµα 9).
Κάθε δίπολο έχει ένα ηλεκτρικό πεδίο µεταξύ του θετικού και του αρνητικού
ιόντος. Αν επιπλέον ελεύθερα ηλεκτρόνια εισέλθουν στην περιοχή απογύµνωσης, το
ηλεκτρικό πεδίο προσπαθεί να απωθήσει τα ηλεκτρόνια αυτά πίσω στην περιοχή
τύπου n. Η ένταση του ηλεκτρικού πεδίου αυξάνεται µε τον αριθµό του
δηµιουργηµένων ηλεκτρικών δίπολων µέχρι να έρθει σε ισορροπία. Το ηλεκτρικό
αυτό πεδίο τότε σταµατά την διάχυση των ηλεκτρονίων µέσω της επαφής.
Το ηλεκτρικό πεδίο των δίπολων (δηλαδή η διαφορά δυναµικού της περιοχής
απογύµνωσης) στην ισορροπία µεταξύ των ιόντων είναι ισοδύναµο µε µια διαφορά
δυναµικού ίση µε 0.7 Volt (στους 25οC) για διόδους πυριτίου και καλείται φράγµα
δυναµικού.
Έστω ότι συνδέουµε µια dc πηγή στα άκρα µιας διόδου. Εάν ο θετικός πόλος
της πηγής είναι συνδεµένος µε το υλικό τύπου p και ο αρνητικός πόλος είναι
συνδεµένος µε το υλικό τύπου n, τότε η δίοδος λέµε ότι είναι ορθά πολωµένη. Η ορθή
πόλωση της διόδου απεικονίζεται στο σχήµα 10 (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση)
14
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
Στο σχήµα 10 η µπαταρία ωθεί τις οπές και τα ελεύθερα ηλεκτρόνια προς την
επαφή. Αν η τάση της µπαταρίας είναι µικρότερη από το φράγµα δυναµικού, τα
ελεύθερα ηλεκτρόνια δεν διαθέτουν αρκετή ενέργεια ώστε να διαπεράσουν την
περιοχή απογύµνωσης. Για αυτό το λόγο η δίοδος δεν διαρρέετε από ρεύµα.
Όταν η εξωτερική dc τάση της πηγής γίνει µεγαλύτερη από το φράγµα του δυναµικού
η µπαταρία πάλι ωθεί τις οπές και τα ελεύθερα ηλεκτρόνια προς την επαφή. Αυτή την
φορά τα ελεύθερα ηλεκτρόνια έχουν αρκετή ενέργεια για να διαπεράσουν την
περιοχή απογύµνωσης και να επανασυνδεθούν µε τις οπές. Οµοίως και οι οπές
κινούνται προς τα δεξιά µε αποτέλεσµα να επανασυνδέονται µε τα ελεύθερα
ηλεκτρόνια κοντά στην επαφή. Αφού τα ελεύθερα ηλεκτρόνια συνεχώς εισέρχονται
στο δεξί άκρο της διόδου και οι οπές συνεχώς δηµιουργούνται στο αριστερό, έχουµε
συνεχές ρεύµα διαµέσου της διόδου.
Για να κατανοήσουµε πιο καλά τις διαδικασίες που συµβαίνουν µέσα σε µια
δίοδο ας ακολουθήσουµε ένα ελεύθερο ηλεκτρόνιο σε ένα κύκλωµα µιας ορθά
πολωµένης διόδου. Αφού το ελεύθερο ηλεκτρόνιο αποµακρυνθεί από τον αρνητικό
πόλο της πηγής εισέρχεται στο δεξί άκρο της διόδου. Αυτό διασχίζει την περιοχή n
µέχρι να φθάσει στην επαφή. Όταν η εξωτερική τάση της πηγής είναι µεγαλύτερη από
0.7 Volt το ελεύθερο ηλεκτρόνιο θα διαπεράσει την περιοχή απογύµνωσης και θα
εισέλθει στην περιοχή του υλικού τύπου p. Στην περιοχή αυτή θα επανασυνδεθεί µε
µια οπή και θα γίνει ηλεκτρόνιο σθένους. Το τελευταίο θα προχωρήσει, περνώντας
από την µια οπή στην άλλη, προς τον θετικό πόλο της dc πηγής και έτσι να
δηµιουργήσει µια νέα οπή και η διαδικασία ξαναρχίζει. Αφού υπάρχουν
δισεκατοµµύρια ηλεκτρονίων που κάνουν την ίδια διαδροµή παίρνουµε συνεχές
ρεύµα διαµέσου της διόδου.
15
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
16
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
Γενικά αυτό που πρέπει να θυµόµαστε είναι ότι το ανάστροφο ρεύµα (ρεύµα
κόρου µαζί µε το ρεύµα επιφανειακής διαρροής) είναι πολύ µικρό για να το λάβουµε
υπόψη µας.
Λόγω της ελκτικής δύναµης του πυρήνα προς το ηλεκτρόνιο, για την
πρόσκαιρη µετακίνηση του τελευταίου σε µια ανώτερη ενεργειακή στάθµη απαιτείται
επιπλέον ενέργεια. Η επιπλέον ενέργεια µπορεί να προέρθει µέσω µεταφοράς
θερµότητας, µέσω ακτινοβολίας κατάλληλου µήκους κύµατος, µέσω τάσης.
17
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
Όσο υψηλότερα είναι ένα ηλεκτρόνιο τόσο µεγαλύτερη η δυναµική του ενέργεια.
Όταν επιστρέψει στην αρχική του κατάσταση θα αποδώσει την επιπλέον ενέργεια µε
την µορφή θερµότητας, φωτός ή άλλης ακτινοβολίας.
Όταν ένα άτοµο πυριτίου είναι αποµονωµένο η τροχιά κάθε ηλεκτρονίου
εξαρτάται µόνο από τα φορτία του αποµονωµένου ατόµου (δες σχήµα 12).
Όταν όµως έχουµε ένα κρύσταλλο πυριτίου οι τροχιές του ηλεκτρονίου επηρεάζονται
από τα φορτία πολλών ατόµων πυριτίου. Αφού κάθε ηλεκτρόνιο έχει µοναδική θέση
στον κρύσταλλο, δεν υπάρχουν δυο ηλεκτρόνια που να δέχονται την ίδια επίδραση
από τα περιβάλλοντα φορτία. Για το λόγο αυτό το ενεργειακό επίπεδο άρα και η
τροχιά κάθε ηλεκτρονίου είναι διαφορετική από οποιοδήποτε άλλο.
Το σχήµα 13 (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση) απεικονίζει το τι συµβαίνει
στα ενεργειακά επίπεδα ενός κρυστάλλου. Στην πρώτη, δεύτερη στοιβάδα βρίσκονται
τα περισσότερα ηλεκτρόνια. Λόγω του ότι δυο ηλεκτρόνια δεν βρίσκονται ποτέ στην
ίδια θέση, οι ενεργειακές στάθµες όλων αυτών των ηλεκτρονίων θα είναι πολύ κοντά
η µία στην άλλη µε αποτέλεσµα να δηµιουργούνται ζώνες ενεργειακών σταθµών.
18
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
την ύπαρξη λίγων ηλεκτρονίων στην ζώνη αγωγιµότητας και οπών στην ζώνη
σθένους.
Οι ενεργειακές ζώνες ενός ηµιαγωγού τύπου n και ενός τύπου p
απεικονίζονται στο σχήµα 14 (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση).
19
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
20
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
δηµιουργείται στην περιοχή απογύµνωσης τα εµποδίζει να κινηθούν προς την περιοχή
αυτή. Στο σηµείο αυτό τα ηλεκτρόνια της περιοχής n δεν έχουν αρκετή ενέργεια για
να κινηθούν προς την p περιοχή. Η διάχυση των ηλεκτρονίων της n περιοχής προς
την p περιοχή επιφέρει κάποιες αλλαγές στις ενεργειακές στάθµες των 2 περιοχών
όπως επίσης και στις ακτίνες των τροχιών των ηλεκτρονίων των ατόµων των
ηµιαγωγών στις περιοχές p και n. Οι αλλαγές αυτές απεικονίζονται στο σχήµα 17
(Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση)
Σχήµα 17: Αλλαγές στις ηλεκτρονικές ενεργειακές στάθµες µιας επαφής pn υπό ορθή πόλωση
Από το παραπάνω σχήµα φαίνεται ότι για ένα ηλεκτρόνιο που προσπαθεί να διαχυθεί
στα άκρα της επαφής, η διαδροµή που πρέπει να διασχίσει είναι να ανέβει σε ένα
λόφο, ένα ενεργειακό λόφο. Το ηλεκτρόνιο πρέπει να δεχθεί extra ενέργεια από µια
εξωτερική πηγή τάσης για να συνεχίσει την κίνηση του προς την p περιοχή.
Η ορθή πόλωση χαµηλώνει τον ενεργειακό λόφο. Η εξωτερική πηγή τάσης
ανυψώνει την ενεργειακή στάθµη των ηλεκτρονίων στην περιοχή n µε αποτέλεσµα να
µπορούν να εισέλθουν στην περιοχή p.
Μόλις το ελεύθερο ηλεκτρόνιο της περιοχής n εισέλθει στην περιοχή p
επανασυνδέεται µε µια οπή κι µετατρέπεται σε ηλεκτρόνιο σθένους. Το οποίο
συνεχίζει την διαδροµή του προς τα αριστερά του κρυστάλλου. Με αυτό τον τρόπο
21
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
έχουµε µια συνεχή ροή ηλεκτρονίων µέσω της διόδου. Αυτά όλα εικονίζονται στο
παρακάτω σχήµα (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση).
∆V
= −2mV / oC
∆T
0.13 Η ∆ίοδος
22
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
Όταν η τάση στα άκρα της διόδου είναι µικρότερη από το φράγµα δυναµικού τότε η
δίοδος δεν άγει. Εάν είναι µεγαλύτερη τότε το ρεύµα της διόδου αυξάνει γρήγορα.
Το σχήµα 19 απεικονίζει το κυκλωµατικό σύµβολο της διόδου. Η πλευρά p
ονοµάζεται άνοδος ενώ η πλευρά n ονοµάζεται κάθοδος.
Άνοδος P N Κάθοδος
Άνοδος Κάθοδος
Άνοδος Κάθοδος
Σχήµα 19: Κυκλωµατικό σύµβολο µιας επαφής pn
23
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
Σχήµα 21: Γραφική παράσταση του ρεύµατος ΙD µιας διόδου προς την τάση VD στα άκρα της
Στην ορθή περιοχή η τάση στην οποία το ρεύµα αρχίζει να αυξάνεται γρήγορα
ονοµάζεται τάση καµπής της διόδου. Η τάση καµπής είναι ίση µε το φράγµα
δυναµικού (π.χ. για το πυρίτιο ~ 0.7 Volt).
Αν το ρεύµα σε µια δίοδο είναι πολύ µεγάλο, η υπερβολική θερµότητα θα
καταστρέψει τη δίοδο. Το µέγιστο ορθό ρεύµα είναι από τα µεγέθη που δίνονται σε
στο φυλλάδιο προδιαγραφών της διόδου.
Η κατανάλωση ισχύος πάνω σε µια δίοδο που είναι ορθά πολωµένη δίνεται
από την παρακάτω σχέση:
PD = I DVD
Μια ιδανική δίοδος ανόρθωσης όπως τονίστηκε προηγουµένως άγει κατά την
ορθή πόλωση όταν VD > 0.7V, και άγει ελάχιστα κατά την ανάστροφη πόλωση. Η
προσοµοίωση της διόδου σαν κλειστός διακόπτης ή βραχυκύκλωµα (στην περίπτωση
που άγει) είτε ως ανοικτός διακόπτης ή άπειρη αντίσταση (όταν δεν άγει)
απεικονίζεται στο σχήµα 22 (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση).
24
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
Σχήµα 22: Προσοµοίωση της διόδου ως ανοικτός διακόπτης (ανάστροφη πόλωση) και σαν κλειστός
διακόπτης (ορθή πόλωση)
Η κατασκευή της γραµµής φορτίου µας βοηθά στην εύρεση των ακριβών τιµών
του ρεύµατος και της τάσης στα άκρα µιας διόδου.
Στο κύκλωµα του σχήµατος 23 (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση) το ρεύµα ID το
VS −VD
οποίο διαρρέει την αντίσταση RS είναι ίσο µε : I D = .
RS
Σχήµα 23
25
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
Στο σχήµα 24 (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση) απεικονίζεται η ευθεία
φορτίου και η καµπύλη µιας ορθά πολωµένης διόδου. Το σηµείο τοµής είναι γνωστό
ως σηµείο Q ;ή σηµείο λειτουργίας.
26
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
1. Το ηλεκτρόνιο σθένους ενός ατόµου χαλκού τι είδους έλξη υφίσταται από τον
πυρήνα;
(α) Χαλκός (β) Γερµάνιο (γ) Πυρίτιο (δ) Κανένα από τα παραπάνω
6. Το χρονικό διάστηµα µεταξύ της δηµιουργίας µιας οπής και της εξαφάνισης της
καλείται
27
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
7. Πόσους τύπους ροής έχει ένας αγωγός ;
11. Η ροή των ηλεκτρονίων σθένους προς τα αριστερά σηµαίνει ότι οι οπές ρέουν προς
12. Πόσα ηλεκτρόνια έχει ένα άτοµο δότης σε έναν ηµιαγωγό πυριτίου τύπου n ;
28
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
18. Πόσο είναι το φράγµα δυναµικού µιας διόδου πυριτίου σε θερµοκρασία δωµατίου;
19. Για να παραχθεί ένα µεγάλο ρεύµα ορθής φοράς σε µια δίοδο πυριτίου, η
εφαρµοζόµενη τάση πρέπει να είναι µεγαλύτερη από
(α) Πολύ µικρό (β) Πολύ µεγάλο (γ) Μηδέν (δ) Στην περιοχή διάσπασης
21. Όταν η ανάστροφη τάση αυξάνεται από 5 εως 10 Volt η περιοχή απογύµνωσης
22. Όταν µια δίοδος είναι πολωµένη ορθά, η ανασύζευξη ελευθέρων ηλεκτρονίων και
οπών µπορεί να παράγει
23. Μια ανάστροφη τάση 20 V εφαρµόζεται στα άκρα µιας διόδου. Πόση είναι η τάση
στα άκρα της περιοχής απογύµνωσης;
29
Θεωρητικό Μέρος
Η ∆ίοδος
27. Πόση τάση (V) πρέπει να υπάρχει στα άκρα µιας διόδου πυριτίου όταν είναι ορθά
πολωµένη;
30
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
1.1 Εισαγωγή
Η κάτω περιοχή ονοµάζεται εκποµπός, η µεσαία βάση και η άνω περιοχή ονοµάζεται
συλλέκτης.
31
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
Το εικονιζόµενο transistor είναι τύπου npn µια και παρεµβάλλεται µια περιοχή p
(φορείς πλειονότητας οπές) – βάση, ανάµεσα στις δυο περιοχές τύπου n (φορείς
πλειονότητας ελεύθερα ηλεκτρόνια) –του εκποµπού και του συλλέκτη αντίστοιχα.
Υπάρχουν και transistor τύπου pnp αλλά σε αυτή την ανάλυση θα µιλάµε µόνο για
transistor τύπου npn.
Στο transistor που απεικονίζεται στο σχήµα 1 η περιοχή του εκποµπού είναι
έντονα εµπλουτισµένη, η περιοχή της βάσης είναι ελαφρώς εµπλουτισµένη ενώ στην
περιοχή του συλλέκτη η στάθµη εµπλουτισµού βρίσκεται σε ενδιάµεσο επίπεδο
συγκριτικά µε τις στάθµες εµπλουτισµού των άλλων δυο περιοχών. Από άποψη
φυσικών διαστάσεων ο συλλέκτης αποτελεί την µεγαλύτερη από τις τρεις περιοχές.
Το απεικονιζόµενο transistor έχει 2 επαφές: µια µεταξύ του εκποµπού και της
βάσης και µια άλλη µεταξύ της βάσης και του συλλέκτη. Έτσι ένα transistor µοιάζει
ότι αποτελείται από δυο διόδους. Η χαµηλότερη δίοδος ονοµάζεται δίοδος εκποµπού
βάσης, ή απλώς δίοδος εκποµπού. Η υψηλότερη δίοδος ονοµάζεται δίοδος συλλέκτη
βάσης ή δίοδος συλλέκτη.
Στο σχήµα 2 (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση), τα ελεύθερα ηλεκτρόνια στην
περιοχή n διαχέονται στα άκρα της επαφής και ανασυζευγνύονται µε τις οπές της
βάσης (περιοχή p). Σαν αποτέλεσµα της κίνησης αυτής των ελευθέρων ηλεκτρονίων
είναι η δηµιουργία 2 περιοχών απογύµνωσης όπως φαίνεται στο σχήµα 2.
Για κάθε περιοχή απογύµνωσης το φράγµα δυναµικού είναι περίπου 0.7V στους 25οC
σε ένα transistor πυριτίου.
32
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
33
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
Τα ηλεκτρόνια αυτά µπορούν να κινηθούν προς δυο κατευθύνσεις. Η µία είναι προς
τα αριστερά και µέσω της RB προς το θετικό άκρο της πηγής. Η δεύτερη είναι προς
τον συλλέκτη.
Τα περισσότερα ηλεκτρόνια θα συνεχίσουν την πορεία τους προς τον συλλέκτη. Αυτό
γιατί στην περιοχή της βάσης τα ελεύθερα ηλεκτρόνια έχουν µεγάλο χρόνο ζωής και
βρίσκονται πολύ κοντά στον συλλέκτη. Ελάχιστα µονάχα ηλεκτρόνια θα
επανενωθούν µε τις οπές της βάσης και στην συνέχεια ως ηλεκτρόνια σθένους θα
κινηθούν µέσω της αντίστασης βάσης προς την θετική πλευρά της τροφοδοσίας VBB.
Όπως απεικονίζεται στο σχήµα 5 (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση) όλα τα
ελεύθερα ηλεκτρόνια καταλήγουν στον συλλέκτη.
Μόλις τα ελεύθερα ηλεκτρόνια βρεθούν στην περιοχή του συλλέκτη υπόκεινται στην
έλξη του θετικού πόλου της πηγής πόλωσης VCC. Τα ελεύθερα ηλεκτρόνια
34
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
συνεχίζουν την πορεία τους µέσω της αντίστασης RC ώσπου να φθάσουν στο θετικό
άκρο της τάσης τροφοδοσίας του συλλέκτη.
Σχήµα 6: Τα τρία ρεύµατα που διαρρέουν ένα ορθά πολωµένο transistor κατά την συµβατική φορά και
κατά την πραγµατική φορά.
Σε ένα transistor το ρεύµα του εκποµπού είναι περίπου ίσο µε το ρεύµα του
35
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
IC
αdc =
IE
IC
βdc =
IB
Η τυπική τιµή του αdc είναι περίπου ίση από 0.95 έως 0.99. Το βdc είναι γνωστό ως
κέρδος ρεύµατος επειδή το µικρό ρεύµα βάσης δηµιουργεί ένα πολύ µεγαλύτερο
ρεύµα συλλέκτη. Για τα transistor χαµηλής ισχύος ( > 1W ), το κέρδος ρεύµατος είναι
συνήθως από 100 έως 300 ενώ για ένα transistor υψηλής ισχύος είναι ίσο από 20 έως
100.
36
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
Στο σχήµα 7 η πηγή VBB πολώνει ορθά την δίοδο εκποµπού, µε την RB να
χρησιµοποιείται σαν αντίσταση περιορισµού ρεύµατος. Μεταβάλλοντας την RB ή την
VBB µπορούµε να µεταβάλλουµε το ρεύµα βάσης. Αυτό έχει σαν επακόλουθο να
µεταβληθεί και το ρεύµα συλλέκτη. Με άλλα λόγια το ρεύµα βάσης ελέγχει το ρεύµα
συλλέκτη. Η τελευταία παρατήρηση είναι πολύ σηµαντική διότι ένα πολύ µικρό
ρεύµα (βάση) µπορεί να ελέγχει ένα µεγάλο (συλλέκτη).
Επίσης όπως φαίνεται στο ίδιο σχήµα η VCC πολώνει ανάστροφα την δίοδο συλλέκτη
µέσω της αντίστασης RC. Ο συλλέκτης πρέπει να είναι ανάστροφα πολωµένος για να
συλλέγει τα ελεύθερα ηλεκτρόνια που διαπερνούν την βάση και εκπέµπονται από τον
εκποµπό. Η ροή του ρεύµατος βάσης δηµιουργεί τάση στα άκρα της αντίστασης
βάσης RB µε την πολικότητα που παρουσιάζεται. Παροµοίως η ροή του ρεύµατος
συλλέκτη δηµιουργεί τάση στα άκρα της αντίστασης βάσης RC µε την πολικότητα
που απεικονίζεται στο σχήµα 7.
Από το κύκλωµα του σχήµατος 7 είναι εύκολο να εξαχθούν οι παρακάτω σχέσεις :
Αν εφαρµόσουµε τον νόµο του Ohm στην αντίσταση της βάσης έχουµε:
VBB -VBE
IB =
RB
Όπου το VBE = 0.7 Volt. Η γραφική παράσταση της ΙΒ µε την VBE απεικονίζεται στο σχήµα 8
η
(Ηλεκτρονική Malvino-6 Έκδοση):
37
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
Έστω ότι µεταβάλλουµε την VBB µε τέτοιο τρόπο ώστε το ρεύµα στην βάση να
πάρει την τιµή 10 µΑ. Τότε µπορούµε να µεταβάλλουµε την VCC και να µετρήσουµε
τις τιµές των ΙC και VCE. Η γραφική παράσταση του VCE vs IC είναι η παρακάτω
38
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
• Όταν VCE = 0 Volt η δίοδος συλλέκτη δεν είναι ανάστροφα πολωµένη µε
αποτέλεσµα να το ρεύµα συλλέκτη ΙC να ισούται µε µηδέν.
• Όταν η VCE αυξηθεί από το µηδέν, το ρεύµα συλλέκτη αυξάνεται απότοµα.
• Όταν η VCE φθάσει µερικά δέκατα του Volt, το ρεύµα συλλέκτη γίνεται
σχεδόν σταθερό και ισούται µε 1 mA.
Για ποιο όµως λόγο το ρεύµα του συλλέκτη παραµένει σταθερό (ενεργός περιοχή)
στην ενεργό περιοχή παρόλο που η VCE αυξάνεται; Αυτό συµβαίνει διότι το
ρεύµα συλλέκτη εξαρτάται µονάχα από τα ελεύθερα ηλεκτρόνια που εκχύνει ο
εκποµπός στην βάση. Ο αριθµός αυτός των ηλεκτρονίων εξαρτάται µόνο από το
κύκλωµα της βάσης και όχι από το κύκλωµα του συλλέκτη. Για αυτό το λόγο το
ρεύµα του συλλέκτη είναι σταθερό για µια περιοχή τάσεων της VCE ( 1V < VCE <
40V).
Στην περιοχή όπου η VCE είναι µεγαλύτερη από τα 40 Volts, η δίοδος συλλέκτη
καταρρέει και το transistor δεν λειτουργεί κανονικά. Η περιοχή αυτή ονοµάζεται
περιοχή κατάρρευσης. Αν το transistor καταρρεύσει, θα καταστραφεί.
Παράδειγµα 1
Λύση
39
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
Η τάση της πηγής της βάση είναι ίση µε 2V. Η τελευταία πολώνει ορθά την δίοδο
εκποµπού µέσω της αντίστασης περιορισµού ρεύµατος των 100 kΩ. Αφού η δίοδος
εκποµπού έχει 0.7 Volts στα άκρα της τότε η τάση στα άκρα της αντίσταση είναι ίση
µε:
VCE = VCC − I C RC
PD = VCE I C
Η ισχύς αυτή αυξάνει την θερµοκρασία επαφής της διόδου συλλέκτη. Όσο
υψηλότερη είναι η ισχύς, τόσο υψηλότερη είναι και η θερµοκρασία επαφής. Τα
transistors καίγονται όταν η θερµοκρασία επαφής είναι µεταξύ 150 και 200 οC. Η
κατανάλωση ισχύος πάνω σε ένα transistor πρέπει να είναι µικρότερη από µια
µέγιστη τιµή που αναγράφεται στο φυλλάδιο προδιαγραφών του κατασκευαστή.
Κοιτώντας την καµπύλη του σχήµατος 9 παρατηρούµε ότι το transistor έχει
τρεις περιοχές λειτουργίας.
Πρώτον υπάρχει η περιοχή που το ρεύµα του συλλέκτη είναι σταθερό ενώ η VCE
κυµαίνεται µεταξύ 1 και 40 V. Η περιοχή αυτή ονοµάζεται ενεργός περιοχή. Σε αυτήν
την περιοχή η επαφή του εκποµπού είναι ορθά πολωµένη και η επαφή του συλλέκτη
είναι ανάστροφα.
40
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
Μια άλλη περιοχή λειτουργίας είναι η περιοχή κατάρρευσης. Το transistor δεν πρέπει
να λειτουργεί στην περιοχή αυτή.
Τρίτον, υπάρχει το τµήµα ανύψωσης της καµπύλης, όπου η VCE είναι µεταξύ 0V και
µερικών δέκατων του Volt. Η περιοχή αυτή ονοµάζεται περιοχή του κόρου. Σε αυτή
την περιοχή η δίοδος συλλέκτη έχει ανεπαρκή θετική τάση ώστε να συλλέξει όλα τα
ελεύθερα ηλεκτρόνια που εκχύνονται στην βάση από τον εκποµπό. Στην περιοχή
αυτή, το ρεύµα βάσης ΙΒ είναι µεγαλύτερο από το κανονικό και το κέρδος ρεύµατος
βdc είναι µικρότερο από το κανονικό.
Στο σχήµα 10 (Ηλεκτρονική Malvino-6η Έκδοση) απεικονίζεται µια οµάδα
καµπυλών του ρεύµατος IC vs VCE για διάφορες τιµές του ρεύµατος βάσης.
Σχήµα 10: Ρεύµα συλλέκτη ως προς την τάση συλλέκτη εκποµπού για διάφορες τιµές του ρεύµατος βάσης
41
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
σήµα εξόδου.
• Περιοχές κόρου και αποκοπής : Οι περιοχές αυτές είναι χρήσιµες σε
ψηφιακά κυκλώµατα υπολογιστών. Αυτά ονοµάζονται κυκλώµατα διακοπής.
• Περιοχή κατάρρευσης: Το transistor δεν πρέπει να λειτουργεί στην περιοχή
αυτή διότι θα καταστραφεί.
Παράδειγµα 2
Λύση
42
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
Στους ακροδέκτες βάσης εκποµπού επικρατεί µια τάση ίση µε VBE = 0.7 Volt, ενώ η
δίοδος του συλλέκτη λειτουργεί σαν πηγή ρεύµατος που αντλεί το ρεύµα συλλέκτη
βdcIB µέσω της αντίστασης συλλέκτη.
α). 1 β) 3 γ) 2 δ) 4
α) Τα ελεύθερα ηλεκτρόνια.
β) Οι οπές.
γ) Τίποτα από τα δυο.
δ) Και τα δύο.
43
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
α) Πολωµένη ορθά
β) Πολωµένη ανάστροφα
γ) ∆εν άγει
δ) Λειτουργεί στην περιοχή κατάρρευσης
α) Έντονα εµπλουτισµένη
β) Ελαφρά εµπλουτισµένη
γ) Μεταλλική
δ) Εµπλουτισµένη µε ένα πεντασθενές υλικό
44
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
10. Τα περισσότερα ηλεκτρόνια που ρέουν µέσω της βάσης
α) Ρεύµα βάσης
β) Ρεύµα συλλέκτη
γ) Ρεύµα εκποµπού
δ) Τίποτα από τα παραπάνω
α) Μετρείται σε mA
β) Ισούται µε το ρεύµα βάσης δια του κέρδους ρεύµατος
γ) Είναι µικρό
δ) Ισούται περίπου µε το ρεύµα εκποµπού
14. Αν το κέρδος ρεύµατος είναι 200 και το ρεύµα συλλέκτη είναι 100
mA, το ρεύµα βάσης είναι
α) 0.5 mA
β) 2 mA
γ) 2Α
δ) 20 Α
45
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
15. Η τάση βάσης εκποµπού είναι συνήθως
α) 0 β) 0.3 V γ) 0.7V δ) 1V
46
Θεωρητικό Μέρος
∆ιπολικά Transistor
21. Σχεδιάστε ένα transistor npn παρουσιάζοντας τις περιοχές n και p. Στην
συνέχεια πολώστε το transistor κατάλληλα και πείτε πως λειτουργεί.
23. Όταν κοιτάτε ένα σχηµατικό διάγραµµα που παρουσιάζει ένα transistor npn
και ένα transistor pnp πως µπορείτε να αναγνωρίσετε κάθε είδος ;
24. Ποια είναι τα τρία ρεύµατα σε ένα transistor και ποια η σχέση µεταξύ τους;
25. Σε ένα transistor npn κατονοµάστε όλα τα ρεύµατα και δείξτε τις
κατευθύνσεις ροής.
47
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
vo
A= (2.1)
vi
AV = 20 log A (2.2)
48
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
Εκτός από την απολαβή τάσης υπάρχει και η απολαβή ή κέρδος ρεύµατος (current
gain) καθώς και η απολαβή ή κέρδος ισχύος (power gain) οι οποίες σε µονάδες dB
ορίζονται ως εξής :
Ap = Ai Av (2.5)
49
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
2.2 Τελεστικός Ενισχυτής (ΤΕ)
50
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
Μια από τις αιτίες της µεγάλης δηµοτικότητας των τελεστικών ενισχυτών
είναι η ευελιξία τους. Μπορεί κανείς να κάνει τα πάντα µε τους τελεστικούς
ενισχυτές. Τα κυκλώµατα µε τελεστικούς ενισχυτές λειτουργούν σε επίπεδα πολύ
κοντά στην προβλεπόµενη θεωρητική τους συµπεριφορά.
Το εσωτερικό κύκλωµα ενός τελεστικού ενισχυτή αποτελείται από µεγάλο
αριθµό transistor, αντιστάσεων, και µερικές φορές επίσης από ένα πυκνωτή σε µια
µάλλον πιο πολύπλοκη συνδεσµολογία. Σε αυτό το κεφάλαιο θα µελετήσουµε τον
τελεστικό σαν βασική δοµική µονάδα, και θα µελετήσουµε την συµπεριφορά του και
τις εφαρµογές του.
Όπως φαίνεται από τις παραπάνω εικόνες του τελεστικού ενισχυτή, ο
τελευταίος έχει δυο εισόδους (π.χ. για τον ΤΕ741 ακροδέκτες 2,3) και µια έξοδο( π.χ.
για τον ΤΕ741 ακροδέκτης 6). Η τροφοδοσία ενός τελεστικού ενισχυτή µπορεί να
πραγµατοποιηθεί µε την βοήθεια µιας µόνο πηγής τάσης είτε µε την βοήθεια δύο
πηγών, οπότε οι τάσεις οι οποίες τροφοδοτούν τους αντίστοιχους ακροδέκτες ( για
τον ΤΕ741 ακροδέκτες 4,7) του κυκλώµατος είναι συµµετρικές ως προς την γη του.
Επιπλέον µπορούν να υπάρχουν και άλλοι ακροδέκτες οι οποίοι επιτρέπουν την
προσπέλαση στο εσωτερικό κύκλωµα του τελεστικού ενισχυτή (π.χ. για τον ΤΕ741
ακροδέκτες 1,8).
Ο τελεστικός ενισχυτής ενισχύει και επεξεργάζεται τη διαφορά των σηµάτων
που εφαρµόζεται στις δυο εισόδους και για αυτό το λόγο λέµε ότι ο τελεστικός
ενισχυτής έχει διαφορική είσοδο (differential input). Επειδή ο τελεστικός ενισχυτής
επεξεργάζεται την διαφορά των σηµάτων στις εισόδου του ο χρήστης πρέπει να
γνωρίζει ποια είσοδος αντιστοιχεί στον αφαιρέτη και ποια στον αφαιρετέο. Για αυτό
το λόγο οι δυο είσοδοι του τελεστικού ενισχυτή ξεχωρίζουν µεταξύ τους µε τα
σύµβολα (+) που συµβολίζει την µη – αναστρέφουσα είσοδο (non inverting input) και
(-) που συµβολίζει την αναστρέφουσα είσοδο (inverting input).
Αν η µη-αναστρέφουσα είσοδος είναι πιο θετική από την αναστρέφουσα τότε
η έξοδος του ΤΕ είναι θετική. Αν συµβαίνει το αντίθετο η έξοδος είναι αρνητική.
Όταν το σήµα εξόδου παρουσιάζει διαφορά φάσης ∆φ = 0o , δηλαδή είναι
συµφασικό, µε το σήµα της µη αναστρέφουσας εισόδου ενώ παρουσιάζει διαφορά
φάσης ∆φ = 180o µε το σήµα της αναστρέφουσας είσόδου.
51
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
2.3 Ο Ιδανικός Τελεστικός Ενισχυτής
1 -
2
+
52
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
απορρίπτει πλήρως βάση της απόρριψης του κοινού σήµατος τον θόρυβο στους
ακροδέκτες εισόδου του (Γιατί;).
Το κέρδος Α που παρουσιάζει ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής ονοµάζεται
διαφορικό κέρδος ή κέρδος ανοικτού βρόχου. Η τιµή του Α είναι πολύ µεγάλη,
ιδανικά άπειρη. Για αυτό το λόγο ο τελεστικός ενισχυτής ποτέ δεν χρησιµοποιείται σε
συνδεσµολογία ανοικτού βρόχου.
Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής έχει ένα κέρδος Α που µένει σταθερό από
την συχνότητα µηδέν µέχρι την συχνότητα άπειρο. Αυτό σηµαίνει πως οι ιδανικοί
τελεστικοί ενισχυτές ενισχύουν σήµατα οποιασδήποτε συχνότητας, µε το ίδιο
κέρδος. Στην πράξη θα δούµε ότι ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα βαθυπερατό
φίλτρο.
Ο πίνακας ένα ανακεφαλαιώνει τις βασικές ιδιότητες του ιδανικού τελεστικού
ενισχυτή.
Υπάρχουν ΤΕ που έχουν αντιστάσεις εισόδου της τάξης του 1ΤΩ ήτοι 1012 Ω
(κωδικός LF351), άλλοι οι οποίοι παρέχουν στην έξοδο τους ρεύµατα της τάξης των
13 Α (κωδικός LM12), άρα η αντίσταση εξόδου τους θεωρείται αµελητέα, και άλλοι
οι οποίοι έχουν ένα µεγάλο εύρος ζώνης συχνοτήτων π.χ. 1200 MHz (κωδικός
CLC449).
53
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
Ένας αντίστοιχος πίνακας µε τον πίνακα 1 που περιέγραψε τον ιδανικό ΤΕ ,
δίνεται παρακάτω και δείχνει τα χαρακτηριστικά του πιο κοινά χρησιµοποιουµένου
ΤΕ του 741 .
54
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
Vo
AV = (2.6)
V+ −V−
όπου οι δείκτες (+) και (-) αναφέρονται στη µη αναστρέφουσα και στη αναστρέφουσα
είσοδο αντίστοιχα.
Παράδειγµα 1
Άρα η τάση στην έξοδο του ενισχυτή είναι Vo = AV ×Vi = 80000×1µV = 80mV .
Παράδειγµα 2
Λύση
55
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
Vo 4V
Av = = = 200.000
Vi 20µV
56
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
Η R2 βλέπουµε ότι κλείνει το βρόχο γύρω από τον Τ.Ε. Εκτός του ότι
προσθέσαµε την R2 γειώσαµε επίσης τον ακροδέκτη 2 και συνδέσαµε την R1 µεταξύ
του ακροδέκτη και µιας πηγής σήµατος εισόδου µε τάση V1. Την έξοδο του
κυκλώµατος την παίρνουµε από τον ακροδέκτη 3. Ο ακροδέκτης 3 είναι ένα βολικό
σηµείο να πάρουµε έξοδο επειδή το επίπεδο της σύνθετης αντίστασης είναι µηδέν. Η
συνδεσµολογία αυτή είναι γνωστή ως αναστρέφουσα συνδεσµολογία. Ο ενισχυτής
που προκύπτει αντίστοιχα ονοµάζεται αναστρέφων ενισχυτής.
Θα αναλύσουµε το κύκλωµα της αναστρέφουσας συνδεσµολογίας
προκειµένου να υπολογίσουµε το κέρδος κλειστού βρόχου G. Το G ορίζεται ως
vo
G= (2.7)
νi
Έστω ότι µετράµε µια τάση στα άκρα του ακροδέκτη εξόδου 3. Λόγω του ότι ο Τ.Ε.
θεωρείται ιδανικός το κέρδος ανοικτού βρόχου Α τείνει στο άπειρο άρα:
vo
v2 − v1 = = 0 ⇔ v2 = v1 (2.8)
A
Η (2.8) µας ενηµερώνει ότι η τάση στον αναστρέφοντα ακροδέκτη είναι ίση µε
v1 ≅ v2 . ∆ηλαδή το δυναµικό του ενός ακροδέκτη παρακολουθεί το δυναµικό του
άλλου. Το φαινόµενο αυτό είναι γνωστό ως «κατ’ ουσίαν βραχυκύκλωµα» µεταξύ
των δύο ακροδεκτών εισόδου. Το κατ’ ουσίαν βραχυκύκλωµα ισχύει για τι στάσεις
άλλα όχι για τα ρεύµατα. Εποµένως µια και ο ακροδέκτης 2 του Τ.Ε. είναι γειωµένος
τότε µέσω της (2.8) v1 = 0 V. Αναφερόµαστε στον ακροδέκτη 1 κατ’ ουσιαν γη,
δηλαδή το σηµείο που έχει µεν τάση µηδέν, αλλά δεν είναι συνδεµένο στην γη.
Στο σχήµα 6 απεικονίζονται τα ρεύµατα (πραγµατική φορά) (Μικροηλεκτρονικά
Κυκλώµατα Sedra / Smith) που διαρρέουν την αναστρέφουσα συνδεσµολογία του
σχήµατος 5.
57
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
Εάν εφαρµόσουµε τον νόµο του Ohm µπορούµε να υπολογίσουµε το ρεύµα Ι1 που
περνάει µέσα από την R1 και είναι ίσο µε
vi − v1 vi
I1 = ≅ (2.9)
R1 R1
Λόγω του ότι ο ιδανικός ΤΕ έχει άπειρη αντίσταση εισόδου το ρεύµα (2.9) δεν µπορεί
να πάει µέσα στον ΤΕ. Προφανώς λοιπόν το Ι1 πρέπει να περάσει µέσα από την R2
προς τον ακροδέκτη 3, που έχει χαµηλή αντίσταση εξόδου. Εφαρµόζοντας τον νόµο
του Ohm στην R2 µπορούµε να υπολογίσουµε την vo. Έτσι έχουµε :
v1 v R
vo = v1 − I1 R2 = 0 − R2 ⇒ o = − 2 (2.10)
R1 v1 R1
58
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
στοιχεία ακριβείας. Επίσης το κέρδος κλειστού βρόχου είναι ανεξάρτητο από το
κέρδος του ανοικτού βρόχου του ΤΕ.
Στην αναστρέφουσα συνδεσµολογία η απολαβή τάσης µπορεί να είναι µεγαλύτερη ή
µικρότερη της µονάδος. Με άλλα λόγια ο αναστρέφων ενισχυτής µπορεί να ενισχύει
το σήµα ή να εξασθενίζει το σήµα εισόδου ανάλογα µε την επιλογή των αντιστάσεων.
Επίσης η απολαβή τάσης µπορεί να γίνει και µηδέν εάν R2 = 0 Ω.
Έστω τώρα ότι ο ΤΕ που χρησιµοποιούµε σε αναστρέφουσα συνδεσµολογία
δεν είναι ιδανικός. Αυτό σηµαίνει ότι το κέρδος ανοικτού βρόχου δεν είναι άπειρο
άλλα πεπερασµένο.
Το σχήµα 7 (Μικροηλεκτρονικά Κυκλώµατα Sedra / Smith) θα µας βοηθήσει στην
ανάλυση που ακολουθεί.
vo
Αν η τάση εξόδου είναι vo, τότε η τάση µεταξύ των 2 ακροδεκτών θα είναι .
A
Εφόσον ο θετικός ακροδέκτης είναι γειωµένος το δυναµικό στον αρνητικό ακροδέκτη
v
εισόδου, σύµφωνα µε το κατ’ ουσίαν βραχυκύκλωµα θα πρέπει να είναι ίσο µε − o .
A
Το ρεύµα που διαπερνά την R1 µπορεί να υπολογιστεί από την παρακάτω σχέση
⎛ v ⎞
vi − ⎜⎜− o ⎟⎟⎟ v + vo
⎜⎝ A ⎠ i A
I1 = = (2.11)
R1 R1
59
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
⎛ vo ⎞
vo vo ⎜⎜ vi + A ⎟⎟⎟
vo = − − I1 R2 = − − ⎜⎜ ⎟ R2 (2.12)
A A ⎜⎜ R1 ⎟⎟⎟
⎜⎝ ⎠
R2
−
R1
G= (2.13)
⎛ R2 ⎞⎟
⎜⎜1 +
⎝ R1 ⎠⎟
1+
A
Από την (2.13) είναι εύκολο κανείς να δει πως καταλήγουµε στην (2.10) εάν το
κέρδος του ΤΕ είναι άπειρο. Επίσης από την σχέση (2.13) παρατηρούµε ότι για να
ελαχιστοποιήσουµε την εξάρτηση του κέρδους κλειστού βρόχου από το κέρδος
R2
ανοικτού βρόχου Α, θα πρέπει να φροντίσουµε έτσι ώστε 1 + << A .
R1
Έστω ότι ο ΤΕ έχει κέρδος ανοικτού βρόχου Α που τείνει στο άπειρο. Από το
κύκλωµα της αναστρέφουσας συνδεσµολογίας βλέπουµε ότι η αντίσταση εισόδου του
κλειστού βρόχου είναι ίση µε R1. Αυτό επίσης φαίνεται και από τον ορισµό της
αντίστασης εισόδου ( πηλίκο της τάσης η οποία εφαρµόζεται στην είσοδο προς το
vi v
ρεύµα το οποίο αυτή επάγει) οπότε Rin = = i = R1 . Συνεπώς για να
i1 vi / R1
µεγαλώσουµε την Rin πρέπει να διαλέξουµε µια µεγάλη τιµή για την R1. Ωστόσο αυτό
δεν είναι το ιδανικό µια και το κέρδος του ΤΕ δίνεται από την (2.10) όπου για µεγάλο
κέρδος πρέπει να πάρουµε µικρή R1. Μπορούµε λοιπόν να συµπεράνουµε ότι η
αναστρέφουσα συνδεσµολογία έχει εγγενές πρόβληµα χαµηλής αντίστασης εισόδου.
60
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
vo vo
v2 − v1 = = =0 (2.14)
A ∞
vi v R
vo = vi + ( ) R2 ⇔ o = 1 + 2 (2.15)
R1 vi R1
61
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
προκύπτει από την (2.15) είναι το ότι το κέρδος κλειστού βρόχου της µη
αναστρέφουσας συνδεσµολογίας είναι µεγαλύτερο ή το πολύ ίσο µε την µονάδα. Το
κέρδος θα γίνει ίσο µε την µονάδα εάν η R2 είναι πολύ µεγαλύτερη από την R1. Θα
γίνει πολύ µεγαλύτερο από την µονάδα εφόσον η R2 αποµακρυνθεί ή αποσυνδεθεί
από το κύκλωµα (R2=∞ ;ή R1 = 0). Όταν η απολαβή τάσης γίνει ίση µε την µονάδα το
κύκλωµα ονοµάζεται ακολουθητής τάσης (buffer), διότι η τάση εξόδου παρακολουθεί
συνεχώς την τάση εισόδου.
Η ιδιότητα της πολύ µεγάλης αντίστασης εισόδου είναι κάτι πολύ επιθυµητό
χαρακτηριστικό της µη αναστρέφουσας συνδεσµολογίας.
Ο µη αναστρέφων ενισχυτής έχει όλες τις ιδιότητες που οφείλονται στη µη-
αναστρέφουσα ανατροφοδότηση. Αυτό σηµαίνει:
62
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
συχνότητα κατωφλίου και εκφράζει περίπου το εύρος ζώνης της απολαβής ανοικτού
βρόχου του ΤΕ. Σε αυτήν την συχνότητα η απολαβή έχει µειωθεί στο 0.707 της
αρχικής τιµής της. Η συχνότητα για την οποία η απολαβή γίνεται ίση µε την µονάδα
συµβολίζεται µε fT. Όταν εφαρµόζεται ανατροφοδότηση η απολαβή κλειστού βρόχου
ελαττώνεται ενώ αυξάνεται η αντίστοιχη συχνότητα αποκοπής fCL. Σε κάθε
περίπτωση το γινόµενο της απολαβής επί την συχνότητα αποκοπής είναι ίσο µε fT
δηλ.
Παράδειγµα 6
Σε ένα µη αναστρέφων ενισχυτή η τάση εισόδου είναι 10 mV, ενώ R1= 9 kΩ και R2= 1
kΩ. Να υπολογιστεί η απολαβή τάσης κλειστού βρόχου και η τάση εξόδου του
κυκλώµατος.
Λύση
2. Ένας ΤΕ έχει απολαβή Αv = 100.000. Αν η τάση στην έξοδο του είναι 1V, η
τάση στην έξοδο του είναι 1 V, η τάση εισόδου του είναι
(α) 10 µV (β) 2 mV (γ) 10 mV (δ) 1 V
63
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
3. O TE 741 έχει
(α) απολαβή τάσης 100.000
(β) σύνθετη αντίσταση εισόδου 2 ΜΩ
(γ) σύνθετη αντίσταση εξόδου 75 Ω
(δ) όλα τα παραπάνω
4. Ένας ΤΕ έχει απολαβή τάσης 200.000. Αν στην είσοδο του εφαρµοστεί µια
τάση 12 µV να υπολογιστεί η τάση εξόδου
5. Τι είναι ο µη αναστρέφων ενισχυτής και ποια είναι τα χαρακτηριστικά του;
6. Τι είναι ο αναστρέφων ενισχυτής και ποια είναι τα χαρακτηριστικά του ;
7. Τι είναι το γινόµενο απολαβής τάσης επί το εύρος ζώνης και σε τι χρησιµεύει;
8. Τι είναι ο αφαιρέτης ενισχυτής και ποια τα χαρακτηριστικά του;
9. Πόσοι τύποι αρνητικής ανάδρασης χρησιµοποιούνται στους τελεστικούς
ενισχυτές
(α) ένας (β) δύο (γ) τρεις (δ) τέσσερις
64
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
13. Ο αναστρέφων ενισχυτής έχει R1 = 49.8 kΩ και R2 = 200 Ω. Αν η απολαβή
τάσης ανοικτού βρόχου είναι 20.000 να υπολογίσετε την απολαβή τάσης
κλειστού βρόχου.
16. Ένας τελεστικός ενισχυτής έχει γινόµενο απολαβής τάσης επί εύρος ζώνης 106
Hz. Αν η απολαβή τάσης κλειστού βρόχου είναι 125 να υπολογίσετε το εύρος
ζώνης του ενισχυτή.
17. Σε έναν αθροιστή ενισχυτή οι αντιστάσεις του κυκλώµατος είναι R1= 80 kΩ,
R2= 64 kΩ, R3= 20 kΩ και Rf= 400 kΩ. Αν στις εισόδους του εφαρµόζονται
τάσεις V1= 15 mV, V2= -25 mV, V3= 8 mV αντίστοιχα, να υπολογίσετε την
τάση εξόδου.
18. Σε ένα αθροιστή ενισχυτή οι αντιστάσεις του κυκλώµατος είναι R1= 40 kΩ,
R2= 64 kΩ, R3= 80 kΩ, και Rf= 400 kΩ. Αν στις εισόδους του εφαρµόζονται
τάσεις V1= 15 mV, V3= 8 mV, να υπολογίσετε την τάση, V2 ώστε η τάση
εξόδου να µηδενιστεί.
19. Σε ένα αφαιρέτη ενισχυτή οι αντιστάσεις του κυκλώµατος είναι R1= 150 kΩ
και R2= 12 kΩ. Αν στη µη αναστρέφουσα είσοδο εφαρµόζεται τάση V1= 40
mV και στην αναστρέφουσα συνδεσµολογία τάση V2= 22 mV να υπολογίσετε
την τάση στην έξοδο.
65
Θεωρητικό Μέρος
Τελεστικοί Ενισχυτές
20. Το κέρδος τάση ενός ΤΕ είναι ίσο µε µονάδα στη/στο
66
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Αναλογικό ονοµάζεται το µέγεθος που µπορεί να πάρει οποιαδήποτε τιµή σε µια συγκεκριµένη
περιοχή τιµών π.χ. η ταχύτητα ενός αυτοκινήτου.
Ψηφιακό ονοµάζεται το µέγεθος που µπορεί να πάρει διακριτές τιµές σε µια συγκεκριµένη
περιοχή τιµών.
∆υαδικό ονοµάζεται το ψηφιακό µέγεθος που µπορεί να πάρει µόνο δυο διακριτές τιµές.
Στα ψηφιακά ηλεκτρονικά υπάρχουν δυο αριθµοί το 0 και το 1 ή 2 καταστάσεις on και off ή
συνθήκες κυκλώµατος ανοικτό ή κλειστό. Οι είσοδοι και οι έξοδοι των ψηφιακών κυκλωµάτων
µπορούν να χαρακτηρισθούν από τις δυο αυτές καταστάσεις και εποµένως να παρασταθούν συµβολικά
µε µεταβλητές από γράµµατα του λατινικού αλφαβήτου A, B, C, D, Y οι οποίες λαµβάνουν δυο µόνο
λογικές τιµές την λογική τιµή 1 και την λογική τιµή 0.
Οι λογικές αυτές µεταβλητές µπορούν να συνδυασθούν µεταξύ τους και να σχηµατίσουν λογικές
συναρτήσεις. Έτσι µπορούµε να έχουµε συναρτήσεις της µορφής:
F = A + BC , G = A • B, X = A + C
Κάθε µεταβλητή στην άλγεβρα Boole έχει 2 τιµές τις 0 και 1 ή “High” και “Low” ή Ναι και
Όχι. Στην επεξεργασία των λογικών συναρτήσεων θα χρησιµοποιηθεί η θετική λογική δηλαδή:
67
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
9 Λογική Πράξη AND µε σύµβολο ( · )
9 Λογική Πράξη OR µε σύµβολο ( + )
9 Λογική Πράξη NOT µε σύµβολο ( - )
Αν παραστήσουµε το αποτέλεσµα µιας λογικής πράξης µε την µεταβλητή Y και τις µεταβλητές µε
A, B, C θα ισχύει για κάθε λογική πράξη και µια λογική συνάρτηση, όπως,
Πράξη AND Y = A• B
Πράξη OR Y = A+ B
Πράξη NOT Y=A
Πίνακας 1: Πράξεις στην άλγεβρα Boole
Ο πίνακας αληθείας είναι ένας πίνακας ο οποίος περιλαµβάνει όλες τις δυνατές καταστάσεις
των µεταβλητών µιας λογικής συνάρτησης. Π.χ. ο πίνακας αληθείας της συνάρτησης F = A + B ,
δηλαδή της πράξης OR, είναι ο ακόλουθος
Μεταβλητές Συνάρτηση
Α Β F = A+B
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
Πίνακας 2: Πίνακας αληθείας της πράξης OR
A B A B A• B A+ B A• B
0 0 1 1 0 1 1
0 1 1 0 0 1 0
1 0 0 1 0 0 0
1 1 0 0 1 1 0
Πίνακας 3
68
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Στο σχήµα 1 απεικονίζονται τα κυκλωµατικά σύµβολα των βασικών λογικών πυλών οι
συναρτήσεις τους καθώς και οι πίνακες αληθείας τους. Από τους πίνακες αληθείας χρειάζεται να
θυµόµαστε µόνο αυτούς των βασικών πυλών NOT, AND, OR, XOR.
Είσοδος Έξοδος Υ
Α Β AND OR NOT XOR
0 0 0 0 0
0 1 0 1 1
1 0 0 1 1
1 1 1 1 0
A=0 1
A=1 0
Σχήµα 1: Τα κυκλωµατικά σύµβολά των βασικών τεσσάρων πυλών, οι συναρτήσεις τους και οι πίνακες αληθείας
τους.
Πύλη AND µε NOT στην έξοδο της µας δίνει την πύλη NAND και πίνακα αληθείας
αντίστροφο από αυτόν της AND όπως φαίνεται και στον πίνακα 4. Οµοίως και για τις υπόλοιπες πύλες
που προκύπτουν µε την εισαγωγή της πύλης NOT στην έξοδο τους.
Είσοδος Έξοδος
Α Β NAND NOR XNOR
0 0 1 1 1
0 1 1 0 0
1 0 1 0 0
1 1 0 0 1
Πίνακας 4: Οι πίνακες αληθείας των λογικών πυλών που προκύπτουν µετά τον συνδυασµό τους µε την λογική πύλη NOT
Πιο αναλυτικά το τι κάνει η κάθε µία από τις λογικές πύλες αναλύεται στις παρακάτω
παραγράφους.
69
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Αν οι είσοδοι της λογικής πύλης είναι 2 και συµβολίζονται µε τα γράµµατα Α και Β, και η
έξοδος µε το γράµµα Υ, τότε η πύλη AND συµβολίζεται µε την λογική συνάρτηση
Y = A• B
A B Y = A• B
0 0 0
1 0 0
0 1 0
1 1 1
Η πύλη AND υπάρχει σε ολοκληρωµένο κύκλωµα που περιέχει 4 πύλες AND µε κωδικό
αριθµό 7408. Οι ακροδέκτες του ολοκληρωµένου αυτού κυκλώµατος απεικονίζονται στο σχήµα 3.
70
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
3.3.2 Λογική Πύλη OR
Η πύλη OR πραγµατοποιεί την λογική πρόσθεση και εκφράζεται από την λογική συνάρτηση
Y = A+ B
Ονοµάζεται πύλη OR γιατί η έξοδος Υ είναι 1 (High) όταν η είσοδος Α είναι 1 (High) ή η είσοδος Β
είναι 1 (High). Ο πίνακας αληθείας της πύλης OR είναι ο παρακάτω.
Α Β Υ
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
Η πύλη OR κατασκευάζεται υπό την µορφή του ολοκληρωµένου κυκλώµατος 7432, το οποίο
περιέχει 4 OR πύλες 2 εισόδων. Οι ακροδέκτες του ολοκληρωµένου αυτού κυκλώµατος απεικονίζεται
στο σχήµα 5.
Οµοίως όπως και στην περίπτωση του IC 7408 οι ακροδέκτες 14, 7 πρέπει να συνδεθούν µε το
τροφοδοτικό και µε την γείωση αντίστοιχα.
71
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Η λογική πύλη NOT πραγµατοποιεί την λογική πράξη της αντιστροφής και περιγράφεται από
την λογική συνάρτηση
Y=A
∆ηλώνει ότι η έξοδος είναι η αντίστροφη της εισόδου. Ο πίνακας αληθείας της είναι ο ακόλουθος.
Α Y=A
0 1
1 0
∆ηλαδή όταν η είσοδος είναι το λογικό 1 (High) η έξοδος είναι το λογικό 0 (Low) και όταν η είσοδος
είναι το λογικό 0 (LOW) η έξοδος είναι το λογικό 1 (High). Η πύλη NOT καλείται αντιστροφέας.
Το κυκλωµατικό σύµβολο της λογικής πύλης NOT απεικονίζεται στο σχήµα 6.
Η πύλη NOT αντίθετα µε τις άλλες λογικές πύλες έχει µόνο µια είσοδο και µία έξοδο.
Η πύλη NOT κατασκευάζεται υπό µορφή ολοκληρωµένου κυκλώµατος το οποίο περιέχει 6
πύλες NOT. Έχει την κωδική ονοµασία 7404 και το κύκλωµα του είναι το παρακάτω.
Χρησιµοποιώντας τις λογικές πύλες OR, AND, NOT είναι δυνατόν να υλοποιηθεί οποιαδήποτε
λογική συνάρτηση.
72
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Μια ακόµα χρήσιµη λογική πύλη είναι η NAND. Αυτή δηµιουργείται εάν συνδέσουµε σε σειρά
µια πύλη AND και µια πύλη NOT και συµβολίζεται όπως η πύλη AND µε ένα όµως κύκλο στο άκρο
της που δηλώνει άρνηση.
Ο πίνακας αληθείας της λογικής πύλης NAND αναγράφεται στον πίνακα 8 και η λογική
συνάρτηση την περιγράφει είναι
Y = A• B
Α Β Υ
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
Η πύλη NAND είναι πολύ εύχρηστη και µπορούµε να κατασκευάσουµε τις πύλες AND, OR,
NOT χρησιµοποιώντας µόνο πύλες NAND. Για τον λόγο αυτό η πύλη NAND λέγεται πύλη γενικής
χρήσης ή παγκόσµια πύλη.
73
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
3.3.5 Η λογική πύλη NOR
Η λογική πύλη NOR είναι συνδυασµός της πύλης OR και της πύλης NOT. Το σύµβολο της
είναι το ίδιο µε αυτό της OR άλλα προστίθεται ένας µικρός κύκλος που δηλώνει άρνηση. Το σύµβολο
της και η λογική της συνάρτηση απεικονίζονται στο σχήµα 9.
Σχήµα 9: Ολοκληρωµένο κύκλωµα της λογικής πύλης NOR και το κυκλωµατικό της σύµβολο (τελευταίο σχήµα)
Α Β ΟR NOR
0 0 0 1
0 1 1 0
1 0 1 0
1 1 1 0
Η έξοδος της λογικής πύλης NOR είναι High µόνο όταν όλες οι είσοδοι της είναι Low.
Η πύλη XOR είναι πύλη µε δυο εισόδους και µια έξοδο. Η έξοδος της πύλης XOR γίνεται ‘1’
µόνο στις περιπτώσεις εκείνες όπου το άθροισµα των εισόδων της είναι περιττός αριθµός. Έτσι για π.χ.
αν έχουµε Α=1 και Β=0 τότε η έξοδος Υ της XOR θα δώσει Υ=1 γιατί Α+Β=1 περιττό πλήθος ‘1’. Για
Α=1 και Β=1 θα έχουµε Υ=0 γιατί Α+Β=2 είναι άρτιος αριθµός.
Η πύλη XNOR είναι πύλη µε δυο εισόδους και µια έξοδο. Η πύλη XNOR είναι το συµπλήρωµα
(αντίθετο) της XOR. Γι’ αυτό και συµβολίζεται σαν την XOR αλλά µ’ ένα µικρό κυκλάκι στην έξοδο.
Ονοµάζεται και πύλη ισοδυναµίας γιατί η έξοδος της δίνει ‘1’ µόνο στις περιπτώσεις εκείνες όπου οι
είσοδοί της έχουν την ίδια τιµή (ισοδύναµες) π.χ. Α=0, Β=0 έξοδος Υ=1 και Α=1, Β=1 έξοδος Υ=1.
Τα κυκλωµατικά ισοδύναµα των δυο αυτών λογικών πυλών απεικονίζονται στο σχήµα 10.
74
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Σχήµα 10: (α) Η λογική πύλη XOR και (β) η λογική πύλη XNOR
Οι πίνακες αληθείας των δυο αυτών λογικών πυλών αναγράφονται στον πίνακα 10.
Πίνακας 10: Πίνακες αληθείας των λογικών πυλών XOR και XNOR
Μια άλλη ταξινόµηση των ICs είναι η ταξινόµηση τους σε οικογένειες . Με τον όρο οικογένεια
εννοούµε IC που χρησιµοποιούν την ίδια τεχνολογία και είναι έτσι κατασκευασµένα ώστε να µπορούν
75
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
να συνδεθούν απ’ ευθείας µεταξύ τους και το κύκλωµα να εργάζεται χωρίς προβλήµατα. Οι διάφορες
οικογένειες ολοκληρωµένων κυκλωµάτων είναι οι παρακάτω.
1. Η λογική πράξη………….µας πληροφορεί ότι αν και µόνο αν όλες οι είσοδοι µιας λογικής
πύλης είναι 1, η έξοδος θα είναι 1.
(α) OR (β) NAND (γ) NOR (δ) AND
2. Η λογική πράξη …………µας πληροφορεί ότι αν οποιαδήποτε από τις εισόδους της λογικής
πύλης είναι 1 τότε και η έξοδος της θα είναι 1.
(α) NOT (β) OR (γ) NOR (δ) XOR
4. Αν τα σήµατα στις εισόδους µιας λογικής πύλης είναι διαφορετικά και το άθροισµα τους είναι
περιττός αριθµός τότε η έξοδος της είναι 1. Η λογική αυτή πύλη είναι η………..
(α) AND (β) NAND (γ) NOR (δ) XNOR
76
Θεωρητικό Μέρος
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
5. Γράψτε τον πίνακα αληθείας της λογικής πύλης XNOR
6. Γράψτε τον πίνακα αληθείας των λογικών πυλών AND, OR, NOT, NAND
7. Η λογική πύλη που µας πληροφορεί ότι εάν οποιαδήποτε από τις εισόδου είναι 1, η έξοδος θα
είναι 0 είναι η
(α) NOR (β) NOT (γ) AND (δ) OR
8. Η λογική πύλη………..µας πληροφορεί ότι εάν οι είσοδοι παίρνουν τις ίδιες τιµές τότε η
έξοδος είναι 1.
(α) NXOR (β) XOR (γ) AND (δ) OR
77
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
Άσκηση 1
Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
(α) Breadboard
Όπως φαίνεται από το παραπάνω σχήµα υπάρχουν στήλες των 5 υποδοχών (holes)
πάνω και κάτω από το αυλάκι. Το κύριο χαρακτηριστικό του breadboard είναι ότι οι
πέντε υποδοχές σε κάθε στήλη είναι ηλεκτρικά συνδεδεµένες µεταξύ τους (προσοχή:
από την ίδια µεριά του αυλακιού) άλλα ταυτόχρονα είναι ηλεκτρικά µονωµένες από
κάθε άλλη υποδοχή οποιασδήποτε άλλης στήλης. Θα πρέπει να τονιστεί ότι οι
υποδοχές δυο στηλών που βρίσκονται σε διαφορετικές πλευρές ως προς το αυλάκι
είναι ηλεκτρικά µονωµένες µεταξύ τους.
. 78
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
Στο εργαστήριο χρησιµοποιούµε µια µεγαλύτερη έκδοση breadboard από την
προηγούµενη (βλέπε σχήµα 2).
Σχήµα 2
Σε αυτή την έκδοση ισχύουν ότι και για αυτή που απεικονίζεται στο σχήµα 1. Πέρα
όµως από τις βασικές στήλες που συναντήσαµε και στην µικρότερη έκδοση στο
παραπάνω breadboard υπάρχουν 5 set από υποδοχές στο πάνω και κάτω µέρος του
breadboard. Το κάθε set αποτελείτε από πέντε ξεχωριστά set των 5 υποδοχών το
καθένα, έχοντας ένα σύνολο από 25 υποδοχές. Αυτές οι 25 υποδοχές είναι ηλεκτρικά
συνδεµένες µεταξύ τους (βραχυκυκλωµένες ).
Για σωστό breadboarding πρέπει να τηρηθούν οι παρακάτω βασικοί κανόνες:
. 79
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
(β) Στρατηγική κατασκευής του ηλεκτρικού κυκλώµατος
Πριν την κατασκευή του κυκλώµατος που σας ζητείται πρέπει είναι καλό να
ρίξετε µια µατιά στους παρακάτω εµπειρικούς κανόνες.
. 80
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
• Ποτέ µην λυγίζετε τους ακροδέκτες ενός ηλεκτρικού στοιχείου κοντά στο
κύριο κορµό του : Αυτό γιατί υπάρχει ο κίνδυνος να καταστραφεί το
ηλεκτρικό στοιχείο ή ακόµα και να καταστραφούν οι ακροδέκτες του
στοιχείου (βλέπε σχήµα 3)
Σχήµα 3
• Να γνωρίζεις τον κανόνα των χρωµάτων για την εύρεση της σωστής
αντίστασης (βλέπε σχήµα 4): Πάνω στον κορµό µιας αντίστασης είναι
ζωγραφισµένες τέσσερις χρωµατιστές λωρίδες. Αυτές είναι τοποθετηµένες πιο
κοντά στο ένα άκρο παρά στο άλλο. Οι δυο πρώτες ζωγραφιστές λωρίδες,
αυτές που είναι πιο κοντά στο άκρο της αντίστασης, µας πληροφορούν για τα
δυο πιο σηµαντικά ψηφία της τιµής της αντίστασης. Η Τρίτη λωρίδα είναι
κάποια δύναµη του 10, και απλώς µας ενηµερώνει πόσα µηδενικά πρέπει να
προσθέσουµε µετά από τα κύρια ψηφία. Ο τέταρτος αριθµός µας ενηµερώνει
για την ακρίβεια της τιµής της συγκεκριµένης αντίστασης. Αν η τέταρτη
γραµµή λείπει τότε η ακρίβεια της τιµής είναι 20%. Το τι συµβολίζουν τα
διάφορα χρώµατα στις διάφορες ζώνες και ποιες είναι οι τιµές τους φαίνεται
στον παρακάτω πίνακα. Έτσι για παράδειγµα η 47 kΩ αντίσταση µε
αβεβαιότητα της τάξης του 5% είναι αυτή που πάνω της ζωγραφισµένες οι
εξής λωρίδες : κίτρινο – µωβ –πορτοκαλί – χρυσαφί.
. 81
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
. 82
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
(β) Γεννήτρια Συχνοτήτων
Υπάρχει επίσης και ένας ρυθµιστής µε την ένδειξη attenuate και µε ενδείξεις -
10 dB, -20dB, -40dB. Αυτό σηµαίνει ότι στην θέση -20 dB το σήµα της γεννήτριας
υποβιβάζεται κατά 20 dB. Το 1 dB είναι λογαριθµική µονάδα και ορίζεται σαν
. 83
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
P1
db = 10 log
P2
όπου P1, P2 είναι τα µεγέθη των ισχύων που συγκρίνονται. Συνήθως η P1 συµβολίζει
την ισχύ εξόδου και η P2 την ισχύ εισόδου ή την ισχύ αναφοράς.
Αν αντί για ισχύ διαπραγµατευόµαστε µε τάση ή ρεύµα, η σχέση σε dB πρέπει να
εκφραστεί σε σχέση µε τα µεγέθη αυτά. Τότε εφ’ όσον και οι 2 ισχύς µετρούνται στα
άκρα της ίδιας αντίστασης R, θα έχουµε
Vout I
dB = 20 log = 20 log out
Vin I in
Vout V
−10dB = 20 log ⇒ out = 10−0.5 ⇒ Vout = 0.316Vin
Vin Vin
(γ) Ο Παλµογράφος
. 84
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
• Η συχνότητα κυµατοµορφής
• Η διαφορά φάσης µεταξύ 2 κυµατοµορφών
• Το σχήµα της κυµατοµορφής
• Το πλάτος της κυµατοµορφής
Σχήµα 7: Ο παλµογράφος
. 85
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
Η θέση GRD δείχνει την στάθµη του
µηδενός.
. 86
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
Σύνδεση του παλµογράφου στο κύκλωµα
. 87
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
Εργασία
. 88
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
9. Με βάση των κανόνα των χρωµάτων για την αναγνώριση της
τιµής µια αντίστασης βρείτε τα χρώµατα που αντιστοιχούν σε
αντιστάσεις 50 Ω, 100 Ω, 470 Ω, 1kΩ. ***
13. Ποια τιµή µετρούν τα βολτόµετρα; Τη µέγιστη τιµή, την τιµή peak
– peak, ή την ενεργό τιµή;
. 89
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 1:Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου
***
Πολλές φορές πάνω στις αντιστάσεις υπάρχουν παραπάνω από 4
χρωµατιστές λωρίδες. Μπορεί να είναι 5 ή ακόµα και 6. Η παρακάτω
εικόνα µας δίνει τις απαραίτητες πληροφορίες για αυτή την περίπτωση.
. 90
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 2: Ηλεκτρονική ∆ίοδος
Άσκηση 2
Ηλεκτρονική ∆ίοδος
∆ιαδικασία – Ερωτήσεις
1. Υλοποιήστε το παρακάτω κύκλωµα (Εργαστηριακές Σηµειώσεις Αναλογικά και
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά 2001 ) µε τα στοιχεία που θα σας δοθούν και συνδέστε στα
άκρα του την πηγή συνεχούς τάσης d.c. Εφαρµόστε διάφορες τιµές τάσης VI
µετρώντας µε ηλεκτρονικό πολύµετρο κάθε φορά τις αντίστοιχες τιµές Vd και Id.
Καταγράψτε τις µετρήσεις σε ένα πίνακα (12 τιµές σύνολο). Η τιµή της τάσης V1 να
κυµαίνεται από 0 – 10 V (Οι πρώτες 5 τιµές να παρθούν µε βήµα 0.2 V). Σχεδιάστε
την γραφική παράσταση Ιd ως προς την τάση Vd. Τι παρατηρείτε στην
χαρακτηριστική της διόδου; Ποια τα συµπεράσµατα σας; Μπορεί η συµπεριφορά της
διόδου να ταυτιστεί µε αυτή της αντίστασης R που υπακούει στον νόµο του Ohm ( I
= V / R). Η αντίσταση R είναι ίση µε 1.5kΩ.
2 Το ρεύµα της διόδου που την διαρρέει κατά την ορθή φορά δίνεται από την σχέση
91
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 2: Ηλεκτρονική ∆ίοδος
⎡ VD ⎤
iD = I S ⎢ e nVT −1⎥
⎢⎣ ⎥⎦
όπου
iD είναι το ρεύµα της διόδου από την άνοδο προς την κάθοδο
VD είναι η τάση της διόδου µε την άνοδο θετική ως προς την κάθοδο
IS είναι το ρεύµα της διαρροής (ή ανάστροφο ρεύµα κόρου) τυπικά στην περιοχή από 10-6
έως 10-15 Α. Σε µια καθορισµένη θερµοκρασία το ρεύµα διαρροής ΙS παραµένει σταθερό για
δεδοµένη δίοδο. Για διόδους µικρού σήµατος η τυπική τιµή του ΙS είναι 10-9 Α.
n είναι µια εµπειρική σταθερά γνωστή ως συντελεστής εκποµπής ή συντελεστής
ιδανικότητας. Για τις διόδου πυριτίου η τυπική του τιµή είναι 1.1 < n < 1.8 .
kT
VT είναι η θερµική τάση και δίνεται από την σχέση VT = όπου k είναι η σταθερά
q
3. Η αντίσταση που παρουσιάζει η δίοδος rd είναι αντιστρόφως ανάλογη της κλίσης του
∆VD
ευθύγραµµου τµήµατος της γραφικής παράστασης Ιd – Vd (βήµα 1) ( rd = ). Επίσης
∆I D
nVT
δίνεται από την εµπειρική σχέση rd = .
ID
Υπολογίστε την αντίσταση που παρουσιάζει η δίοδος µέσω της πειραµατικής γραφικής
παράστασης του βήµατος 1. Συγκρίνετε την πειραµατική τιµή µε την εµπειρική και
αναφέρετε τα συµπεράσµατα σας.
92
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 2: Ηλεκτρονική ∆ίοδος
5. Αντικαταστήσετε στο κύκλωµα σας την πηγή συνεχούς τάσης d.c. µε µια γεννήτρια
εναλλασσόµενου σήµατος a.c. και εφαρµόστε ηµιτονικό σήµα Vi πλάτους 6 V p-p
και συχνότητας 1 KHz στα άκρα της διόδου. Συνδέστε στα άκρα της αντίστασης
παλµογράφο. Σχεδιάστε το σήµα της εισόδου και της εξόδου (αυτό στα άκρα της
αντίστασης R) (Πλάτος, Φάση, Περίοδος).
6. Αναστρέψτε την δίοδο στο κύκλωµα σας και επαναλάβετε της µετρήσεις του
βήµατος 3. Τι παρατηρείται; Γράψτε τα συµπεράσµατα και εξηγήστε την
συµπεριφορά της διόδου στο βήµα αυτό.
93
Άσκηση 3
Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode)
Εισαγωγή
Στην προηγούµενη εργαστηριακή άσκηση µελετήσαµε την δίοδο ανόρθωσης
ένα στοιχείο που σχεδιάστηκε για να λειτουργεί ως µονόδροµος αγωγός. Είδαµε ότι
µια από τις κύριες λειτουργίες της διόδου ανόρθωσης είναι η ανόρθωση του
εναλλασσόµενου ρεύµατος.
Η αγωγή του ρεύµατος προς την µια κατεύθυνση δεν είναι η µοναδική
λειτουργία που µπορεί να εκτελέσει µια δίοδος. Τα χαρακτηριστικά µιας διόδου
µπορούν να βελτιωθούν και να χρησιµοποιηθεί και σε άλλες εφαρµογές πέρα της
ανόρθωσης. Στην εργαστηριακή αυτή άσκηση θα µελετήσουµε την φωτοεκπέµπουσα
δίοδο γνωστή ως Light Emitting Diode (L.E.D.).
Θεωρία
Η Οπτοηλεκτρονική είναι ο κλάδος της Φυσικής που συνδυάζει τις επιστήµες
της Οπτικής και της Ηλεκτρονικής. Πολλά από τα στοιχεία που χρησιµοποιούνται
στην Οπτοηλεκτρονική βασίζονται στην τεχνολογία της επαφής pn. Ένα από τα
στοιχεία που χρησιµοποιείται ευρύτατα είναι φωτοεκπέµπουσα δίοδος γνωστή ως
LED. Τα LED είναι µια από τις τέσσερις βασικές πηγές µη σύµφωνου φωτός που
χρησιµοποιούνται σήµερα, οι άλλες είναι οι λάµπες πυρακτώσεως, λάµπες εκκένωσης
αερίου και λάµπες ηλεκτροφωταύγειας. Τα LED εµφανίστηκαν το 1968.
Χρησιµοποιώντας υλικά όπως το γάλλιο, φώσφορο, αρσενικό, πυρίτιο µπορούν
να κατασκευαστούν δίοδοι LED που εκπέµπουν στο κόκκινο, πράσινο, κίτρινο, µπλε,
πορτοκαλί και υπέρυθρο χρώµα. Στον πίνακα 1 περιέχονται LED διαφόρων υλικών
και επίσης αναγράφεται η φασµατική περιοχή εκποµπή τους.
94
ΥΛΙΚΟ ΜΗΚΗ ΚΥΜΑΤΟΣ (nm) ΧΡΩΜΑ
GaAs:Si 950 IR
GaAs:Zn 900 IR
GaP 690 ΚΟΚΚΙΝΟ
GaAsP 660 ΚΟΚΚΙΝΟ
GaP 590 ΚΙΤΡΙΝΟ
GaP 565 ΠΡΑΣΙΝΟ
Σχήµα 1: (α) Ενεργειακά επίπεδα επαφής pn και (β) κυκλωµατικό σύµβολο LED
(«Βασική Ηλεκτρονική» Malvino 4η έκδοση)
hc
E = hν = (2)
λ
όπου h είναι η σταθερά του Planck και είναι ίση µε 6.63 × 10-34 J sec. Η φωτεινή
ισχύς P δίνεται µέσω της (2) από
P Pλ
= (3)
E hc
Από σχέση (1) παρατηρούµε ότι η κβαντική απόδοση του LED δίνεται ως προς το
ρεύµα διόδου (Ι) σε ηλεκτρόνια, ποσότητα που εκφράζεται από τον λόγο I .
e
Εποµένως η κβαντική απόδοση µπορεί να εκφραστεί από την σχέση
Pλe
n= (4)
Ihc
όπου (e) είναι το φορτίο του ηλεκτρονίου (1.6 × 10-19 Cb) και c η ταχύτητα του φωτός
(3 × 108 m / sec). Κάνοντας τις αντικαταστάσεις των σταθερών στην (4) προκύπτει
ότι η κβαντική απόδοση του LED είναι ίση µε
(
n = 0.857 Pλ
I ) (5)
96
από την πηγή πόλωσης της διόδου. Έτσι λοιπόν τροφοδοτείται µε ηλεκτρόνια η ζώνη
αγωγιµότητας και συνεχώς αναπληρώνονται οι απώλειες των ηλεκτρονίων,
συντηρούµενης έτσι της απαιτούµενης µεταφοράς των φορτίων.
Στο σχήµα 2 απεικονίζεται η δοµή ενός LED. Στο πλάι του πλαστικού περιβλήµατος
υπάρχει ένα επίπεδο που δηλώνει την κάθοδο. Πολλές φορές βέβαια ο ακροδέκτης µε
το µικρότερο µήκος είναι αυτός που αντιστοιχεί στην κάθοδο.
Τα LED έχουν µεγάλο χρόνο ζωής και ο µόνος κίνδυνος να καταστραφούν είναι να
πολωθούν ανάστροφα. Ένα LED µπορεί να αντέξει 3 µέχρι 11 Volts ανάστροφης
πόλωσης.
Τα χαρακτηριστικά του LED είναι τα παρακάτω:
97
Στο κυκλωµατικό σύµβολο του LED τα βέλη δηλώνουν ότι η δίοδος αυτή εκπέµπει
οπτική ακτινοβολία. Οι δίοδοι έχουν αντικαταστήσει τους λαµπτήρες πυρακτώσεως
σε πολλές εφαρµογές µια και παρουσιάζουν τα παρακάτω πλεονεκτήµατα:
Η πτώση τάσης (τάση αγωγιµότητας) στα άκρα του LED είναι ανάλογη µε τον
κρύσταλλο κατασκευής. Στον πίνακα 2 απεικονίζονται οι ορθές πολώσεις κατωφλίου
που απαιτούν LED διαφορετικών κρυστάλλων.
Πίνακας 2
Από πίνακα 2 καταλαβαίνουµε ότι όλα τα LED δεν λειτουργούν εφαρµόζοντας την
ίδια τάση στα άκρα τους. Αν η εφαρµοσµένη τάση είναι µικρότερη από την τάση
αγωγιµότητας τότε το LED δεν ανάβει ενώ αν είναι µεγαλύτερη λειτουργεί κανονικά.
Επίσης στο σχήµα 3 η αντίσταση R καθορίζει το ρεύµα που θα διαπεράσει το LED.
98
Έτσι για παράδειγµα αν ένα LED έχει µια τάση αγωγιµότητας ίση µε 2 V τότε το
ρεύµα που την διαρρέει (βλέπε σχήµα 3) δίνεται από την σχέση
5− 2
I LED = (6)
R1
Αν τώρα το ρεύµα που χρειάζεται το LED για να λειτουργήσει είναι 20 mA από την
σχέση (6) επιλέγουµε την R1 έτσι ώστε να ρυθµίσουµε το ρεύµα του LED να γίνει ίσο
µε αυτή την τιµή. Λύνοντας την (6) προκύπτει ότι η επιλεγόµενη αντίσταση πρέπει να
είναι ίση µε R = 150 Ωhm.
To LED µπορεί να λειτουργήσει και σε παλµική µορφή. Στην περίπτωση αυτή ένα
LED δεν λειτουργεί µε σταθερό συνεχές ρεύµα αλλά µε σύντοµους παλµούς
ρεύµατος. Η πόλωση βέβαια του LED δεν πρέπει να πάρει τιµή µικρότερη από 0 V
για να µην καταστραφεί (βλέπε σχήµα 4). Αν τώρα η συχνότητα των παλµών είναι
µεγαλύτερη από 24 Hz το ανθρώπινο µάτι αντιλαµβάνεται το φως του LED συνεχώς
αναµµένο.
99
Σχήµα 5: Χαρακτηριστική Ρεύµατος – Τάσης για διαφορετικού τύπου LED
(« Οπτοηλεκτρονική» Α. Αλεξανδρής)
Πείραµα
Σκοπός της άσκησης είναι να µελετήσετε την δίοδο LED και τα ηλεκτρικά της
µεγέθη.
Αντικειµενικοί στόχοι του πειράµατος είναι η κατασκευή του κυκλώµατος, η
καταγραφή και αξιολόγηση των µετρήσεων και η πλήρης κατανόηση του τρόπου
λειτουργίας του LED.
Τα στοιχεία που θα χρησιµοποιήσετε είναι τα ακόλουθα:
(α) DC τροφοδοτικό
(β) Βολτόµετρο
(γ) LEDs (κόκκινο, πράσινο, κίτρινο)
(δ) Ωµική αντίσταση R = 330 Ω
Σχήµα 6
100
Εκτέλεση Εργασίας
1. Ρυθµίστε το dc τροφοδοτικό στην χαµηλότερη τάση ( 1Volt)
3. Ρυθµίστε το τροφοδοτικό έτσι ώστε το ρεύµα που διαρρέει το LED να είναι ίσο
µε 1 mA. Το ρεύµα στα άκρα του LED υπολογίζετε µέσω της σχέσης
Vdc −VLED
ID = , όπου Vdc είναι η τάση του τροφοδοτικού και VLED είναι η τάση
R
στα άκρα του LED.
5. Με τις τιµές τάσης VLED και του ρεύµατος Ιf χαράξτε την χαρακτηριστική
καµπύλη της ορθής πόλωσης της διόδους.
6. Αλλάξτε τώρα την πολικότητα του τροφοδοτικού και µεταβάλλετε την τάση από
1 – 20 V (ανάστροφη πόλωση). Τι παρατηρείτε; Ανάβει το LED και γιατί;
7. Κάντε τις ίδιες µετρήσεις διαδοχικά για το πράσινο, και το κίτρινο LED (
Βήµατα 3 – 6).
8. Σηµειώστε τα ρεύµατα και τις τάσεις που τα διάφορα LED αρχίζουν και
φωτίζουν.
Επαναληπτικές Ερωτήσεις
1. Γιατί µια δίοδος LED ακτινοβολεί;
2. Αναφέρατε τρία πλεονεκτήµατα των διόδων LED, απέναντι στις λυχνίες
πυρακτώσεως
3. Εάν το ενεργειακό χάσµα ενός ηµιαγωγού είναι 3.2 eV πόσο είναι το µήκος
κύµατος που εκπέµπεται από ένα LED κατασκευασµένο από αυτό το υλικό;
101
Άσκηση 4
∆ίοδος Zener
Θεωρητικό µέρος
Η διάσπαση σε µια δίοδο µπορεί να προκληθεί από 2 φαινόµενα: α) το φαινόµενο
της χιονοστιβάδας και β) το φαινόµενο Zener.
Θα µελετήσουµε αρχικά το φαινόµενο της χιονοστιβάδας. Όταν µια δίοδος είναι
πολωµένη ανάστροφα, και η ανάστροφη τάση είναι µικρότερη από την τάση διάσπασης,
οι φορείς µειονότητας προκαλούν ένα πολύ µικρό ανάστροφο ρεύµα. Όταν η ανάστροφη
τάση γίνει µεγαλύτερη από την τάση διάσπασης οι φορείς µειονότητας αποκτούν πολύ
µεγάλη ενέργεια και ‘ξηλώνουν’ ηλεκτρόνια σθένους τα οποία µε την σειρά τους
‘ξηλώνουν’ άλλα ηλεκτρόνια σθένους από τις κανονικές τροχιές τους (φαινόµενο
χιονοστιβάδας) µε αποτέλεσµα να προκληθεί ένα µεγάλο ανάστροφο ρεύµα.
Ένας άλλος τρόπος να διασπαστεί µια δίοδος είναι το φαινόµενο Zener. Όταν µια επαφή
είναι ανάστροφα πολωµένη τότε στα άκρα της αναπτύσσεται ένα ισχυρό ηλεκτρικό πεδίο
το οποίο µπορεί να ‘ξηλώσει’ ηλεκτρόνια σθένους από την τροχιά τους και έτσι να
προκληθεί µεγάλο ανάστροφο ρεύµα.
Για ανάστροφες τάσεις µικρότερες από 5 V η διάσπαση οφείλεται στο φαινόµενο Zener
ενώ για ανάστροφες τάσεις µεγαλύτερες από 6 V υπερισχύει το φαινόµενο της
χιονοστιβάδας. Για ανάστροφες τάσεις όπου 5 < Vreverse < 6 η διάσπαση της διόδου
οφείλεται και στα δυο φαινόµενα.
102
Το κυκλωµατικό ισοδύναµο της διόδου Ζener απεικονίζεται στο σχήµα 1. Οι
γραµµές µοιάζουν µε z για να µας θυµίζουν ότι πρόκειται για διόδους Zener.
Σχήµα 1:(α) & (β) Κυκλωµατικά σύµβολά διόδων Zener (‘Βασική Ηλεκτρονική’, Malvino 4η έκδοση)
Στο σχήµα 2 απεικονίζεται η χαρακτηριστική της διόδου Zener. Από την χαρακτηριστική
αυτή καταλαβαίνουµε ότι η δίοδος αυτή µπορεί να λειτουργήσει κάτω από ορθή άλλα
και υπό ανάστροφη πόλωση.
Η δίοδος Zener στην περιοχή της αγωγιµότητας λειτουργεί όπως µια δίοδος ανόρθωσης
ενώ στην περιοχή διάσπασης λειτουργεί ως σταθεροποιητής τάσης (βλέπε σχήµα 2). Από
σχήµα 2 παρατηρούµε ότι στην περιοχή διαρροής η Zener διαρέεται από ένα πολύ µικρό
103
ανάστροφο ρεύµα ενώ στην διάσπαση η Zener εµφανίζει ένα απότοµο γόνατο που
ακολουθείται από µια σχεδόν κατακόρυφη αύξηση του ρεύµατος. Παρατηρείται επίσης
ότι η τάση στα άκρα της Zener στην περιοχή της διάσπασης παραµένει σταθερή και ίση
µε VZ.
Η χαρακτηριστική της διόδου Zener προκύπτει µελετώντας το κύκλωµα του σχήµατος 3.
Από την λειτουργία της Zener στην περιοχή διάσπασης παρατηρείται ότι όσο και να
αυξάνει το ρεύµα η τάση στα άκρα της Zener παραµένει σταθερή. Αυτό ισχύει στην
περίπτωση της ιδανικής διόδου Zener. Στην πραγµατικότητα όµως καθώς αυξάνει το
ρεύµα που την διαρρέει αυξάνει και η τάση στα άκρα της. Αυτό σηµαίνει ότι η Zener
παρουσιάζει µια µικρή αντίσταση γνωστή ως αντίσταση Zener RZ. Στον πίνακα 1
αναγράφονται διάφοροι τύποι διόδων Zener µε τις χαρακτηριστικές τιµές τους για την
τάση Zener, την αντίσταση Zener και το µέγιστο ρεύµα που µπορεί να διέλθει µέσα από
αυτές.
104
Πίνακας 1: Χαρακτηριστικά µεγέθη διαφόρων τύπων διόδων Zener
(‘Βασική Ηλεκτρονική’, Malvino 4η έκδοση)
Μέχρι αυτό το σηµείο έχουµε αναλύσει την δίοδο Zener βασισµένοι στο
κύκλωµα του σχήµατος 3. ∆ηλαδή στα άκρα της Zener δεν έχει συνδεθεί αντίσταση
φορτίου. Στο σχήµα 4 απεικονίζεται ένας σταθεροποιητής τάσης που δεν διαφέρει από το
κύκλωµα του σχήµατος 3 παρά µονάχα στο ότι στα άκρα της διόδου Zener έχει συνδεθεί
µια αντίσταση φόρτου RL. O σταθεροποιητής τάσης είναι η βασική εφαρµογή της διόδου
Zener.
105
Αυτό που καταφέρνει το κύκλωµα του σχήµατος 4 είναι η σταθεροποίηση της dc τάσης
εξόδου Vout. Την δίοδο Zener θα την θεωρούµε ιδανική άρα στο κύκλωµα του σχήµατος
4 συµπεριφέρεται σαν µια πηγή τάσης. Έτσι η τάση στο φορτίο είναι σταθερή και ίση µε
VZ. Από ανάλυση του κυκλώµατος του σχήµατος 4 έχουµε ότι το ρεύµα που διαρρέει την
αντίσταση RS είναι:
Vin − Vout
IS = (1)
Rs
Vout V
IS = IL + IZ = + I Z ⇔ I Z = I S − out (2)
RL RL
Υπολογίζοντας λοιπόν την (1) µπορούµε να υπολογίσουµε µέσω της (2) το ρεύµα που
διαρρέει την δίοδο Zener. Το ρεύµα IZ θα πρέπει να είναι µεγαλύτερο από µηδέν για να
λειτουργεί η Zener στην περιοχή της διάσπασης. Στις περισσότερες αναλύσεις βέβαια
ισχύει ότι Vout ≈ VZ που σηµαίνει ότι η επίδραση της εσωτερικής αντίστασης της Zener
δεν επηρεάζει καθόλου την τάση εξόδου.
Μερικές φορές βέβαια πρέπει να λαµβάνεται υπόψη και η επίδραση της εσωτερικής
αντίστασης της διόδου Zener για τον υπολογισµό της τάσης εξόδου. Αυτό γίνεται µε τον
παρακάτω τρόπο. Κάθε αύξηση του ρεύµατος προκαλεί µια πρόσθετη πτώση τάσης στα
άκρα της εσωτερικής αντίστασης. Έτσι η µεταβολή της τάσης εξόδου δίνεται από την
σχέση
∆Vout = ( ∆I Z ) RZ (3)
Πειραµατικό Μέρος
Σκοπός της άσκησης αυτής είναι η εξοικείωση του φοιτητή µε την δίοδο Zener
και την εφαρµογή της ως σταθεροποιητή τάσης.
106
Θα χρειαστείτε τα παρακάτω στοιχεία, εξαρτήµατα:
(α) Βολτόµετρο
(β) DC πηγή τροφοδοσίας
(γ) ∆ίοδος Zener (1N759)
(δ) Αντιστάσεις RS = 120 Ωhm, RL = 1.0 kΩ
(β) Πολώστε αρχικά την δίοδο Zener ορθά (αντίστροφη φορά η δίοδος Zener από αυτή
που έχει στο σχήµα 5). Μεταβάλλετε την πηγή τροφοδοσίας Vs να δίνει τάσεις από 0
έως 15 Volt µε την βοήθεια του βολτόµετρου µετρήστε την τάση στα άκρα της
αντίστασης Rs. Χρησιµοποιώντας τον νόµο του Ohm υπολογίστε το ρεύµα που
διαρρέει την δίοδο Zener για κάθε τιµή της τάσης Vs. Επίσης για κάθε τιµή της τάσης
VS µε την βοήθεια του βολτόµετρου υπολογίστε την τάση στα άκρα της διόδου
Zener.
(γ) Πολώστε την δίοδο ανάστροφα (όπως δείχνει το σχήµα 5) και µεταβάλλεται την πηγή
τροφοδοσίας ώστε να δίνει τάσεις από 0 έως 15 Volts. Για κάθε τιµή της VS
υπολογίστε το ρεύµα που διαρρέει την δίοδο Zener ΙΖ. Επίσης για κάθε τιµή της
τάσης VS µε την βοήθεια του βολτόµετρου υπολογίστε την τάση VZ στα άκρα της
διόδου Zener.
107
(δ) Από τις µετρήσεις των ερωτηµάτων (β) & (γ) χαράξτε την χαρακτηριστική VZ - IZ της
διόδου Zener.
(ε) Κατασκευάστε στο breadboard το παρακάτω κύκλωµα
(ζ) Μεταβάλλεται την τάση της πηγής τροφοδοσίας VS από 0 – 15 V. Με την βοήθεια
των σχέσεων (1) και (2) και του βολτοµέτρου υπολογίστε για κάθε τιµή της VS (=
Vin) το ρεύµα που διαρρέει την Zener, την τάση στα άκρα της όπως και την τάση στα
άκρα της αντίστασης φορτίου Vout. Συµπληρώστε τον παρακάτω πίνακα
Τάση Πηγής Τροφοδοσίας Τάση στα άκρα της Zener Ρεύµα διόδου Zener (mA) Τάση Φόρτου
VS (Volts) VZ (Volts) Vout (Volts)
0
1
.
.
.
15
∆Vout
(η) Από τις µετρήσεις του παρακάτω πίνακα υπολογίστε την αντίσταση Zener ( )
∆I Z
108
Επαναληπτικές Ερωτήσεις
1. Τι ισχύει για την τάση κατάρρευσης σε µια δίοδο zener;
(α) Ελαττώνεται όσο αυξάνεται το ρεύµα
(β) Καταστρέφει την δίοδο
(γ) Ισούται µε το ρεύµα επί την αντίσταση
(δ) Είναι σχεδόν σταθερή
2. Ποιο από τα παρακάτω είναι η καλύτερη περιγραφή µιας διόδου zener;
(α) Είναι µια δίοδος ανόρθωσης
(β) Είναι µια διάταξη σταθερής – τάσης
(γ) Είναι µια διάταξη σταθερού – ρεύµατος
(δ) Λειτουργεί στην ορθή περιοχή
3. Μια δίοδος zener
(α) Είναι µια µπαταρία
(β) Έχει σταθερή τάση στην περιοχή κατάρρευσης
(γ) Έχει φράγµα δυναµικού
(δ) Είναι ορθά πολωµένη
4. Η τάση στα άκρα της διόδου zener συνήθως
(α) Είναι µικρή
(β) Είναι µεγάλη
(γ) Μετριέται σε volts
(δ) Αφαιρείται από την τάση κατάρρευσης
5. Η τάση φορτίου είναι περίπου σταθερή όταν µια δίοδος zener
(α) Είναι ορθά πολωµένη
(β) Είναι ανάστροφα πολωµένη
(γ) Λειτουργεί στην περιοχή κατάρρευσης
(δ) Είναι µη πολωµένη
6. Αν η αντίσταση φορτίου ελαττωθεί σε ένα σταθεροποιείται zener, το ρεύµα
zener
(α) Ελαττώνεται
(β) Παραµένει το ίδιο
(γ) Αυξάνεται
109
(δ) Ισούται µε την τάση της πηγής δια της αντίστασης σειράς
7. Αν η δίοδος zener συνδεθεί σε λάθος άκρο (πολικότητα), η τάση φορτίου θα
είναι κοντά στην τιµή
(α) 0.7 V (β) 14 V (γ) 10 V (δ) 18 V
8. Αν η αντίσταση φορτίου ελαττωθεί σε ένα σταθεροποιητή zener, το ρεύµα
σειράς
(α) Ελαττώνεται (β) Παραµένει το ίδιο (γ) Αυξάνεται
(δ) Ισούται µε την τάση της πηγής δια της αντίστασης σειράς
110
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 5:Τρίοδος
Άσκηση 5
Τρίοδος (TRANSISTOR)
∆ιαδικασία
1. Υλοποιήστε το παρακάτω κύκλωµα (Βασική Ηλεκτρονική Malvino 4η Έκδοση ) που
απεικονίζεται στο σχήµα 1 µε τα στοιχεία που θα σας δοθούν και συνδέστε στα άκρα
του την πηγή συνεχής τάσης d.c. Εφαρµόστε διάφορες τιµές τάσης VI µετρώντας µε
VB −VBE
ηλεκτρονικό πολύµετρο κάθε φορά τις αντίστοιχες τιµές VΒΕ και IΒ ( = ).
Re
Καταγράψτε τις µετρήσεις σε ένα πίνακα (12 τιµές σύνολο). Η τιµή της τάσης V1 να
κυµαίνεται από 0 – 10 V (Οι πρώτες 5 τιµές να παρθούν µε βήµα 0.2 V). ∆ίνονται RC
= 10 k, RE = 1 k.
Σχήµα 1
111
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 5:Τρίοδος
VI VBE VB −VBE
IB =
Volts Volts RE
3. Κατασκευάστε το κύκλωµα του σχήµατος 2. Στην συνέχεια για τιµές της τάσης
εισόδου VI από 0 – 10 Volts και ρυθµίζοντας την τάση Vcc ίση µε 12V µετρείστε τις
αντίστοιχες τιµές των (α) VCE, (β) VRc και (γ) VBE. Από τις µετρήσεις αυτές χαράξτε
την γραφική παράσταση Ic - VCE αφού πρώτα υπολογίσετε µέσω του νόµου του Ohm
το ρεύµα Ic για κάθε τιµή του VC. Οι τιµές των µετρούµενων µεγεθών καταγράφεται
στον παρακάτω πίνακα. Επιλέξτε τις αντιστάσεις RE =1k, RB =1k, Rc =10k
Σχήµα 2
112
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 5:Τρίοδος
12V −VCE
I C [ mA] =
( RC + RE )[ kΩ]
VCE IC VBE α β
Volts mA Volts
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.5
2.0
113
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 5:Τρίοδος
Σχήµα 2
5. Χαράξτε την χαρακτηριστική της διόδου ΙB = f (VBE) από τις µετρήσεις που πήρατε
στο βήµα 1 της εργαστηριακής άσκησης.
7. Χαράξτε τις χαρακτηριστικές της τριόδου Ic= f(VCE) από τις µετρήσεις που πήρατε
στο βήµα 3 της εργαστηριακής άσκησης. Ποια τα συµπεράσµατα σας;
114
Άσκηση
Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)
Θεωρητικό µέρος
Σήµερα υπάρχουν δυο είδη transistors: Τα διπολικά (βλέπε εργαστηριακή άσκηση
5) και τα transistors επίδρασης πεδίου γνωστά ως Field Effect Transistors (FET). Η
κύρια διαφορά τους εντοπίζεται στον αριθµό των διαφορετικών φορέων ρεύµατος µέσα
σε αυτά. Έτσι στα διπολικά transistor, όπως εξάλλου µαρτυρά και η ονοµασία τους, η
λειτουργία οφείλεται σε 2 είδη φορτίων τα ηλεκτρόνια και τις οπές. Από την άλλη στα
FET οι φορείς του ρεύµατος είναι µονάχα ηλεκτρόνια (FET n – καναλιού) ή οπές (FET p
– καναλιού). Συµπέρασµα: Ένα FET είναι µια µονοπολική διάταξη έχει δηλαδή φορείς
πλειονότητας και δεν έχει φορείς µειονότητας. Τα FET δεν έχουν να επιδείξουν τις
αποδόσεις των διπολικών transistors ως προς την ικανότητα ενίσχυσης ενός σήµατος.
Όπως επίσης τα FET δεν παρουσιάζουν την γραµµική συµπεριφορά των διπολικών
transistor µε αποτέλεσµα να παρουσιάζεται υψηλή αρµονική παραµόρφωση στην έξοδο
του ενισχυτή. Από την άλλη λόγω του ότι χρησιµοποιούν ένα µόνο φορέα ρεύµατος τα
κάνει, ιδιαίτερα αυτά του n – καναλιού, πολύ πιο γρήγορες διατάξεις συγκριτικά µε τα
διπολικά transistor. Για αυτό το λόγο τα JFET προτιµώνται από τα διπολικά transistor σε
εφαρµογές διακοπτών. Επίσης παρουσιάζουν και άλλα πλεονεκτήµατα σε σχέση µε τα
διπολικά transistor όπως πυκνή και εύκολή δόµηση στα ολοκληρωµένα κυκλώµατα,
πολύ µικρά ρεύµατα πόλωσης, µικρή ευαισθησία στον θόρυβο και επιπλέον λειτουργούν
καλύτερα στις υψηλές συχνότητες.
Τα FET χωρίζονται σε δυο κατηγορίες. Η 1η κατηγορία είναι αυτή των JFET
(Junction Field Effect Transistor) και η 2η κατηγορία είναι αυτή των MOSFET (metal –
102
oxide – semiconductor Field Effect Transistor). Μια και τα MOSFETs καίγονται εύκολα,
στο εργαστήριο αυτό θα ασχοληθούµε µε την µελέτη µονάχα των JFET.
Τα transistor είναι ενισχυτές σήµατος: ένα µικρό σήµα εισόδου χρησιµοποιείται
για να ελέγξει ένα µεγαλύτερο σήµα. Ένα τυπικό transistor χαρακτηρίζεται από τρείς
ακροδέκτες. Στην περίπτωση των JFETs µια εφαρµοζόµενη τάση σε έναν από τους τρείς
ακροδέκτες (ακροδέκτης πύλης (Gate)) ελέγχει το ρεύµα που διαπερνά ανάµεσα από
τους άλλους 2 ακροδέκτες, αυτούς της πηγής (Source) και του απαγωγού (Drain).
Συνήθως η τάση στον ακροδέκτη της πύλης λαµβάνεται µε σηµείο αναφοράς την τάση
στον ακροδέκτη της πηγής. Το βασικό διάγραµµα ενός JFET άλλα και οι τάσεις και τα
ρεύµατα που το διαρρέουν απεικονίζονται στο σχήµα 1.
Σχήµα 1: Οι τρείς ακροδέκτες ενός JFET (n – τύπου) και τα ρεύµατα (συµβατική φορά) που το
διαρρέουν (http://socrates.berkeley.edu)
Όπως είναι ήδη γνωστό τα ρεύµατα και οι τάσεις συµβολίζονται ως προς έναν από τους
ακροδέκτες. Έτσι για παράδειγµα η τάση VDS συµβολίζει την τάση του απαγωγού ως
προς την πηγή. Επίσης το ID συµβολίζει το ρεύµα που διαρρέει τον απαγωγό. Υπό
κανονικές συνθήκες το ρεύµα που διαρρέει την πύλη δηλαδή το IG είναι σχεδόν µηδέν.
Άρα ισχύει I S I D .
Όπως και το διπολικό transistor έτσι και το JFET για να λειτουργήσει θα πρέπει
οι ακροδέκτες του να πολωθούν µε συγκεκριµένο τρόπο. Ποιος είναι αυτός ο τρόπος
εξαρτάται από την κατασκευαστική δοµή του JFET. Υπάρχουν δυο είδη JFET: α) του n
καναλιού και β) του p καναλιού. Το είδος του καναλιού µας πληροφορεί και το είδος του
103
φορέα που οφείλει την λειτουργία του το JFET. Η δοµή ενός JFET n καναλιού
απεικονίζεται στο σχήµα 2. Στην περίπτωση αυτή o σωστός τρόπος πόλωσης είναι αυτός
που απεικονίζεται στο σχήµα 2. Γενικότερα ισχύουν οι παρακάτω κανόνες : α) Η
επαφή Πύλης – Πηγής θα πρέπει να πολωθεί ανάστροφα και β) Ο ακροδέκτης του
απαγωγού θα πρέπει να είναι σε υψηλότερο δυναµικό από αυτό της πηγής στην
περίπτωση JFET n – καναλιού. Στην περίπτωση του JFET p – καναλιού όλα τα
ρεύµατα και οι τάσεις είναι ανεστραµµένα ως προς αυτά στο JFET n – καναλιού.
Σχήµα 2: Κατασκευαστική δοµή ενός JFET και ο σωστός τρόπος πόλωσης των ακροδεκτών του
(http://www.kennethkuhn.com/students/ee351/jfet_basics.pdf)
104
Η τάση VDD (βλέπε σχήµα 2) υποχρεώνει τα ελεύθερα ηλεκτρόνια του καναλιού
(στην περίπτωση του n – JFET) να κινούνται από την πηγή στον απαγωγό.
Ο όρος επίδραση πεδίου στην ονοµασία των JFET σχετίζεται µε τα στρώµατα
απογύµνωσης γύρω από κάθε περιοχή p. Τα στρώµατα απογύµνωσης υπάρχουν επειδή
τα ελεύθερα ηλεκτρόνια του καναλιού διαχέονται προς τις περιοχές p. Η ανασύζευξη
των ελεύθερων ηλεκτρονίων και των οπών δηµιουργεί τα στρώµατα απογύµνωσης, που
παριστάνουν οι σκιασµένες περιοχές (βλέπε σχήµα 2).
Όπως µπορεί να παρατηρηθεί από το σχήµα 2 οι ακροδέκτες της πύλης και της
πηγής σχηµατίζουν µια επαφή pn δηλαδή µια δίοδο. Έτσι η αρχή λειτουργίας του JFET
µπορεί να προσοµοιωθεί από τα µοντέλα του σχήµατος 3 και 4.
Σύµφωνα µε το απλό µοντέλο του σχήµατος 3 η αντίσταση εξαρτάται από την πόλωση
της πύλης. Από την στιγµή που η δίοδος είναι ανάστροφα πολωµένη το ρεύµα της πύλης
είναι µηδαµινό και έτσι I S I D . Λόγω του µηδενικού ρεύµατος πύλης το JFET
θεωρείται ότι έχει άπειρη αντίσταση εισόδου (της τάξης των εκατοντάδων megohms). Η
άπειρη αντίσταση εισόδου αποτελεί το µεγάλο πλεονέκτηµα των JFET έναντι των
διπολικών transistor σε εφαρµογές οι οποίες απαιτούν υψηλή αντίσταση εισόδου.
Στο µοντέλο λειτουργίας του σχήµατος 4 ο ροοστάτης του σχήµατος 3 αντικαθίσταται
από µια πηγή ρεύµατος της οποίας το ρεύµα εξαρτάται από τις τάσεις VGS και VDS.
105
Σχήµα 4: Μοντέλο: Εξαρτώµενη πηγή ρεύµατος από τάση
(http://socrates.berkeley.edu)
Ισχύει ότι το ρεύµα του απαγωγού γίνεται µέγιστο (∼ 50 mA) όταν η διαφορά δυναµικού
µεταξύ πύλης και πηγής είναι ίση µε µηδέν. Όσο πιο αρνητική είναι η τάση της πύλης
VGS (θεωρώντας συνήθως ότι η πηγή είναι γειωµένη) το ρεύµα του απαγωγού µειώνεται
όπως απεικονίζεται στην χαρακτηριστική µεταφοράς του σχήµατος 5, η οποία είναι
γνωστή ως καµπύλη διαγωγιµότητας.
106
Από χαρακτηριστική µεταφοράς σχήµατος 5 παρατηρούµε ότι όταν η τάση VGS γίνει
αρνητικότερη από µια χαρακτηριστική τιµή VP γνωστή ως τάση συµπίεσης ή τάση
φραγής τότε το κανάλι µεταξύ απαγωγού και πηγής δεν διαρρέεται από ρεύµα µια και
στην περίπτωση αυτή τα 2 στρώµατα απογύµνωσης σχεδόν εφάπτονται µεταξύ τους.
Τυπική τιµή τάσης φραγής είναι τα – 4 V. Καθώς τώρα η τάση VGS παίρνει τιµές
ξεκινώντας από την VP προς την τιµή µηδέν, ρεύµα αρχίζει να διαρρέει το κανάλι µεταξύ
πηγής και απαγωγού. Από την χαρακτηριστική εξόδου που απεικονίζεται στο σχήµα 6
συµπεραίνουµε ότι το ρεύµα απαγωγού εξαρτάται και από την τάση µεταξύ
απαγωγού και πηγής.
Σχήµα 6: Το ρεύµα απαγωγού εξαρτάται επίσης από την τάση µεταξύ απαγωγού και πηγής
(http://socrates.berkeley.edu)
107
ελέγχουν το ρεύµα του απαγωγού. Αυτό που ισχύει ότι εάν η πύλη βραχυκυκλωθεί µε
την πηγή και καθώς η τάση απαγωγού αυξάνει οι περιοχές απογύµνωσης που
σχηµατίζονται εκατέρωθεν του καναλιού αγωγιµότητας (βλέπε σχήµα 2)
µεγαλώνουν και προκαλούν σταδιακό φράξιµο του. Το πλήρες φράξιµο του
καναλιού από τις περιοχές απογύµνωσης γίνεται όταν η τάση VDS πάρει την τιµή
VP, δηλαδή VDS ( off ) = −VP (τάση αποκοπής πύλης – πηγής). Αυτό έχει σαν
αποτέλεσµα το ρεύµα απαγωγού να λάβει µια σταθερή τιµή ίση µε το ΙDSAT (= ΙDSS
στην περίπτωση που VGS = 0 Volts) (βλέπε σχήµα 6). Η ποσότητα ΙDSS είναι µια πολύ
σηµαντική ποσότητα µια και µας πληροφορεί ποιο είναι το µέγιστο ρεύµα που
µπορεί να µας παρέχει το JFET. Τώρα αν η τάση VGS αρχίζει ταυτόχρονα να γίνεται
αρνητικότερη τότε θα συνεισφέρει και αυτή (µαζί µε την αύξηση της VDS) στην
διαπλάτυνση της περιοχής απογύµνωσης µε αποτέλεσµα το φράξιµο δηλαδή η
σταθεροποίηση του ρεύµατος του καναλιού να γίνει πιο γρήγορα (βλέπε σχήµα 6). Η
συµπεριφορά αυτή του JFET για την περίπτωση που η πύλη είναι γειωµένη µε την πηγή
απεικονίζεται στο σχήµα 7.
Σχήµα 7: Μεταβολές του εύρους του καναλιού αγωγιµότητας µε την αύξηση της τάσης στα άκρα του
απαγωγού. Ο ακροδέκτης της πύλης είναι γειωµένος. Στην δεξιά στήλη απεικονίζεται η µεταβολή του
ρεύµατος του απαγωγέα µε την αύξηση της τάσης του. Τέλος στο διάγραµµα (d) απεικονίζεται η επίδραση της
τάσης πύλης στο ρεύµα απαγωγού. (Semiconductor Devices by S.M. Sze).
108
Η καµπύλη διαγωγιµότητας (σχήµα 5) περιγράφεται από την παρακάτω σχέση:
2
⎛ V ⎞⎟
I D = I DSS ⎜⎜⎜1− GS ⎟⎟ (1)
⎝⎜ VGS ( off ) ⎠⎟
Λόγω της µορφής της σχέσεως (1) το JFET χαρακτηρίζεται ως διάταξη τετραγωνικού
νόµου.
Η λειτουργία ενός JFET µπορεί να χωρισθεί σε τρείς περιοχές λειτουργίας: (α)
στην ωµική περιοχή ( VDS < VP ), (β) στην γραµµική περιοχή (ενεργός περιοχή) ( VP <
VDS < VDmax ) και τέλος (γ) στην περιοχή κατάρρευσης ( VDS > VDSmax). Οι τρείς αυτές
περιοχές λειτουργίας ορίζονται όπως θα δούµε παρακάτω από την τιµή της τάσης
στα άκρα του απαγωγού σχετικά µε την τάση φραγµού VP και την τάση
κατάρρευσης VDSmax.
Σχήµα 8: Οι τρείς περιοχές λειτουργίας ενός JFET (Βασική Ηλεκτρονική, Malvino 4h έκδοση)
109
µικρότερη από την τάση φραγής VP. Στη περιοχή αυτή το JFET συµπεριφέρεται ως
VP
ωµική αντίσταση µε τιµή περίπου ίση µε, RDS = (2).
I DSS
Ενεργός περιοχή: Αυτή η περιοχή λειτουργίας βρίσκεται µέσα στα εξής όρια
τάσεων: VP ≤ VDS ≤ VDS (max) . Στην περιοχή αυτή λειτουργίας το JFET ενεργεί ως πηγή
ρεύµατος.
Περιοχή κατάρρευσης: Όταν VDS > VDS(sat).
Παρατηρούµε ότι οι τάσεις φραγής και αποκοπής πύλης – πηγής λαµβάνουν την
ίδια τιµή. Αυτό δεν µας εκπλήσσει µια και στο σηµείο αυτό τα στρώµατα απογύµνωσης
εφάπτονται µεταξύ τους. Εποµένως: VGS ( off ) = −VP
110
Σχήµα 9: (α) Κύκλωµα πόλωσης πύλης στην ενεργό περιοχή, (β) πόλωση στην ενεργό περιοχή, (γ) πόλωση
στην ωµική περιοχή και (δ) ισοδύναµο κύκλωµα (Βασική Ηλεκτρονική Malvino 6η έκδοση)
VDD
I D(sat ) = & I D(sat ) << I DSS (4)
RD
111
Προσοχή: Όπως τονίστηκε προηγουµένως λόγω της µεγάλης εξάπλωσης των τιµών των
παραµέτρων ενός JFET, η διάταξη πόλωσης της πύλης αποφεύγεται λόγω της αστάθειας
που παρουσιάζει.
Η διάταξη του σχήµατος 10 είναι µια εναλλακτική διάταξη πόλωσης ενός JFET .
Η παραπάνω διάταξη εκµεταλλεύεται την πτώση τάσης στα άκρα της αντίστασης RS
προκειµένου να δηµιουργηθεί η απαιτούµενη ανάστροφη πόλωση µεταξύ πύλης – πηγής.
Η διάταξη αυτή επιτρέπει την σταθεροποίηση του ρεύµατος που διαρρέει τον απαγωγέα
ως προς τις µεταβολές της θερµοκρασίας. Αν για παράδειγµα το ρεύµα του απαγωγέα
αυξηθεί τότε µεγαλώνει η πτώση τάσης στα άκρα της RS και έτσι αυξάνει η ανάστροφη
πόλωση ανάµεσα στην πύλη και την πηγή. Αυτή η αύξηση µε την σειρά της µειώνει το
εύρος του καναλιού και έτσι µειώνει και πάλι το ρεύµα του απαγωγέα.
Λόγω της αναστροφής πόλωσης της διόδου πύλης – πηγής το ρεύµα που διαρρέει την
πύλη είναι σχεδόν µηδέν και εποµένως η τάση της πύλης είναι µηδέν επίσης, VG = 0 V .
Από κύκλωµα πόλωσης 10(α) και εφαρµόζοντας τον νόµο του Ohm έχουµε ότι:
ID ≈IS
VS = I S RS = I D RS ⇒ VGS = −I D RS (5)
112
Από την (5) είναι φανερό ότι όσο λιγότερο ανάστροφη είναι η διαφορά δυναµικού
µεταξύ της πηγής και της πύλης τόσο µεγαλύτερο είναι το ρεύµα του απαγωγέα. Η
γραφική παράσταση της (5) απεικονίζεται στο σχήµα 10(β) ως ευθεία γραµµή µε κλίση
ίση µε την αντίσταση Rs. Το σηµείο λειτουργίας Q του transistor βρίσκεται στο σηµείο
τοµής της ευθείας µε την χαρακτηριστική διαγωγιµότητας. Οι συντεταγµένες του
σηµείου λειτουργίας Q είναι (IDQ, VGSQ) και υπολογίζονται µέσω της (5).
Στο σχήµα 11 επιδεικνύεται η επίδραση της αντίστασης RS στον καθορισµό του σηµείου
λειτουργίας. Έτσι αν η RS είναι πολύ µικρή το ρεύµα του απαγωγέα βρίσκεται κοντά
στον κόρο (ΙDSS – βλέπε σχήµα 8). Από την άλλη όταν η RS έχει µεγάλη τιµή τότε το
ρεύµα του απαγωγέα είναι πολύ µικρό. Η ιδανική τιµή της RS είναι αυτή που το ρεύµα
του απαγωγέα βρίσκεται µεταξύ του µηδέν και του ρεύµατος κόρου ΙDSS.
Σχήµα 11: (α) Επίδραση της RS στον καθορισµό του σηµείου λειτουργίας και (β) ιδανική τιµή της RS
(Βασική Ηλεκτρονική 4η έκδοση, Malvino)
Η εύρεση της ιδανικής τιµής αντίστασης πηγής µπορεί να βρεθεί είτε (α) µε χρήση του
φυλλαδίου προδιαγραφών του JFET (βλέπε παράδειγµα φυλλαδίου προδιαγραφών στο
τέλος της εργαστηριακής αυτής άσκησης) είτε (β) χρησιµοποιώντας τις τιµές της τάσης
αποκλεισµού πύλης – πηγής VGS – off και του ρεύµατος κόρου IDSS. Έτσι αν για
παράδειγµα η τάση αποκλεισµού πύλης – πηγής είναι VGS-off και το ρεύµα κόρου είναι
ΙDSS τότε η ιδανική αντίσταση πηγής είναι
113
−VGS −off
RS = (6)
I DSS
114
V = V −V
S G GS (7)
Από την (7) µια και η τάση VGS είναι αρνητική αυτό σηµαίνει ότι η τάση της πηγής είναι
πάντα πιο µεγάλη από την τάση της πύλης. Από κύκλωµα σχήµατος 12(α) και νόµο του
Ohm έχουµε:
VG − VGS VG >>VGS
VG
ID = (8)
RS RS
Όπου η τάση VG υπολογίζετε από τον διαιρέτη τάσης του κυκλώµατος πόλωσης και είναι
ίση µε:
R2
VG = VDD
R1 + R2 (9)
Η γραφική παράσταση της (8) µας δίνει επίσης την γραµµή λειτουργίας του JFET ( βλέπε
σχήµα 13). Από την (8) καταλαβαίνει κανείς το ρεύµα του απαγωγού είναι σταθερό για
κάθε JFET. Αυτό συµβαίνει γιατί η VG καθορίζεται από τις αντιστάσεις του διαιρέτη
τάσης (βλέπε εξίσωση (9)), την εφαρµοζόµενη τάση και από την ακρίβεια της τιµής της
αντίστασης της πηγής. Στο σχήµα 12(γ) απεικονίζεται που θα πρέπει να βρίσκεται το
σηµείο λειτουργίας στην περίπτωση της λειτουργίας στην ενεργό περιοχή (η VDS θα
πρέπει να είναι µεγαλύτερη από το γινόµενο IDRD (ωµική περιοχή) και µικρότερο της
τάσης αποκοπής VDD ) .
115
Σχήµα 13: Γραµµή λειτουργίας JFET
(http://socrates.berkeley.edu)
ρεύµα απαγωγού είναι ανεξάρτητο από τις µεταβολές της τάσης µεταξύ πύλης – πηγής.
Πολλές φορές όµως αυτό δεν είναι κατορθωτό ιδιαίτερα στην περίπτωση της χρήσης
κοινών τροφοδοτικών και όπου η τάση πύλης – πηγής έχει τιµή ίση µε µερικά volts. ∆υο
διατάξεις που εξασφαλίζουν την πλήρη ανεξαρτησία του ρεύµατος απαγωγού από την
τάση VGS απεικονίζονται στο παρακάτω σχήµα:
116
Από ανάλυση του κυκλώµατος στο σχήµα 14 και τις βασικές ιδιότητες των transistor και
των JFET έχουµε ότι:
VB −VBE
ID =
RE
(10)
VD = VDD − I D RD
∆id
gm =
∆vgs (11)
όπου ∆id είναι η µεταβολή στο ρεύµα του απαγωγέα και ∆vgs είναι η µεταβολή στην
τάση στην δίοδο πύλης – πηγής. Για τον υπολογισµό της (11) θεωρούµε ότι η τάση
µεταξύ απαγωγού – πηγής είναι σταθερή.
Όσο πιο µεγάλη είναι η διαγωγιµότητα τόσο πιο καλά ελέγχει η τάση πύλης – πηγής το
ρεύµα που διαπερνά τον απαγωγέα. Το παρακάτω σχήµα µας δείχνει τη σηµασία της
διαγωγιµότητας απεικονίζοντας την µαζί µε την καµπύλη της διαγωγιµότητας. Η
διαγωγιµότητα ορίζεται ως ο λόγος µεταβολής του ρεύµατος µέσω του απαγωγέα προς
τις µεταβολές της τάσης µεταξύ πύλης – πηγής. Με λίγα λόγια η διαγωγιµότητα gm
είναι η κλίση της καµπύλης διαγωγιµότητας (βλέπε σχήµα 15). ∆ιαφορετικές
µεταβολές της τάσης πύλης – πηγής δίνουν διαφορετικές µεταβολές του ρεύµατος του
απαγωγέα και εποµένως διαφορετικές τιµές διαγωγιµότητας (οι οποίες απεικονίζονται
από τις διαφορετικές κλίσεις που απεικονίζονται στο παρακάτω σχήµα).
117
Σχήµα 15: ∆ιαγωγιµότητα gm (Βασική Ηλεκτρονική, Malvino 4η εκδόση)
⎡ VGS ⎤⎥ 2 I DSS ⎡ ⎤
⎢
g m = g mo ⎢1− = ⎢1− VGS ⎥
⎥ ⎢ V ⎥ (12)
⎣⎢ VGS ( off ) ⎦⎥ −VGS ( off ) ⎣⎢ GS ( off ) ⎦⎥
Σχήµα 16: Μεταβολή της διαγωγιµότητας µε το ρεύµα απαγωγέα (Βασική Ηλεκτρονική, Malvino 4η εκδόση)
118
Το ac ισοδύναµο κύκλωµα του JFET απεικονίζεται στο σχήµα 17. Το ισοδύναµο αυτό
ισχύει για τις χαµηλές συχνότητες και χρησιµοποιείται για την ανίχνευση βλαβών. Στο
σχήµα 17 η δίοδος πύλης – πηγής αντιπροσωπεύεται µε πολύ µεγάλη αντίσταση ενώ ο
απαγωγός του JFET µε µια πηγή ρεύµατος.
Τα JFET είναι από τα δοµικά στοιχεία ενισχυτών όπως και τα διπολικά transistor.
Το µεγάλο πλεονέκτηµα που παρουσιάζουν οι ενισχυτές µε JFET είναι η µεγάλη
αντίσταση εισόδου ενώ το µεγάλο µειονέκτηµα τους είναι το χαµηλό κέρδος τάσης που
παρουσιάζουν.
Στο σχήµα 18(α) απεικονίζεται ένας ενισχυτής κοινής πηγής και στο σχήµα 18(β)
απεικονίζεται το ac ισοδύναµο του. Όταν το ac σήµα τάσης εφαρµοστεί στην πύλη τότε
αυτόµατα δηµιουργεί µια τάση ανάµεσα στην πύλη και την πηγή η οποία µε την σειρά
προκαλεί ένα ηµιτονοειδές ρεύµα απαγωγού. Το τελευταίο διαπερνά την αντίσταση
απαγωγού και εµφανίζεται µε διαφορά φάσης 180ο στην έξοδο ως σήµα τάσης. Η
αναστροφή φάσης, όµοια µε αυτή που παρατηρήσαµε στον ενισχυτή κοινού εκποµπού,
εξηγείται ως εξής: Στην θετική ηµιπερίοδο του ρεύµατος πύλης η τάση µεταξύ της πύλης
– πηγής αυξάνει. Αυτό έχει σαν συνέπεια το ρεύµα του απαγωγού να αυξάνει επίσης άρα
να µειώνεται η τάση στα άκρα του αφού υπάρχει µεγαλύτερη πτώση τάσης στα άκρα της
αντίστασης του απαγωγού RD.
119
Σχήµα 18: (α) Ενισχυτής κοινής πηγής και (β) το ac ισοδύναµο του
(Βασική Ηλεκτρονική, Malvino 4η εκδόση)
vout
AV = = g m rd = g m ( RD // RL ) (13)
vin
120
Πειραµατικό Μέρος
Μέρος Ι
Πραγµατοποιήστε το dc ισοδύναµο κύκλωµα του παρακάτω κυκλώµατος:
Σχήµα 1
α) Πριν συνδέσετε την γεννήτρια συχνοτήτων και µε την πύλη γειωµένη µετρήστε µε
το πολύµετρο την τάση VDS, την πτώση τάσης στα άκρα του απαγωγού VD, την
πτώση τάσης στα άκρα της αντίστασης RS (4.7 kΩ). Επαληθεύσετε τα
αποτελέσµατα σας εφαρµόζοντας τον 2ο κανόνα του Kirchhoff για τον κλάδο της Vdd.
Πόσο είναι το ρεύµα στον απαγωγό ID; Από τις µετρήσεις σας σχεδιάστε την
καµπύλη αγωγιµότητας Ιd vs VDS. Από την καµπύλη αυτή υπολογίστε το ρεύµα
φραγής ΙDSS και την τάση φραγής. Καθορίστε την ωµική περιοχή λειτουργίας
του JFET.
121
β) Επαναλάβατε τις µετρήσεις του 1ου ερωτήµατος µεταβάλλοντας την Vdd από 1 έως
20 Volt. H Vdd από το 1 Volt έως τα 4 Volt να µεταβάλλεται µε βήµα 0.5 Volt. Από
τα 4 Volt και πάνω να µεταβάλλεται µε βήµα 1 Volt.
γ) Συνδέστε την γεννήτρια συχνοτήτων µε την πύλη του JFET και µε σήµα συχνότητας 1
ΚHz (δηλαδή υλοποιήστε το κύκλωµα του σχήµατος 1). Συνδέστε επίσης τον
παλµογράφο στην είσοδο και την έξοδο του ενισχυτή. Ρυθµίστε την τάση του σήµατος
της γεννήτριας ώστε να πάρετε απαραµόρφωτο σήµα στην έξοδο. Μετρήστε στην
περίπτωση αυτή την τάση εισόδου vi και την τάση εξόδου vout και υπολογίστε το
κέρδος του ενισχυτή. Παρατηρείτε κάποια διαφορά φάσης µεταξύ των δυο
σηµάτων; Αν ναι που οφείλετε; Ποιο είναι το κέρδος τάσης του ενισχυτή αυτού; Πόση
είναι η διαγωγιµότητα gm (υπολογίζετε µέσω της σχέσης (13);
Στο ερώτηµα αυτό η τάση Vdd είναι ίση µε 12 Volts.
δ) Επαναλάβετε την παραπάνω µέτρηση για RL = 10 K και RL = 1 K.
στ) Για την περίπτωση που VDD = 20 V και RL = 1 MΩ, υπολογίστε την απολαβή τάσης
του ενισχυτή για τις περιπτώσεις που η συχνότητα της γεννήτριας είναι 50 Hz, 100
Hz, 1 KHz, 5 KHz, 10 KHz, 40 KHz, 100 KHz, 300 KHz, 600 KHz, 1 MHz, 1.5 MHz,
2 MHz, 2.5 MHz, 3 MHz, 4 MHz, 5 MHz. Χαράξτε την καµπύλη ΑV(f) vs συχνότητα.
Μέρος ΙΙ
Πραγµατοποιήστε το παρακάτω κύκλωµα:
122
α) Σχεδιάστε την χαρακτηριστική αγωγιµότητας ID vs VDS µε την τάση πύλη – πηγής
να είναι σταθερή και ίση µε µηδέν. Μεταβάλλετε την VDS από 0 έως 8 Volt µε
βήµα 0.5 Volt.
β) Πόσο είναι το ρεύµα κόρου ΙDSS; Πόση είναι η τάση φραγής VP;
γ) Επαναλάβατε τα δυο πρώτα ερωτήµατα για VGS = -0.5 V, -1 V, - 1.5 V, - 2 V
δ) Σχεδιάστε τα παραπάνω διαγράµµατα (Όλα µαζί για VGS = 0 V, - 0.5V, - 1V, - 1.5 V, -
2.0 V).
στ) Για σταθερή τιµή του VDS = 5 V σχεδιάστε την χαρακτηριστική ΙD vs VGS.
Μετρήστε το ρεύµα απαγωγέα ΙD από VGS = 0 V έως και VGS = - 3V µε βήµα 0.25 V.
ζ) Απαντήστε τις παρακάτω ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής:
1. Ένα JFET
Α. Είναι µια διάταξη ελεγχόµενη από τάση
Β. Είναι µια διάταξη ελεγχόµενη από ρεύµα
Γ. Έχει µια µικρή αντίσταση εισόδου
∆. Έχει ένα πολύ µεγάλο κέρδος τάσης
2. Ένα µονοπολικό transistor χρησιµοποιεί
Α. Και ελεύθερα ηλεκτρόνια και οπές
Β. Μόνο ελεύθερα ηλεκτρόνια
Γ. Μόνο οπές
∆. Είτε τα µεν ή τις δε, άλλα όχι και τα δύο
3. Η σύνθετη αντίσταση εισόδου ενός JFET
A. Τείνει στο µηδέν
B. Τείνει στην µονάδα
Γ. Τείνει στο άπειρο
∆. Είναι αδύνατον να προβλεφθεί
4. Η πύλη ελέγχει
Α. Το εύρος του καναλιού
Β. Το ρεύµα απαγωγού
Γ. Την ανάλογη τάση φραγής
∆. Όλα τα παραπάνω
123
5. Η δίοδος πύλης – πηγής ενός JFET πρέπει να είναι
Α. Πολωµένη ορθά
Β. Πολωµένη ανάστροφα
Γ. Είτε ορθά είτε ανάστροφα
∆. Τίποτε από τα παραπάνω
6. Η τάση φραγής έχει το ίδιο µέτρο µε την
Α. Τάση πύλης
Β. Τάση απαγωγού – πηγής
Γ. Τάση πύλης – πηγής
∆. Τάση πύλης – πηγής
7. Σε σύγκριση µε το διπολικό transistor, το JFET έχει πολύ µεγαλύτερο / η
Α. Κέρδος τάσης
Β. Αντίσταση εισόδου
Γ. Τάση τροφοδοσίας
∆. Ρεύµα
8. Όταν το ρεύµα κόρου του απαγωγού είναι µικρότερο από το IDSS, το JFET
λειτουργεί σαν
Α. ∆ιπολικό transistor
B. Πηγή ρεύµατος
Γ. Αντίσταση
∆. Μπαταρία
9. Η αντίσταση του απαγωγέα RD ισούται µε το πηλίκο της τάσης φραγής προς το
Α. Ρεύµα απαγωγέα
Β. Ρεύµα πύλης
Γ. Ιδανικό ρεύµα απαγωγέα
∆. Ρεύµα απαγωγέα όταν VGS = 0 V.
10. Η διαγωγιµότητα gm αυξάνει όταν το ρεύµα του απαγωγέα
Α. Παραµένει σταθερό
Β. Αυξάνει
Γ. Μειώνεται
∆. Σωστά τα Α και Β
124
11. Η καµπύλη διαγωγιµότητας είναι
Α. Γραµµική
Β. Μη γραµµική
Γ. Όµοια µε την γραφική παράσταση µιας αντίστασης
∆. Τίποτα από τα παραπάνω
12. Όταν το JFET βρίσκεται σε κατάσταση αποκοπής, τα στρώµατα
απογύµνωσης
Α. Πολύ µακριά
Β. Είναι πολύ κοντά
Γ. Εφάπτονται
∆. Άγουν
13. Όταν η τάση πύλης γίνεται πιο αρνητική στο κανάλι – n ενός JFET, το κανάλι
µεταξύ των στρωµάτων απογύµνωσης
Α. Συρρικνώνεται
Β. Άγει
Γ. Επεκτείνεται
∆. Σταµατά να άγει
14. Η διαγωγιµότητα µας δείχνει
Α. Πόσο καλά ελέγχει η τάση απαγωγού – πηγής το ρεύµα του καναλιού
Β. Πόσο καλά ελέγχει η τάση πύλης - πηγής το ρεύµα του καναλιού
Γ. Ποσό καλά ελέγχουν οι θερµοκρασιακές µεταβολές το ρεύµα του απαγωγού
∆. Πόσο καλά η τάση τροφοδοσίας ελέγχει το ρεύµα του απγωγέα.
15. Παρουσιάστε γραφικά τις καµπύλες λειτουργίας ενός JFET – n καναλιού.
Εξηγήστε την σηµασία των διαφόρων µεγεθών.
16. Πώς µπορούµε να καταλάβουµε σε ποια περιοχή λειτουργεί ένα JFET;
125
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 6: Ενισχυτής Κοινού Εκποµπού
Άσκηση 6
Ενισχυτής Κοινού Εκποµπού
∆ιαδικασία – Εργασία
1. Υλοποιήστε το παρακάτω κύκλωµα µε τα στοιχεία που θα σας δοθούν.
2. Μετρήστε την τάση βάσης του transistor. Συγκρίνεται την µε την θεωρητική τιµή. (Οι
θεωρητικές τιµές προκύπτουν από το dc ισοδύναµο του παραπάνω κυκλώµατος)
3. Μετρήστε την τάση του εκποµπού του transistor. Να την συγκρίνετε µε την
θεωρητική της τιµή. (Οι θεωρητικές τιµές προκύπτουν από το dc ισοδύναµο του
παραπάνω κυκλώµατος)
4. Από την παραπάνω µέτρηση υπολογίστε τα ρεύµατα που διαρρέουν τον εκποµπό και
τον συλλέκτη. Υπάρχει διαφορά ανάµεσα στην πειραµατική και την θεωρητική τιµή;
115
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 6: Ενισχυτής Κοινού Εκποµπού
Αν ναι, δώστε µια εξήγηση. (Οι θεωρητικές τιµές προκύπτουν από το dc ισοδύναµο
του παραπάνω κυκλώµατος)
5. Μετρήστε την τάση στον συλλέκτη. Υπολογίστε θεωρητικά την τάση στον συλλέκτη
χρησιµοποιώντας την τιµή του ρεύµατος συλλέκτη που υπολογίσατε προηγουµένως
υπολογίσατε. (Οι θεωρητικές τιµές προκύπτουν από το dc ισοδύναµο του παραπάνω
κυκλώµατος)
6. Από τις πειραµατικές τιµές των τάσεων συλλέκτη και εκποµπού να υπολογίσετε την
τάση συλλέκτη – εκποµπού του transistor.
rL
7. Θεωρητικά η ενίσχυση τάσης δίνεται από την σχέση AV = όπου rL = RC // RL και
rc
25mV
rc = . Υπολογίστε την ενίσχυση τάσης θεωρητικά από τις τιµές των
IE
αντιστάσεων που σας δίνονται. Πειραµατικά για να βρούµε την ενίσχυση τάσης
εφαρµόζουµε µια εναλλασσόµενη τάση συχνότητας f = 1 KHz και πλάτους
Vin = 20mV( p− p ) . Μετρούµε την τάση εξόδου Vout του ενισχυτή τάσης από κορυφή σε
Vout
κορυφή, και βρίσκουµε την ενίσχυση τάσης από την σχέση Av = . Την Vout την
Vin
µετράµε στα άκρα της RL (Με το πολύµετρο µετρούµε την ενεργό τιµή της τάσης και
στην συνέχεια υπολογίζουµε το πλάτος της τάσης εξόδου). Συγκρίνεται την
θεωρητική τιµή µε την πειραµατική τιµή.
8. Στην συνέχεια της άσκησης θα χαράξετε την καµπύλη απόκρισης συχνοτήτων του
ενισχυτή. Συµπληρώστε πειραµατικά τις τιµές των πινάκων που φαίνονται παρακάτω.
Οι τιµές των τάσεων στους πίνακες είναι οι τιµές από κορυφή σε κορυφή.
116
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 6: Ενισχυτής Κοινού Εκποµπού
f 20 Ηz 40 Hz 100 Hz 300 Hz 1 KHz 5 KHz 10 KHz 40 KHz
Vin (pk- 20 mV 20 mV 20 mV 20 mV 20 mV 20 mV 20 mV 20 mV
pk)
Vout
Vout / Vin
AV (dB)
f 50 KHz 100 KHz 150 KHz 200 KHz 300 KHz 400 KHz 1 MHz
Vin 20 mV 20 mV 20 mV 20 mV 20 mV 20 mV 20 mV
Vout
Vout / Vin
AV (dB)
9. Υπολογίστε από την καµπύλη απόκρισης την κάτω συχνότητας αποκοπής f1, την
πάνω συχνότητας αποκοπής f2 και το εύρος ζώνης BW ( = f 2 − f1 ) του ενισχυτή. Η
κάτω και πάνω συχνότητας αποκοπής είναι τα σηµεία όπου η ενίσχυση πέφτει 3 dB
κάτω από την µέγιστη τιµή.
10. Παρατηρείστε ταυτόχρονα στην οθόνη του παλµογράφου την τάση εισόδου και την
τάση εξόδου (χρησιµοποιώντας τα 2 κανάλια του παλµογράφου). Τι παρατηρείτε όσο
αφορά τις φάσεις των τάσεων εισόδου και εξόδου;
117
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 6: Ενισχυτής Κοινού Εκποµπού
11. Τοποθετήστε στην είσοδο του ενισχυτή, από την γεννήτρια σήµατος, ένα σήµα
µικρού πλάτους π.χ. 1 V(p-p) και συχνότητας 1 ΚΗz. Αρχίστε να αυξάνετε σταδιακά
το πλάτος του σήµατος. Τι παρατηρείτε στο σήµα εξόδου από ένα σηµείο και πέρα,
καθώς αυξάνετε το πλάτος του σήµατος εισόδου; Εξηγήστε. Ποια είναι η µέγιστη
τιµή τάσεως εισόδου, από κορυφή σε κορυφή, στην συχνότητα του 1 ΚHz για
αψαλίδιστη τάση εξόδου; Τι σχέση έχει η τάση αυτή µε την ενίσχυση του ενισχυτή
και το µέγιστο αψαλίδιστο σήµα εξόδου στην παραπάνω συχνότητα;
118
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 7: Τελεστικός Ενισχυτής
Άσκηση 7
Τελεστικός Ενισχυτής
∆ιαδικασία – Εργασία
1. Να κατασκευάσετε το κύκλωµα του σχήµατος 1.
2. Με είσοδο πλάτους 1 volt και συχνότητα 1 kHz να βρείτε την απολαβή (το
πλάτος εξόδου) της βαθµίδας και την διαφορά φάσης στην έξοδο. Να γίνει η
−R f
επαλήθευση µε την σχέση A = .
R1
3. Αλλάξτε την Rf από 2.2 K σε 10 K και επαναλάβετε την διαδικασία 2.
4. Εφαρµόστε στην είσοδο 1 Volt dc και παρατηρείστε στην έξοδο τι συµπέρασµα
βγάζετε.
119
Αναλογικά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 7: Τελεστικός Ενισχυτής
6. Με είσοδο 1 Volt και συχνότητα 1 KHz να βρείτε την απολαβή της βαθµίδας και
την διαφορά φάσης στην έξοδο. Να γίνει η επαλήθευση µε την σχέση
Rf
A = 1+ .
R1
7. Αλλάξτε την Rf από 2.2 Κ σε 10Κ και επαναλάβετε την διαδικασία 2.
8. Ο τελεστικός ενισχυτής που θα χρησιµοποιήσετε είναι ο 741 και οι ακροδέκτες
του είναι οι εξής
120
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 8: Λογική Πύλη AND
Άσκηση 8
Λογική Πύλη AND
∆ιαδικασία - Εργασία
Σχήµα 1
121
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 8: Λογική Πύλη AND
3. Θέτοντας τις κατάλληλες τιµές στις εισόδους Α και Β της πύλης συµπληρώστε,
παρατηρώντας την κατάσταση του LED τον πίνακα αληθείας της πύλης. Τι
συµπέρασµα βγάζετε για την πύλη AND 2 εισόδων; Πότε η έξοδος γίνεται 1;
A B Y
0 0
0 1
1 0
1 1
122
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 8: Λογική Πύλη AND
5. Το παραπάνω λογικό κύκλωµα έχει τρεις εισόδους Α, Β, D και µια έξοδο Y2. Από
τις παρατηρήσεις σας, δίνοντας τις κατάλληλες τιµές στις εισόδους, συµπληρώστε
τον πίνακα αληθείας του κυκλώµατος.
Α Β D Y2
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
7. ∆ίνοντας τις κατάλληλες τιµές στις εισόδους, συµπληρώστε τον παρακάτω πίνακα
αληθείας του κυκλώµατος.
Α Β C D Y3
0 0 0 0
0 0 0 1
0 0 1 0
0 1 1 1
0 1 0 0
0 1 0 1
0 1 1 0
0 0 1 1
123
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 8: Λογική Πύλη AND
1 0 0 0
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 1 1
1 1 0 0
1 1 0 1
1 1 1 0
1 1 1 1
124
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 9: Λογική Πύλη OR
Άσκηση 9
Λογική Πύλη OR
Στο τέλος της άσκησης αυτής θα έχετε µάθει πώς να συναρµολογείτε την
πύλη OR µε διακριτά στοιχεία. Επίσης θα έχετε εξοικειωθεί µε τις λογικές
λειτουργίες της.
∆ιαδικασία - Εργασία
Θα κατασκευάσουµε µια πύλη OR δυο εισόδων και µια τριων εισόδων. Για
την κατασκευή των πυλών θα χρησιµοποιήσουµε αντιστάσεις και διόδους. Το
κύκλωµα µιας πύλης OR δυο εισόδων και µιας τριών εισόδων απεικονίζονται στο
παρακάτω κύκλωµα. Η λειτουργία των παρακάτω κυκλωµάτων είναι απλή. Σε κάθε
µία από τις εισόδους του Α και Β εφαρµόζουµε µια υψηλή, είτε µια χαµηλή τάση. Η
υψηλή τάση είναι περίπου ίση µε την τάση τροφοδοσίας + Vcc, ενώ η χαµηλή είναι
περίπου ίση µε 0 Volt.
125
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 9: Λογική Πύλη OR
Α Β Υ
0 0
0 1
1 0
1 1
126
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 9: Λογική Πύλη OR
Α Β C Y
0 0 0
0 0 1
0 1 0
1 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
1 1 1
127
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 10: Λογική Πύλη OR
Άσκηση 10
Λογική Πύλη OR
∆ιαδικασία - Εργασία
128
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 10: Λογική Πύλη OR
το λογικό 1. Όταν όµως ο διακόπτης είναι στην θέση OFF,εάν δεν υπήρχαν οι
αντιστάσεις των 330 Ω, οι είσοδοι της πύλης θα ήταν στον αέρα. Όταν όµως οι
είσοδοι των κυκλωµάτων είναι στο αέρα το κύκλωµα θεωρεί ότι βρίσκονται σε
κατάσταση λογικού 1. Για αυτό και χρησιµοποιούµε τις αντιστάσεις των 330 Ω, έτσι
ώστε όταν οι διακόπτες είναι στην θέση OFF το δυναµικό στις εισόδους να γίνεται
περίπου 0 V (λογικό 0). Οι αντιστάσεις αυτές επειδή τραβούν το δυναµικό του
ακροδέκτη µε τον οποίο συνδέονται προς τa κάτω στα 0 V, λέγονται αντιστάσεις
έλξης προς τα κάτω. Για την απεικόνιση της κατάστασης εξόδου χρησιµοποιούµε ένα
LED. Όταν η έξοδος της πύλης είναι High το LED φωτοβολεί δείχνοντας έτσι ότι
έχουµε λογικό 1 στην έξοδο, ενώ όταν η έξοδος είναι Low, το LED δεν φωτοβολεί
δείχνοντας έτσι ότι στην έξοδο έχουµε λογικό 0.
Κατασκευάστε το κύκλωµα του παρακάτω σχήµατος (Εργαστηριακές
Ασκήσεις Ηλεκτρονικών Γ. Σαραντίδης) χρησιµοποιώντας µία από τις 4 πύλες OR του
ολοκληρωµένου.
Θέτοντας τις κατάλληλες τιµές τάσης στις εισόδους Α και Β της πύλης,
συµπληρώστε παρατηρώντας την κατάσταση του LED τον πίνακα αληθείας της
πύλης OR.
A B Y
0 0
0 1
1 0
1 1
129
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 10: Λογική Πύλη OR
Το παραπάνω λογικό κύκλωµα έχει τρείς εισόδους Α,Β, C και µια έξοδο Y. Από τις
παρατηρήσεις δίνοντας τις κατάλληλες τιµές στις εισόδους, συµπληρώστε τον
παρακάτω πίνακα αληθείας του κυκλώµατος
Α Β C Y
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
130
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 11: Λογική Πύλη NOT
Άσκηση 11
Λογική Πύλη NOT
∆ιαδικασία - Εργασία
1. Όπως είναι γνωστό, όταν στην είσοδο ενός αναστροφέα εφαρµόσουµε µια
υψηλή (High) στάθµη δυναµικού, µας δίνει στην έξοδο µια χαµηλή (Low) στάθµη
δυναµικού και αντιστρόφως. Στην γλώσσα των ψηφιακών ηλεκτρονικών αυτό
µεταφράζεται ως εξής: Αν εφαρµόσουµε στην είσοδο ενός αναστροφέα το λογικό 1
στην έξοδο θα πάρουµε το λογικό 0 και αντίστροφα. Ο αναστροφέας αυτός
ονοµάζεται και πύλη ΝΟΤ.
Το κύκλωµα ενός αναστροφέα µε transistor εικονίζεται στο σχήµα 1 όπως και το
λογικό του σύµβολο. Στην είσοδο εφαρµόζεται µια χαµηλή τάση περίπου 0 Volt ή µια
υψηλή τάση τροφοδοσίας + Vcc. Όταν το transistor είναι σε αποκοπή (δεν άγει) και η
έξοδος του είναι περίπου ίση µε την τάση τροφοδοσίας + Vcc. Όταν η είσοδος είναι
high το transistor πηγαίνει στον κόρο και η τάση εξόδου είναι µηδέν δηλ. Low. Για
την ακρίβεια η τάση εξόδου γίνεται ίση µε την τάση κόρου VCE(sat) του transistor,
που είναι συνήθως στα 0.2 Volt.
131
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 11: Λογική Πύλη NOT
3. Εφαρµόστε διαδοχικά στην είσοδο του αναστροφέα µια χαµηλή (L) και µια
υψηλή (H) στάθµη τάσης και συµπληρώστε το πίνακα αληθείας του
κυκλώµατος. Η εφαρµογή των παραπάνω τάσεων να γίνει συνδέοντας µε ένα
αγωγό την είσοδο του αναστροφέα αντίστοιχα στην γη και στην τροφοδοσία.
Στην συνέχεια αντικαταστήσετε το χαµηλό δυναµικό µε το λογικό 0 και το
υψηλό δυναµικό µε λογικό 1.
Α Υ
132
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 11: Λογική Πύλη NOT
και η υψηλή στάθµη να είναι 5 Volt. Εάν η γεννήτρια σας έχει έξοδο TTL ή
Sync Out πάρετε το σήµα από αυτή την έξοδο. Παρακολουθήστε στην οθόνη
του παλµογράφου στο µεν κανάλι ένα το σήµα εισόδου, στο δε κανάλι 2 το
σήµα εξόδου. Σχεδιάστε τα 2 αυτά σήµατα και περιγράψτε τι είδους σχέση τα
διέπει.
133
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 12: Λογική Πύλη NAND
Άσκηση 12
Λογική Πύλη NAND
∆ιαδικασία - Εργασία
1. Η πύλη NAND µπορεί να κατασκευαστεί από µια πύλη AND συνδέοντας ένα
αντιστροφέα (λογική πύλη ΝΟΤ (74HC04)) στην έξοδο της. Αυτό µπορεί να
απεικονισθεί κυκλωµατικά µε το παρακάτω σχήµα. Μπορεί βέβαια να
αγορασθεί και έτοιµη υπό µορφή ολοκληρωµένου (74LS00). Το κυκλωµατικό
σύµβολο της πύλης εικονίζεται στο παρακάτω επίσης σχήµα.
134
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά
Άσκηση 12: Λογική Πύλη NAND
3. Το ΙC ανήκει στην οικογένεια TTL και τροφοδοτείται µε τάση 5 V. O
ακροδέκτης Vcc συνδέεται στο + της τροφοδοσίας, ενώ ο ακροδέκτης GRD
στο – της τροφοδοσίας.
4. Κατασκευάσετε το κύκλωµα του παρακάτω σχήµατος. Τοποθετήστε τις
κατάλληλες τιµές στις εισόδους της πύλης και συµπληρώστε τον παρακάτω
πίνακα αλήθειας της.
Α Β Υ
0 0
0 1
1 0
1 1
135
